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Sic Dispositivos de semicondutores de carburo de silício Formas de cristais múltiplos 4H 6H 3C Chips de comunicação 5G de tamanho personalizado

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Sic Dispositivos de semicondutores de carburo de silício Formas de cristais múltiplos 4H 6H 3C Chips de comunicação 5G de tamanho personalizado

Imagem Grande : Sic Dispositivos de semicondutores de carburo de silício Formas de cristais múltiplos 4H 6H 3C Chips de comunicação 5G de tamanho personalizado

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	China
Marca:	zmsh
Número do modelo:	Chips de carburo de silício

Condições de Pagamento e Envio:

Tempo de entrega:	2-4 semanas
Termos de pagamento:	T/T

Contato

Descrição de produto detalhada

Materiais:	Carbono de silício	tamanho:	Personalizado
Espessura:	personalizado	Tipo:	4H,6H,3C
Aplicação:	Veículos elétricos de comunicação 5G
Destacar:	3C Sic Dispositivos semicondutores de carburo de silício , Dispositivos semicondutores de carburo de silício 4H Sic , Dispositivos semicondutores de carburo de silício 6H Sic

Descrição do produto

Sic Dispositivos de semicondutores de carburo de silício Formas de cristais múltiplos 4H 6H 3C Chips de comunicação 5G de tamanho personalizado

Um chip de carburo de silício é um dispositivo semicondutor feito de material de carburo de silício (SiC).Aproveita as excelentes propriedades físicas e químicas do carburo de silício para apresentar um excelente desempenho em altas temperaturas, ambientes de alta pressão e de alta frequência.

Características

• Alta dureza e resistência ao desgaste: o carburo de silício possui alta dureza e excelente resistência ao desgaste, o que pode resistir ao desgaste da superfície e prolongar a vida útil.

• Alta resistência: Capaz de suportar cargas elevadas e tensões mecânicas elevadas, adequado para utilização em ambientes de alta carga e de alta tensão.

• Alta estabilidade térmica: o carburo de silício possui excelente estabilidade térmica, pequeno coeficiente de expansão térmica, elevada condutividade térmica,Pode suportar tensões e choques térmicos a altas temperaturas, e a temperatura de trabalho máxima pode atingir mais de 600°C.

• Larga distância entre bandas: A ampla distância entre bandas do SiC permite que ele funcione bem em ambientes de alta temperatura e alta tensão, tornando-o adequado para aplicações de alta potência e alta temperatura.

• Alta mobilidade dos elétrons: A alta mobilidade dos elétrons permite que o dispositivo opere a altas velocidades e a altas frequências.

• Alta taxa de saturação de elétrons: a taxa de saturação de elétrons do carburo de silício é duas vezes superior à do silício,que permitem aos dispositivos de carburo de silício atingir frequências de funcionamento e densidades de potência mais elevadas.

• Alta resistência do campo elétrico de ruptura: Capaz de suportar a operação de alta tensão, reduzindo tamanho e peso.

• Estabilidade química: extremamente resistente à maioria dos ácidos, álcalis e agentes oxidantes e mantém o desempenho em ambientes químicos adversos.

Parâmetros técnicos

Imóveis	4H-SiC, cristal único	6H-SiC, cristal único
Parâmetros da malha	a=3,076 Å c=10,053 Å	a=3,073 Å c=15,117 Å
Sequência de empilhamento	ABCB	ABCACB
Dureza de Mohs	≈9.2	≈9.2
Densidade	30,21 g/cm3	30,21 g/cm3
Coeficiente de expansão térmica	5 × 10 × 6/K	5 × 10 × 6/K
Índice de refração @750nm	não = 2.61 ne = 2.66	não = 2.60 ne = 2.65
Constante dielétrica	c~9.66	c~9.66
Conductividade térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm)	a~ 4,2 W/cm·K@298K c~3,7 W/cm·K@298K
Condutividade térmica (semisulante)	a~4,9 W/cm·K@298K c~3,9 W/cm·K@298K	a~4,6 W/cm·K@298K c~3,2 W/cm·K@298K
Fenda de banda	3.23 eV	30,02 eV
Campo elétrico de ruptura	3 a 5 × 106 V/cm	3 a 5 × 106 V/cm
Velocidade da deriva de saturação	2.0×105m/s	2.0×105m/s

Aplicações

• Eletrónica de potência: utilizada para conceber fontes de alimentação de comutação de alta eficiência e alta densidade de potência, adequadas para veículos eléctricos, inversores solares e outros campos,melhorar a eficiência da conversão de energia e reduzir os custos do sistema.

• Comunicação sem fios: utilizadas para a concepção de amplificadores de potência de RF de alta frequência e alta velocidade, adequados para comunicações 5G, satélites, radar e outros campos.

• Iluminação LED: Utilizada para conceber controladores LED de alta eficiência e de alto brilho, adequados para iluminação interior e exterior e outros campos.

• Automóveis: pode ser utilizado para tornar os sistemas de accionamento de veículos eléctricos e os sistemas de gestão de baterias mais eficientes e fiáveis.

• Aeroespacial: os chips de carburo de silício podem suportar ambientes adversos, como altas temperaturas e radiação, para garantir o funcionamento estável do sistema.

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Perguntas frequentes

1.P: O que é um substrato de carburo de silício tipo 4H-P?

R: O substrato de carburo de silício de tipo 4H-P é um material semicondutor de tipo P (tipo de cavidade) com tipo cristalino de 4H. Com suas excelentes propriedades físicas e químicas, como alta dureza,Alta condutividade térmica, campo elétrico de alta degradação, etc., tem uma ampla gama de aplicações em eletrônica de potência, dispositivos de alta frequência e outros campos.

2Q: Apresenta serviços personalizados para substratos de carburo de silício do tipo 4H-P?

R: Sim, a nossa empresa fornece serviço personalizado para o substrato de carburo de silício tipo 4H-P. Os clientes podem escolher substratos com diferentes especificações e parâmetros, como diâmetro, espessura,concentração de doping, etc., de acordo com as suas necessidades específicas para satisfazer os requisitos de aplicações específicas.

Tag: #Carburo de Silício, #4H/6H/3C, #Dispositivos Semicondutores.

etiqueta:

Pessoa de Contato: Mr. Wang

Telefone: +8615801942596

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Constante dielétrica: 9.7

Dureza da superfície: HV0.3> 2500

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Substrato 3C-SiC tipo N Categoria de produto para comunicações 5G

Tamanho: 2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 5 × 5,10 × 10

Constante dielétrica: 9.7

Dureza da superfície: HV0.3> 2500

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Características

• Alta dureza e resistência ao desgaste: o carburo de silício possui alta dureza e excelente resistência ao desgaste, o que pode resistir ao desgaste da superfície e prolongar a vida útil.

• Alta resistência: Capaz de suportar cargas elevadas e tensões mecânicas elevadas, adequado para utilização em ambientes de alta carga e de alta tensão.

• Alta estabilidade térmica: o carburo de silício possui excelente estabilidade térmica, pequeno coeficiente de expansão térmica, elevada condutividade térmica,Pode suportar tensões e choques térmicos a altas temperaturas, e a temperatura de trabalho máxima pode atingir mais de 600°C.

• Larga distância entre bandas: A ampla distância entre bandas do SiC permite que ele funcione bem em ambientes de alta temperatura e alta tensão, tornando-o adequado para aplicações de alta potência e alta temperatura.

• Alta mobilidade dos elétrons: A alta mobilidade dos elétrons permite que o dispositivo opere a altas velocidades e a altas frequências.

• Alta taxa de saturação de elétrons: a taxa de saturação de elétrons do carburo de silício é duas vezes superior à do silício,que permitem aos dispositivos de carburo de silício atingir frequências de funcionamento e densidades de potência mais elevadas.

• Alta resistência do campo elétrico de ruptura: Capaz de suportar a operação de alta tensão, reduzindo tamanho e peso.

• Estabilidade química: extremamente resistente à maioria dos ácidos, álcalis e agentes oxidantes e mantém o desempenho em ambientes químicos adversos.

Parâmetros técnicos

Aplicações

• Eletrónica de potência: utilizada para conceber fontes de alimentação de comutação de alta eficiência e alta densidade de potência, adequadas para veículos eléctricos, inversores solares e outros campos,melhorar a eficiência da conversão de energia e reduzir os custos do sistema.

• Comunicação sem fios: utilizadas para a concepção de amplificadores de potência de RF de alta frequência e alta velocidade, adequados para comunicações 5G, satélites, radar e outros campos.

• Iluminação LED: Utilizada para conceber controladores LED de alta eficiência e de alto brilho, adequados para iluminação interior e exterior e outros campos.

• Automóveis: pode ser utilizado para tornar os sistemas de accionamento de veículos eléctricos e os sistemas de gestão de baterias mais eficientes e fiáveis.

• Aeroespacial: os chips de carburo de silício podem suportar ambientes adversos, como altas temperaturas e radiação, para garantir o funcionamento estável do sistema.

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Perguntas frequentes

1.P: O que é um substrato de carburo de silício tipo 4H-P?

2Q: Apresenta serviços personalizados para substratos de carburo de silício do tipo 4H-P?

Tag: #Carburo de Silício, #4H/6H/3C, #Dispositivos Semicondutores.

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