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2' 4' InP Wafer Índio Fosfeto Wafer Semicondutores Substratos 350um 650um

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2' 4' InP Wafer Índio Fosfeto Wafer Semicondutores Substratos 350um 650um

2'' 4'' InP Wafer Indium Phosphide Wafer Semiconductor Substrates 350um 650um
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Imagem Grande :  2' 4' InP Wafer Índio Fosfeto Wafer Semicondutores Substratos 350um 650um

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: ZMSH
Certificação: ROHS
Número do modelo: Orifícios de fosfato de ídio
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 5pcs
Preço: USD
Detalhes da embalagem: caixa personalizada
Tempo de entrega: em 15 dias
Termos de pagamento: T/T
Descrição de produto detalhada
Materiais: Fósforo de ínio orientação: 100+/- 0,05 graus
Diâmetro: 2inch 3inch 4inch curva: ≤10μm
Revestimento de superfície: Polido Aspereza de superfície: Ra< 0,2 nm
TTV: < 8um Espessura: 350um 500um 600um
Tipo: Carcaças
Destacar:

Substratos de semicondutores de fosfeto de ínio

,

Wafer de fosfeto de índio de 2'

,

Wafer 4'' InP

2' 4' InP Wafer Índio Fosfeto Wafer Semicondutores Substratos 350um 650um

Descrição doWafer InP:

Os chips InP (fosfeto de índio) são um material semicondutor comumente utilizado para a fabricação de dispositivos optoeletrônicos de alto desempenho, como fotodiodos, lasers e sensores fotoelétricos.

  • Estrutura cristalina: os chips InP adotam uma estrutura cristalina cúbica com uma estrutura de rede altamente ordenada.

  • Espaço de energia: os chips InP têm um pequeno espaço de energia direta de cerca de 1,35 eV, que é um material semicondutor na faixa de luz visível.

  • Índice de refração: o índice de refração de uma wafer InP varia com o comprimento de onda da luz e é de cerca de 3,17 na faixa visível.

  • Conductividade térmica: InP tem uma elevada condutividade térmica de cerca de 0,74 W/ ((cm·K).

  • Mobilidade eletrônica: os chips InP têm uma alta mobilidade eletrônica de cerca de 5000 cm^2/(V·s).

  • Tamanho do chip: Os chips InP são geralmente fornecidos em forma de chip redondo e podem variar em diâmetro de alguns milímetros a vários polegadas.

  • Características da superfície: a superfície do chip InP é geralmente especialmente tratada para melhorar a sua planície e limpeza.

Características doWafer InP:

O chip InP (fosfeto de índio) é amplamente utilizado no campo dos dispositivos optoeletrônicos como material de substrato de dispositivos semicondutores.

  • Espaço de energia direta: os chips InP têm um pequeno espaço de energia direta (cerca de 1,35 eV), permitindo que absorvam e emitam sinais de luz na faixa visível de forma eficiente.

  • Alta mobilidade eletrônica: os chips InP têm uma alta mobilidade eletrônica (aproximadamente 5000 cm 2 / V · s), o que os torna exibem excelentes propriedades elétricas em dispositivos eletrônicos de alta velocidade.

  • Forte efeito fotoelétrico: Os chips InP têm um forte efeito fotoelétrico, o que os torna excelentes em dispositivos como fotodetectores e fotodiodos.

  • Estabilidade e confiabilidade: os chips InP possuem boa estabilidade térmica e boas propriedades elétricas, o que lhes permite trabalhar em ambientes de alta temperatura e campo elétrico elevado.

  • Técnicas de preparação extensas: as wafers InP podem ser cultivadas por uma variedade de técnicas de preparação, como a deposição de vapor químico metalo-orgânico (MOCVD) e a epitaxia de feixe molecular (MBE).

Parâmetros técnicos deWafer InP:

Ponto Parâmetro OMS
Materiais InP
Tipo de condução/Dopant S-C-N/S
Grau Tonto.
Diâmetro 100.0+/-0.3 mm
Orientação (100) +/- 0,5°
Área de dupla lamellar Área de cristal único útil com orientação (100) > 80%
Orientação plana primária EJ ((0-1-1) mm
Duração plana primária 32.5+/-1
Orientação plana secundária EJ ((0-11)
Duração plana secundária 18+/-1

Aplicações deWafer InP:

O chip InP (fosfeto de índio), como material de substrato de dispositivos semicondutores, possui excelentes propriedades fotoelétricas e elétricas.Os seguintes são algumas das principais áreas de aplicação dos materiais de substrato de chips InP:

  • Comunicação óptica: Pode ser usada para fabricar transmissores de luz (como lasers) e receptores de luz (como fotodiodos) em sistemas de comunicação de fibra óptica.

  • Detecção e detecção ópticas: os fotodetectores baseados em chips InP podem converter eficientemente sinais ópticos em sinais eléctricos para comunicação óptica, medição óptica,análise espectral e outras aplicações.

  • Tecnologia a laser: os lasers baseados em INP são amplamente utilizados em comunicação óptica, armazenamento óptico, liDAR, diagnóstico médico e processamento de materiais.

  • Circuitos integrados optoeletrônicos: os chips InP podem ser utilizados para fazer circuitos integrados optoeletrônicos (OEics),que é a integração de dispositivos optoeletrônicos e dispositivos eletrónicos no mesmo chip.

  • Células solares: os chips InP têm uma elevada eficiência de conversão fotoelétrica, pelo que podem ser utilizados para fabricar células solares eficientes.

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Perguntas frequentes:

Q1: Qual é o nome da marcaWafer InP?
A1: O
Fósforo de ínioé feita pela ZMSH.

Q2: Qual é o diâmetro doFósforo de ínio?
A2: Diâmetro do
Fósforo de ínioé 2'', 3'', 4''.

Q3: Onde está oFósforo de ínio- De onde?
A3: O
Fósforo de ínioÉ da China.

Q4: É oFósforo de ínioCertificado ROHS?
A4: Sim, o
Fósforo de ínioé certificado ROHS.

Q5: QuantosFósforo de ínioPosso comprar waffles de uma vez?
A5: A quantidade mínima de encomenda do produto
Fósforo de ínioSão 5 peças.

Outros produtos:

Óleos de potássio

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