Detalhes do produto
Lugar de origem: China
Marca: zmsh
Número do modelo: Chips de carburo de silício
Termos de pagamento e envio
Tempo de entrega: 2-4 semanas
Termos de pagamento: T/T
Materiais: |
Carbono de silício |
tamanho: |
Personalizado |
Espessura: |
personalizado |
Tipo: |
4H,6H,3C |
Aplicação: |
Veículos elétricos de comunicação 5G |
Materiais: |
Carbono de silício |
tamanho: |
Personalizado |
Espessura: |
personalizado |
Tipo: |
4H,6H,3C |
Aplicação: |
Veículos elétricos de comunicação 5G |
Imóveis | 4H-SiC, cristal único | 6H-SiC, cristal único |
Parâmetros da malha | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3,073 Å c=15,117 Å |
Sequência de empilhamento | ABCB | ABCACB |
Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
Densidade | 30,21 g/cm3 | 30,21 g/cm3 |
Coeficiente de expansão térmica | 5 × 10 × 6/K | 5 × 10 × 6/K |
Índice de refração @750nm |
não = 2.61 ne = 2.66 |
não = 2.60 ne = 2.65 |
Constante dielétrica | c~9.66 | c~9.66 |
Conductividade térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm) |
a~ 4,2 W/cm·K@298K c~3,7 W/cm·K@298K |
|
Condutividade térmica (semisulante) |
a~4,9 W/cm·K@298K c~3,9 W/cm·K@298K |
a~4,6 W/cm·K@298K c~3,2 W/cm·K@298K |
Fenda de banda | 3.23 eV | 30,02 eV |
Campo elétrico de ruptura | 3 a 5 × 106 V/cm | 3 a 5 × 106 V/cm |
Velocidade da deriva de saturação | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |