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Wafer SICOI de 4 polegadas, 6 polegadas e 8 polegadas, 4H-SiC sobre o isolante, filme de 100 a 150 mm de silicone

Name: Wafer SICOI de 4 polegadas, 6 polegadas e 8 polegadas, 4H-SiC sobre o isolante, filme de 100 a 150 mm de silicone
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: SICOI Wafers
Price: 315.00 USD
Availability: InStock

Nome da marca:	ZMSH
Número do modelo:	SICOI Wafers
MOQ:	25
Preço:	by case
Tempo de entrega:	2-4weeks
Condições de pagamento:	T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Place of Origin:

CHINA

Certificação:

rohs

Tamanho:

4inch/6inch/8inch

Rugosidade superficial:

Ra <0,5nm

Resistência à fratura:

3,5 MPa · m ho/²

CTE (4H-SIC):

4,2 × 10⁻⁶/k

Resistividade (SI):

> 1 × 10⁶ Ω · cm

Aplicativos:

Eletrônicos de alta potência, dispositivos de RF

Packaging Details:

package in 100-grade cleaning room

Destacar:

Pastilha de 4H-SiC em isolante

Pastilha SICOI de 100-150mm

Filme de SiC SOBRE substrato de silício

Descrição do produto

SICOI Wafers Visão geral

Wafer SICOI de 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas, 4H-SiC em isolador com filme de 100 a 150 mm de silicone

SICOI (Silicon Carbide on Insulator) wafers represent a high-performance semiconductor substrate material that combines the exceptional physical properties of silicon carbide (SiC) with the electrical isolation advantages of an insulating layer (such as SiO₂ or Si₃N₄)A estrutura do SICOI consiste tipicamente de uma camada de cristal único de SiC, uma camada isolante e um substrato de suporte (por exemplo, Si ou SiC).Esta configuração encontra aplicações extensas em alta potência, dispositivos eletrónicos de alta frequência e de alta temperatura, bem como nos campos de sensores de RF (Radio Frequency) e MEMS.

Wafer SICOI de 4 polegadas, 6 polegadas e 8 polegadas, 4H-SiC sobre o isolante, filme de 100 a 150 mm de silicone

Em comparação com as placas convencionais de SiC, as placas SICOI reduzem significativamente a capacitância parasitária e a corrente de vazamento através da incorporação de uma camada isolante,Melhorando assim a frequência de funcionamento e a eficiência energética dos dispositivosEsta tecnologia é particularmente adequada para aplicações que exigem resistência à alta tensão, baixas perdas e desempenho térmico superior, tais como veículos elétricos, comunicações 5G,e electrónica aeroespacial.

Wafer SICOI de 4 polegadas, 6 polegadas e 8 polegadas, 4H-SiC sobre o isolante, filme de 100 a 150 mm de silicone

Características essenciais das wafers SICOI

Categoria de características

Parâmetros específicos/desempenho

Vantagens técnicas

Estrutura do material

Capa de cristal único de SiC (4H/6H-SiC) + camada isolante (SiO2/Si3N4) + substrato de suporte (Si/SiC)

Permite isolamento elétrico e reduz os efeitos parasitários

Performance elétrica

Força de campo de ruptura elevada (> 3 MV/cm), baixa perda dielétrica

Ideal para dispositivos de alta frequência e alta tensão

Desempenho térmico

Alta condutividade térmica (4,9 W/cm·K), resistência a altas temperaturas (> 500°C)

Excelente capacidade de dissipação de calor, adequada para ambientes de alta temperatura

Performance mecânica

Alta dureza (dureza de Mohs 9,5), baixo coeficiente de expansão térmica

Resiste ao esforço mecânico e aumenta a fiabilidade do dispositivo

Qualidade da superfície

Superfície atomicamente plana (Ra < 0,2 nm)

Otimiza a qualidade do crescimento epitaxial e minimiza os defeitos

Desempenho do isolamento

Alta resistência ao isolamento (> 1014 Ω·cm), baixa corrente de fuga

Adequado para dispositivos de RF e de potência que necessitem de um elevado isolamento

Tamanho e Personalização

Suporta wafers de 4/6/8 polegadas com espessura personalizável (camada SiC: 1-100 μm, camada isolante: 0,1-10 μm)

Cumprir diversos requisitos de aplicação

Wafers SICOI Aplicações primárias

Área de aplicação	Cenários Específicos	Principais vantagens
Eletrônicos de alta potência	Inversores de veículos elétricos, estações de carregamento rápido, módulos de energia industrial	A resistência à alta tensão e a baixa perda melhoram a eficiência energética
Dispositivos de RF	Amplificadores de potência da estação base 5G (PA), front-ends de RF de ondas milimétricas	A baixa capacidade parasitária permite uma operação de alta frequência com perda mínima
Sensores MEMS	Sensores de pressão de alta temperatura, dispositivos de navegação inercial	Resiste a altas temperaturas e radiações, adequado para ambientes adversos
Aeronáutica	Sistemas de propulsão de aeronaves, equipamento de comunicação por satélite	Alta fiabilidade e resistência a temperaturas extremas
Grelha inteligente	Transmissão de corrente contínua de alta tensão (HVDC), disjuntores de estado sólido	Propriedades de isolamento elevadas reduzem a perda de energia
Optoeletrónica	LEDs UV, substratos de diodos laser	A correspondência de grelhas elevadas melhora o desempenho do dispositivo

Wafer SICOI de 4 polegadas, 6 polegadas e 8 polegadas, 4H-SiC sobre o isolante, filme de 100 a 150 mm de silicone

O processo de preparação do 4H-SiCOI

O processo de fabrico de 4H-SiCOI e os microresonadores com características destacadas.

Um processo de fabrico de uma plataforma de material 4H-SiCOI inalterada.
b Fotografia de um substrato 4H-SiCOI de 4 polegadas em escala de wafer fabricado utilizando o método de ligação e de diluir, com a região de falha marcada.
c Variação da espessura total do substrato 4H-SiCOI.
d Imagem de uma matriz de 4H-SiCOI.
Diagrama de fluxo da fabricação de um ressonador de microdiscos SiC.
f Micrografia eletrónica de varredura (SEM) do ressonador de microdiscos fabricado.
g Imagem SEM zoom-in da parede lateral do ressonador.
h Imagem SEM de visão lateral do ressonador fabricado com superfície superior parabólica.

Wafer SICOI de 4 polegadas, 6 polegadas e 8 polegadas, 4H-SiC sobre o isolante, filme de 100 a 150 mm de silicone

Wafers SICOIPerguntas e Respostas

1P: O que é a bolacha SICOI?
A: SICOI (Silicon Carbide on Insulator) wafer is an advanced semiconductor substrate combining SiC's high-performance properties with an insulating layer for enhanced electrical isolation in power and RF devices.

2Q: Quais são as vantagens dos wafers SICOI?
R: As placas SICOI oferecem menor capacidade parasitária, maior tensão de quebra e melhor gerenciamento térmico em comparação com as placas SiC padrão, ideais para aplicações 5G e EV.

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Wafer SICOI de 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas, 4H-SiC em isolador com filme de 100 a 150 mm de silicone

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