Wafers de silício personalizados de 4 polegadas (100 mm): espessura de 350 μm, <100> orientação, DSP/SSP, dopagem tipo N/P

As wafers de silício são discos finos e planos feitos de silício de cristal único altamente purificado, amplamente utilizados na indústria de semicondutores.Estas placas servem como o substrato fundamental para a produção de circuitos integrados e uma variedade de dispositivos eletrônicos.

Os wafers de silício variam tipicamente em diâmetro de 2 polegadas (50 mm) a 12 polegadas (300 mm), com espessuras que variam de 200 μm a 775 μm dependendo do tamanho.São produzidos utilizando os métodos Czochralski (CZ) ou Float-Zone (FZ) e polidos para obter uma superfície semelhante a um espelho com uma rugosidade mínimaA dopagem com elementos como o boro (para o tipo P) ou o fósforo (para o tipo N) modifica as suas propriedades eléctricas.

As principais propriedades das wafers de silício incluem alta condutividade térmica, baixo coeficiente de expansão térmica e excelente resistência mecânica.Eles também podem apresentar camadas epitaxial ou camadas finas de dióxido de silício para melhorar as propriedades elétricas e isolamentoEssas placas são processadas e manuseadas em ambientes de sala limpa para manter a pureza, garantindo alto rendimento e confiabilidade na fabricação de semicondutores.

Visão geral do produto

Os wafers de Si, também conhecidos como substratos de silício, estão disponíveis em várias orientações cristalinas (incluindo <100>, <110> e <111>) e tamanhos padrão de 1 polegada a 4 polegadas.Estes substratos de silício monocristalino são produzidos com alta pureza e podem ser personalizados de acordo com os requisitos de projeto específicos.

Características fundamentais

• Fabricado a partir de silício monocristalino de alta pureza (99,999%)
• Suporta desenhos e ilustrações personalizados
• A resistência varia de acordo com o tipo de doping
• Disponível no tipo P (dopado com boro) ou no tipo N (dopado com fósforo/arsénio)
• Amplamente utilizado em circuitos integrados (ICs), fotovoltaicos e dispositivos MEMS

Descrição detalhada

As bolinhas de silício são discos planos ultrafinos fabricados a partir de silício monocristalino altamente refinado.São substratos fundamentais na fabricação de semicondutores para a produção de circuitos integrados e componentes eletrónicosOs diâmetros normalizados variam de 2 polegadas (50 mm) a 12 polegadas (300 mm), com espessuras que variam entre 200 μm e 775 μm.As placas são polidas com precisão para obter superfícies semelhantes a espelhos com uma rugosidade mínimaA dopagem com elementos como boro (tipo P) ou fósforo (tipo N) permite características elétricas personalizadas.e resistência mecânica robustaO processo é realizado em ambientes de sala limpa controlados para garantir a pureza e a confiabilidade.

Especificações técnicas

Amostragens da Wafer de Si

Wafer de Si de 4 polegadas com um diâmetro de 100 mm, espessura de 350 μm, orientação <100>, opções DSP/SSP e variantes personalizadas de tipo N ou tipo P.

Se você tiver quaisquer outros requisitos, por favor, sinta-se à vontade para entrar em contato conosco para personalização.

A nossa empresa, ZMSH, especializada na investigação, produção, processamento e venda de substratos de semicondutores e materiais de cristal óptico.,equipamentos de processamento de precisão e instrumentos de teste, possuímos fortes capacidades no processamento de produtos não-padrão.e projetar vários novos produtos de acordo com as necessidades do clienteSeguindo o princípio do "centrado no cliente, baseado na qualidade", esforçamo-nos para nos tornarmos uma empresa de alta tecnologia de primeira linha no campo dos materiais optoeletrônicos.

1. P: Qual é a diferença entre as bolhas de Si do tipo P e do tipo N?
   R: As wafers de silício do tipo P têm buracos como os principais portadores de carga, enquanto as wafers do tipo N têm elétrons.
2. P: Quais são as principais diferenças entre as wafers de Si, as wafers de SiO2 e as wafers de SiC?
   R: As bolinhas de silício (Si) são substratos de silício puro usados principalmente em dispositivos de semicondutores.As bolinhas de carburo de silício (SiC) são constituídas por um composto de silício e carbono, oferecendo maior condutividade térmica e durabilidade, tornando-os adequados para aplicações de alta potência e alta temperatura.