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tipo carcaças da categoria N do teste da pesquisa das bolachas de 3inch VGF GaAs do GaAs

Detalhes do produto

Lugar de origem: CHINA

Marca: zmsh

Certificação: ROHS

Número do modelo: Bolacha de 6INCH GaAs

Termos de pagamento e envio

Quantidade de ordem mínima: 10pcs

Preço: by case

Detalhes da embalagem: Filme do ANIMAL DE ESTIMAÇÃO no quarto desinfetado de 100 categorias

Tempo de entrega: 1-4weeks

Habilidade da fonte: 500pcs/month

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Destacar:

Bolacha do arsenieto de gálio da categoria do teste da pesquisa

,

Tipo carcaça de N do arsenieto de gálio

,

Bolacha de um GaAs Epi de 3 polegadas

Material:
Monocristal GaAs
Indústria:
bolacha do semicondutor para o ld ou conduzida
Aplicação:
a carcaça do semicondutor, conduziu a microplaqueta, janela de vidro ótica, carcaças do dispositivo
Método:
CZ
tamanho:
2inch~6inch
Espessura:
0.425mm
superfície:
cmp/gravado
lubrificado:
Si-lubrificado
MOQ:
10PCS
categoria:
categoria da pesquisa/categoria do manequim
Material:
Monocristal GaAs
Indústria:
bolacha do semicondutor para o ld ou conduzida
Aplicação:
a carcaça do semicondutor, conduziu a microplaqueta, janela de vidro ótica, carcaças do dispositivo
Método:
CZ
tamanho:
2inch~6inch
Espessura:
0.425mm
superfície:
cmp/gravado
lubrificado:
Si-lubrificado
MOQ:
10PCS
categoria:
categoria da pesquisa/categoria do manequim
tipo carcaças da categoria N do teste da pesquisa das bolachas de 3inch VGF GaAs do GaAs

N-tipo carcaças 425um da categoria do teste da pesquisa das bolachas de 3inch VGF GaAs do GaAs

N-tipo carcaças un-lubrificadas 2degree do método de 2inch 3inch 4inch 6inch VGF do GaAs fora das bolachas de 675um SSP DSP GaAs


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A bolacha do GaAs (arsenieto de gálio) é uma alternativa vantajosa ao silicone que tem evoluído na indústria do semicondutor. Menos consumo de potência e mais eficiência oferecidos por bolachas deste GaAs estão atraindo os jogadores do mercado para adotar estas bolachas, aumentando desse modo a procura para a bolacha do GaAs. Geralmente, esta bolacha é usada para fabricar semicondutores, diodos luminescentes, termômetros, circuitos eletrônicos, e barômetros, além de encontrar a aplicação na fabricação de ligas de baixa temperatura de fusão. Como o semicondutor e o circuito eletrônico as indústrias continuam a tocar em picos novos, o mercado do GaAs estão crescendo. O arsenieto de gálio da bolacha do GaAs tem o poder de gerar o laser da eletricidade. O cristal especialmente policristalino e único é o tipo dois principal de bolachas do GaAs, que são utilizadas na produção da microeletrônica e de ótica eletrónica para criar o LD, o diodo emissor de luz, e os circuitos da micro-ondas. Consequentemente, a escala extensiva de aplicações do GaAs, particularmente na ótica eletrónica e na indústria da microeletrônica está criando um influxo da procura no mercado da bolacha dos theGaAs. Previamente, os dispositivos optoelectronic foram usados principalmente em uma escala larga em comunicações óticas de curto prazo e em periféricos de computador. Mas agora, estão na procura para algumas aplicações emergentes tais como o lidar, a realidade aumentada, e o reconhecimento de cara. LEC e VGF são dois métodos populares que estão melhorando a produção de bolacha do GaAs com uniformidade alta de propriedades elétricas e da qualidade de superfície excelente. A mobilidade de elétron, a única junção faixa-Gap, uma eficiência mais alta, a resistência do calor e de umidade, e a flexibilidade superior são as cinco vantagens distintas do GaAs, que estão melhorando a aceitação de bolachas do GaAs na indústria do semicondutor.

Detalhe da especificação
GaAs (arsenieto de gálio) para aplicações do diodo emissor de luz
Artigo Especificações Observações
Tipo da condução SC/n-type
Método do crescimento VGF
Entorpecente Silicone
Bolacha Diamter 2, 3 & 4 polegadas Lingote ou como-corte disponível
Crystal Orientation (100) 2°/6°/15° fora de (110) O outro misorientation disponível
DE EJ ou E.U.
Concentração de portador (0.4~2.5) E18/cm3
Resistividade no RT (1.5~9) E-3 Ohm.cm
Mobilidade 1500~3000 cm2/V.sec
Gravura em àgua forte Pit Density <500>
Marcação do laser mediante solicitação
Revestimento de superfície P/E ou P/P
Espessura 220~350um
Epitaxia pronta Sim
Pacote Única recipiente ou gaveta da bolacha

GaAs (arsenieto de gálio), Semi-isolando para aplicações da microeletrônica

Artigo
Especificações
Observações
Tipo da condução
Isolamento
Método do crescimento
VGF
Entorpecente
Undoped
Bolacha Diamter
2, 3, 4 & 6 polegadas
Lingote disponível
Crystal Orientation
(100) +/- 0.5°
DE
EJ, E.U. ou entalhe
Concentração de portador
n/a
Resistividade no RT
>1E7 Ohm.cm
Mobilidade
>5000 cm2/V.sec
Gravura em àgua forte Pit Density
<8000>
Marcação do laser
mediante solicitação
Revestimento de superfície
P/P
Espessura
350~675um
Epitaxia pronta
Sim
Pacote
Única recipiente ou gaveta da bolacha
Não. Artigo Especificação padrão
1 Tamanho 2" 3" 4" 6"
2 Diâmetro milímetro 50.8±0.2 76.2±0.2 100±0.2 150±0.5
3 Método do crescimento VGF
4 Lubrificado Un-lubrificado, ou Si-lubrificado, ou Zn-lubrificado
5 Maestro Type N/A, ou SC/N, ou SC/P
6 Espessura μm (220-350) ±20 ou (350-675) ±25
7 Crystal Orientation <100>±0.5 ou 2 fora
Opção da orientação de OF/IF EJ, E.U. ou entalhe
Plano da orientação (DE) milímetro 16±1 22±1 32±1 -
Plano da identificação (SE) milímetro 8±1 11±1 18±1 -
8 Resistividade (Não para
Mecânico
Categoria)
Ω.cm (1-30) ‘107, ou (0.8-9) ‘10-3, ou 1' 10-2-10-3
Mobilidade cm2/v.s ≥ 5.000, ou 1,500-3,000
Concentração de portador cm-3 (0.3-1.0) x1018, ou (0.4-4.0) x1018,
ou como SEMI
9 TTV μm ≤10
Curva μm ≤10
Urdidura μm ≤10
EPD cm2 ≤ 8.000 ou ≤ 5.000
Parte dianteira/superfície traseira P/E, P/P
Perfil da borda Como SEMI
Contagem de partícula <50>0,3 μm, contagens/bolachas),
ou COMO SEMI
10 Laser Mark Verso ou mediante solicitação
11 Empacotamento Única recipiente ou gaveta da bolacha

tipo carcaças da categoria N do teste da pesquisa das bolachas de 3inch VGF GaAs do GaAs 0tipo carcaças da categoria N do teste da pesquisa das bolachas de 3inch VGF GaAs do GaAs 1tipo carcaças da categoria N do teste da pesquisa das bolachas de 3inch VGF GaAs do GaAs 2


SOBRE NOSSO ZMKJ

ZMKJ localiza na cidade de Shanghai, que é a melhor cidade de China, e nossa fábrica é fundada
na cidade de Wuxi em 2014. Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, carcaças
e custiomized parts.components de vidro ótico amplamente utilizado na eletrônica, sistema ótico,
ótica eletrónica e muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos
e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos personalizados
e serviços para seus projetos do R&D.
É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes pelo nosso
bons reputatiaons. assim nós igualmente podemos fornecer algumas outras carcaças dos materiais como o gosto:
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Empacotamento – Logistcs
Os interesses de Worldhawk detalham cada do pacote, limpeza, antiestática, tratamento de choque.
De acordo com a quantidade e a forma do produto, nós tomaremos um processo de empacotamento diferente!
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FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e pela CORRENTE DE RELÓGIO
e condição do pagamento do depósito de 50%, 50% antes da entrega.
Q: Que é o prazo de entrega?
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis após a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 3 semanas de trabalho após a ordem.

Q: Que é o MOQ?
(1) para o inventário, o MOQ é 5pcs.
(2) para produtos personalizados, o MOQ é 10pcs-30pcs.
Q: Você tem o relatório de inspeção para o material?
Nós podemos fornecer o relatório de detalhe para nossos produtos.