Substrato SiC Tipo 4H-N Wafer de 10x10mm para Eletrônica de Potência

O wafer pequeno de 10*10 mm de SiC tipo 4H-N é um substrato semicondutor de alto desempenho baseado em carboneto de silício (SiC), um material semicondutor de terceira geração. Fabricado via Transporte de Vapor Físico (PVT) ou Deposição Química de Vapor a Alta Temperatura (HTCVD), está disponível em politipos 4H-SiC ou 6H-SiC e configurações de dopagem tipo N ou tipo P. Com tolerâncias dimensionais dentro de ±0,05 mm e rugosidade superficial Ra < 0,5 nm, cada wafer está pronto para epitaxia e passa por inspeção rigorosa, incluindo validação de cristalinidade XRD e análise de defeitos por microscopia óptica.

• Alta Condutividade Térmica: 490 W/m·K, três vezes maior que o silício, permitindo a dissipação eficiente de calor.
• Resistência Dielétrica: 2,4 MV/cm, suportando operação de alta tensão e alta frequência.
• Estabilidade em Alta Temperatura: Operacional até 600°C com baixa expansão térmica (4,0*10⁻⁶/K).
• Durabilidade Mecânica: Dureza Vickers 28–32 GPa, resistência à flexão >400 MPa.
• Suporte de Personalização: Orientação, espessura, dopagem e geometria ajustáveis.

• Inversores de potência para veículos elétricos (ganho de eficiência de 3–5%)
• Amplificadores de potência RF 5G (bandas de 24–39 GHz)
• Conversores HVDC de rede inteligente e acionamentos de motores industriais
• Sensores aeroespaciais e sistemas de energia por satélite
• LEDs UV e diodos laser

1. Substrato 4H-N SiC, 5*5 mm, 350 μm (Grau Prime/Dummy)
2. Wafers de SiC com formato personalizado com metalização traseira

P: Quais são as aplicações típicas de wafers de SiC de 10*10 mm?

R: Ideal para prototipagem de dispositivos de potência (MOSFETs/diodos), componentes de RF e optoeletrônica de alta temperatura.

P: Como o SiC se compara ao silício?

R: O SiC oferece 10* maior tensão de ruptura, 3* melhor condutividade térmica e desempenho superior em alta temperatura.

1. Cadeia de produção completa, desde o corte até a limpeza e embalagem final.
2. Capacidade de recuperar wafers com diâmetros de 4 a 12 polegadas.
3. 20 anos de experiência em wafering e recuperação de materiais eletrônicos monocristalinos

A ZMSH Technology pode fornecer aos clientes substratos de SiC condutivos, semi-isolantes de 2 a 6 polegadas e HPSI (Semi-isolante de Alta Pureza) de alta qualidade, importados e domésticos, em lotes; Além disso, pode fornecer aos clientes folhas epitaxiais de carboneto de silício homogêneas e heterogêneas, e também pode ser personalizado de acordo com as necessidades específicas dos clientes, sem quantidade mínima de pedido.

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