Detalhes do produto
Lugar de origem: CHINA
Marca: zmsh
Certificação: ROHS
Número do modelo: Bolacha de 6INCH GaAs
Termos de pagamento e envio
Quantidade de ordem mínima: 10pcs
Preço: by case
Detalhes da embalagem: Filme do ANIMAL DE ESTIMAÇÃO no quarto desinfetado de 100 categorias
Tempo de entrega: 1-4weeks
Habilidade da fonte: 500PCS/Month
Material: |
Monocristal GaAs |
indústria: |
bolacha do semicondutor para o ld ou conduzida |
Aplicação: |
a carcaça do semicondutor, conduziu a microplaqueta, janela de vidro ótica, carcaças do dispositivo |
método: |
CZ |
Tamanho: |
2inch~6inch |
Espessura: |
0.425mm |
Superfície: |
cmp/gravado |
lubrificado: |
Si-lubrificado |
MOQ: |
10PCS |
Categoria: |
categoria da pesquisa/categoria do manequim |
Material: |
Monocristal GaAs |
indústria: |
bolacha do semicondutor para o ld ou conduzida |
Aplicação: |
a carcaça do semicondutor, conduziu a microplaqueta, janela de vidro ótica, carcaças do dispositivo |
método: |
CZ |
Tamanho: |
2inch~6inch |
Espessura: |
0.425mm |
Superfície: |
cmp/gravado |
lubrificado: |
Si-lubrificado |
MOQ: |
10PCS |
Categoria: |
categoria da pesquisa/categoria do manequim |
carcaças DSP do arsenieto de gálio das bolachas de 4Inch GaAs
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Bolacha do GaAs
O arsenieto de gálio (GaAs) é um do importantes e madurosⅢ - materiais do semicondutor composto do Ⅴ, que são amplamente utilizados no campo da ótica eletrónica e da microeletrônica. Os materiais do arsenieto de gálio são divididos principalmente em duas categorias: materiais semi-isolados do arsenieto de gálio e materiais do arsenieto de gálio do semicondutor. os materiais Semi-isolados do arsenieto de gálio são usados principalmente para produzir circuitos integrados com estruturas de MESFET, de HEMT e de HBT. Usado principalmente no radar, a comunicação de onda da micro-ondas e de milímetro, computador ultra-alto da velocidade e uma comunicação de fibra ótica e outros campos. Os materiais do arsenieto de gálio do semicondutor são usados principalmente nos lasers do semicondutor (LD), nos diodos luminescentes do semicondutor (diodo emissor de luz), nos lasers próximo-infravermelhos, do quantum em lasers de alta potência bem e nas células solares de grande eficacia.
| Tipo/导电类型/掺杂元素 do entorpecente | Semi-isolado | P-Type/Zn | N-Type/Si | N-Type/Si |
| 应用 da aplicação | Micro Eletronic | Diodo emissor de luz | Diodo láser | |
| 长晶方式 do método do crescimento | VGF | |||
| 直径 do diâmetro | 2", 3", 4", 6" | |||
| 晶向 da orientação | (100) ±0.5° | |||
| 厚度 da espessura (µm) | 350-625um±25um | |||
| 参考边 de OF/IF | E.U. EJ ou entalhe | |||
| 载流子浓度 da concentração de portador | - | (0.5-5) *1019 | (0.4-4) *1018 | (0.4-0.25) *1018 |
| 电阻率 da resistividade (ohm-cm) | >107 | (1.2-9.9) *10-3 | (1.2-9.9) *10-3 | (1.2-9.9) *10-3 |
| 电子迁移率 da mobilidade (cm2/V.S.) | >4000 | 50-120 | >1000 | >1500 |
| 位错密度 da densidade do passo gravura em àgua forte (/cm2) | <5000> | <5000> | <5000> | <500> |
| 平整度 de TTV [P/P] (µm) | <5> | |||
| 平整度 de TTV [P/E] (µm) | <10> | |||
| 翘曲度 da urdidura (µm) | <10> | |||
| 表面加工 terminado de superfície | P/P, P/E, E/E | |||
SOBRE NOSSO ZMKJ
Q: Que é o MOQ?
(1) para o inventário, o MOQ é 5pcs.
(2) para produtos personalizados, o MOQ é 10pcs-30pcs.
Q: Você tem o relatório de inspeção para o material?
Nós podemos fornecer o relatório de detalhe para nossos produtos.
