- Não.
4 polegadas Wafer de Quartz De espessura personalizada Faixa de 0,5 mm a 1,5 mm Ra ≤ 0,5 nm
A ZMSH é especializada em wafers de quartzo de 4 polegadas fabricados com precisão, atendendo a aplicações optoeletrônicas, semicondutores e MEMS de alto desempenho. Ao contrário dos formatos menores, as wafers de quartzo de 4 polegadas fornecem uma área de superfície estendida para integração de múltiplas camadas, permitindo a produção escalável de dispositivos avançados. As principais características incluem: - Não.
1Material: Sílica fundida de alta pureza (SiO2) com < 50 ppm de hidroxila (OH−) e < 0,1 ppm de impurezas metálicas, garantindo uma perda óptica ultra-baixa. - Não.
2. Dimensões: Diâmetros personalizados (100,00 mm ± 0,25 mm) e espessuras (0,525 ∼1,200 mm, TTV ≤ 10 μm). - Não.
3. Formas: geometrias circulares, quadradas ou irregulares com aberturas não-padrão, bordas escalonadas ou espessura de gradiente.
4. Revestimento superficial: superfícies ultra- suaves (Ra ≤ 1,0 nm) para mínima difusão da luz.
Especificação paraWafer de quartzo de 4 polegadas
| Parâmetro |
Especificações |
| Diâmetro |
1000,00 mm ± 0,25 mm |
| Faixa de espessura |
0.525-1,200 mm |
| Variação da espessura total (TTV) |
≤ 10 μm (300 mm de diâmetro)
4
|
| Roughness da superfície (Ra) |
≤ 1,0 nm |
| Transmissão ultravioleta |
> 92% @ 185 ∼ 3500 nm
1
|
| Coeficiente de expansão térmica (CTE) |
0.55 × 10−6/°C (20 ≈ 300°C)
1
|
| Resistividade (350°C) |
> 7 × 107 Ω·cm |
Características principais deWafer de quartzo de 4 polegadas
1Superioridade óptica.
Transmissão Espectral Ampla: > 92% de transmissão de 185 nm (UV) a 3500 nm (IR), ideal para litografia UV e detecção quântica.
Baixa expansão térmica: CTE de 0,55×10−6/°C (20°300°C), mantendo a estabilidade dimensional até 1100°C.
2. Resiliência mecânica e química
Alta dureza: escala Mohs 7, resistente à abrasão e choque mecânico.
Resistência ao ácido: 30 vezes maior durabilidade do que a cerâmica, adequada para ambientes químicos agressivos.
3- Desempenho elétrico.
Isolamento: Resistividade >7×107 Ω·cm (350°C), minimizando a capacitância parasitária em circuitos de alta frequência.
Compatibilidade SAW: Otimizada para filtros de onda acústica de superfície (SAW) com ângulos de corte precisos (por exemplo, 34,33° para FC-cut).
- Não.Aplicações estratégicas deWafer de quartzo de 4 polegadas
1Dispositivos MEMS avançados.
Sensores de pressão, giroscópios e cabeças de impressão a jato de tinta que aproveitam wafers de 4 polegadas para integração multicamadas e estabilidade térmica.
- Não.
2Sistemas Optoelectrónicos
Diodos de laser UV, colimadores de fibra óptica e componentes LiDAR que exigem caminhos ópticos de baixa perda.
3Embalagens de semicondutores
Substratos de embalagem de nível de wafer (WLP) para sensores de imagem CMOS e RFICs, com suporte à tecnologia TSV (Through-Silicon Via).
- Não.
4Tecnologias Quânticas.
Substratos para centros de vazio de nitrogénio (NV) de diamante e qubits supercondutores, beneficiando de uma densidade de defeito ultra-baixa.
- Não.
Serviços de personalização de empresas
Oferecemos personalização em grande escala para wafers de quartzo de 4 polegadas, incluindo:
1. Usinagem de precisão: torneamento de diamantes CNC para precisão dimensional < 1 μm.
2Tratamentos de superfície: revestimentos AR (reflexão < 0,5%), películas hidrofóbicas (ângulo de contacto com a água > 150°).
3. Protótipos rápidos: 57 dias para as amostras, que suportam geometrias híbridas (por exemplo, furos + entalhes).
Perguntas frequentes
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