Detalhes do produto
Lugar de origem: China
Marca: zmsh
Número do modelo: Carbono de silício
Termos de pagamento e envio
Tempo de entrega: 2-4 semanas
Termos de pagamento: T/T
Materiais: |
Carbono de silício |
Tamanho: |
Personalizado |
Espessura: |
personalizado |
Tipo: |
4H,6H,3C |
Aplicação: |
Veículos elétricos de comunicação 5G |
Materiais: |
Carbono de silício |
Tamanho: |
Personalizado |
Espessura: |
personalizado |
Tipo: |
4H,6H,3C |
Aplicação: |
Veículos elétricos de comunicação 5G |
2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de carburo de silício 4H 6H 3C Tipo de suporte Personalizar Indústria de semicondutores Tamanhos múltiplos
Descrição do produto
O substrato de carburo de silício é um material monocristalino semicondutor composto de carbono e silício, que possui as características de grande intervalo de banda, alta condutividade térmica,Força do campo de ruptura crítica elevada, e alta taxa de deriva da saturação de elétrons.
Pode efetivamente romper os limites físicos dos dispositivos semicondutores tradicionais à base de silício e dos seus materiais,e desenvolver uma nova geração de dispositivos semicondutores que são mais adequados para alta pressão, alta temperatura, alta potência, alta frequência e outras condições.
A tecnologia tem potencial para ser amplamente utilizada em domínios de "nova infra-estrutura", como a construção de estações de base 5G, UHV, ferrovias interurbanas de alta velocidade e transporte ferroviário urbano,Veículos de energia nova e pilas de carregamento, e grandes centros de dados.
Tipos de SiC
O substrato de SiC é dividido principalmente em três estruturas cristalinas: 4H-SiC, 6H-SiC e 3C-SiC, e os cenários de aplicação correspondentes são diferentes.
O substrato 4H-SiC é preferido pela sua estrutura cristalina altamente simétrica e baixa densidade de defeito, o que o torna ideal para a fabricação de alta potência,Dispositivos eletrónicos de alta temperatura e alta frequênciaNos campos da electrónica de potência, comunicações de RF, optoelectrónica e iluminação de estado sólido, os substratos 4H-SiC são utilizados para fabricar conversores de potência de alta eficiência,amplificadores de RF de alto desempenho, e LEDs de alta luminosidade.
O substrato 6H-SiC apresenta uma melhor condutividade térmica devido à sua grande distância entre as camadas,que o torna particularmente adequado para dispositivos eletrónicos que operam em ambientes de alta temperatura e alta pressãoNa tecnologia aeroespacial e militar, os substratos 6H-SiC são utilizados para fabricar dispositivos eletrônicos de alta potência capazes de operar em condições extremas.
O 3C-SiC é um tipo de semicondutor composto de lacuna de banda larga com excelentes propriedades, como alta resistência ao campo de degradação, alta taxa de deriva de elétrons saturados e alta condutividade térmica.Tem aplicações importantes nos domínios dos veículos de novas energias3C-SiC tem maior mobilidade de portador, menor densidade de estado de defeito da interface e maior afinidade de elétrons.Usar 3C-SiC para fabricar FET pode resolver o problema da baixa confiabilidade do dispositivo causada por muitos defeitos da interface gate-oxigênio.
Parâmetros técnicos
| Imóveis | 4H-SiC, cristal único | 6H-SiC, cristal único | 3C-SiC, Cristal único |
| Parâmetros da malha | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3,073 Å c=15,117 Å | a=4,349 Å |
| Sequência de empilhamento | ABCB | ABCACB | ABC |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidade | 30,21 g/cm3 | 30,21 g/cm3 | 20,36 g/cm3 |
| Coeficiente de expansão térmica | 5 × 10 × 6/K | 5 × 10 × 6/K | 3.8×10-6/K |
| Índice de refração @750nm |
não = 2.61 ne = 2.66 |
não = 2.60 ne = 2.65 |
n=2.615 |
| Constante dielétrica | c~9.66 | c~9.66 | c~9.66 |
| Conductividade térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm) |
a~ 4,2 W/cm·K@298K c~3,7 W/cm·K@298K |
3 a 5 W/cm·K@298K | |
| Condutividade térmica (semisulante) |
a~4,9 W/cm·K@298K c~3,9 W/cm·K@298K |
a~4,6 W/cm·K@298K c~3,2 W/cm·K@298K |
|
| Fenda de banda | 3.23 eV | 30,02 eV | 2.36 eV |
| Campo elétrico de ruptura | 3 a 5 × 106 V/cm | 3 a 5 × 106 V/cm | 2-5×106V/cm |
| Velocidade da deriva de saturação | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s | 2.7×107m/s |
Aplicação
1Campo semicondutor: utilizado na fabricação de dispositivos de potência, tais como transistores, diodos, etc.
2Material resistente a altas temperaturas: com um elevado ponto de fusão e boa estabilidade a altas temperaturas, pode ser utilizado para fabricar peças a altas temperaturas.
3Material refratário: pode melhorar a resistência ao fogo.
4Cerâmica: Melhorar a resistência, dureza e resistência ao desgaste da cerâmica.
5Campo aeroespacial: tem aplicações em componentes de alta temperatura.
6Campo energético: pode ser utilizado para células solares e turbinas eólicas.
Produção relacionada
Perguntas frequentes:
1.Q: Você suporta a personalização?
R: Sim, podemos personalizar a wafer SiC de acordo com seus requisitos, incluindo material, especificações, tamanho e outros parâmetros.
