Detalhes do produto
Lugar de origem: China
Marca: ZMSH
Número do modelo: BOLACHA DO SI
Termos de pagamento e envio
Tempo de entrega: 4-6 semanas
Termos de pagamento: T/T
Materiais: |
Si cristal único |
Tamanho: |
4 polegadas |
Espessura: |
350 um |
Orientação de cristal: |
< 100> |
Densidade: |
2,4 g/cm3 |
Tipo de doping: |
Tipo P ou tipo N |
Materiais: |
Si cristal único |
Tamanho: |
4 polegadas |
Espessura: |
350 um |
Orientação de cristal: |
< 100> |
Densidade: |
2,4 g/cm3 |
Tipo de doping: |
Tipo P ou tipo N |
Wafer Si, Wafer de Silício, Substrato de Si, Substrato de Silício, <100>, <110>, <111>, Wafer de Si de 1 polegada, Wafer de Si de 2 polegadas, Wafer de Si de 3 polegadas, Wafer de Si de 4 polegadas, Substrato monocristalino de Si,Orifícios monocristalinos de silício
Características da bolacha de Si
- utilizaçãoMonocristalhos de silíciopara produzir, com alta pureza, 99,999%
- apoiar as personalizadas com desenhos gráficos
- a resistividade varia muito de acordo com o tipo dopado
- pode ser de tipo P (com boro) ou de tipo N (com fósforo ou arsénio)
- amplamente utilizados em áreas de alta tecnologia, como ICs, dispositivos fotovoltaicos e MEMS
Descrição da bolacha de Si
Os wafers de silício são discos finos e planos feitos de silício monocristalino altamente purificado e são amplamente utilizados na indústria de semicondutores.
Estas placas são o substrato básico para a fabricação de circuitos integrados e uma variedade de dispositivos eletrônicos.
Os wafers de silício variam tipicamente de 2 polegadas (50 mm) a 12 polegadas (300 mm) de diâmetro, e sua espessura varia dependendo do tamanho, tipicamente entre 200 μm e 775 μm.
As bolinhas de silício são fabricadas usando os métodos Czochralski ou Float-Zone e são polidas cuidadosamente para obter uma superfície espelhada com uma rugosidade mínima.Podem ser dopados com elementos como boro (tipo P) ou fósforo (tipo N) para modificar as suas propriedades elétricas.
As principais propriedades incluem alta condutividade térmica, baixo coeficiente de expansão térmica e excelente resistência mecânica.
As wafers também podem ter camadas epitaxial ou camadas finas de dióxido de silício para melhorar as propriedades elétricas e o isolamento.
Eles são processados e manuseados em um ambiente de sala limpa para manter a pureza, garantindo alto rendimento e confiabilidade na fabricação de semicondutores.
Mais sobre a bolacha de Si
| Método de crescimento | Czochralski ((CZ), zona flutuante ((FZ) | ||
| Estrutura cristalina | Quadrado | ||
| Espaçamento da banda | 1.12 eV | ||
| Densidade | 2.4 g/cm3 | ||
| Ponto de fusão | 1420°C | ||
| Tipo de dopante | Não dopados | Com dopagem por boro | Fós-dopado / As-dopado |
| Tipo condutivo | Intrínseco | Tipo P | Tipo N |
| Resistividade | > 1000 Ωcm | 0.001~100 Ωcm | 0.001~100 Ωcm |
| EPD | < 100 /cm2 | < 100/cm2 | < 100/cm2 |
| Teor de oxigénio | ≤ 1x1018 /cm3 | ||
| Teor de carbono | ≤ 5x1016 /cm3 | ||
| Espessura | 150 mm, 200 mm, 350 mm, 500 mm ou outros | ||
| Poluição | de peso superior a 200 g/m2, mas não superior a 300 g/m2 | ||
| Orientação cristalina | <100>, <110>, <111> ± 0,5o ou outros ângulos fora do normal | ||
| A rugosidade da superfície | Ra≤5Å ((5μmx5μm) | ||
Amostragens da bolacha de Si
* Se tiver outros requisitos, por favor, não hesite em contactar-nos para personalizá-los.
1. P: Qual a diferença entre tipo P e tipo N de wafers de Si?
R: As wafers de silício do tipo P têm buracos como os principais portadores de carga, enquanto as wafers do tipo N têm elétrons, com diferenças mínimas em outras propriedades físicas como a resistividade.
2. P: Wafer Si, Wafer SiO2 e Wafer SiC, quais são as principais diferenças entre eles?
A: As wafers de silício (Si) são substratos de silício puro utilizados principalmente em dispositivos semicondutores,
As bolinhas de SiO2 têm uma camada de dióxido de silício na superfície, muitas vezes usada como uma camada isolante.
As bolinhas de carburo de silício (SiC) são compostas por um composto de silício e carbono, oferecendo maior condutividade térmica e durabilidade,com um diâmetro superior a 30 mm,.
