A tua busca. [ GaN on Silicon ] correspondência
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categoria da produção da bolacha de 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate para dispositivos da radiofrequência
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Substrato de carburo de silício SiC de 6 polegadas 4H-N Dia 150mm Espessura 350um 500um N Tipo Prime Grade Dummy Grade
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Wafer de sementes de SiC de espessura de 8 polegadas 600±50um Tipo de produção 4H para crescimento de cristais de carburo de silício
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Lente ótica sic de cristal transparente Undoped de carboneto de silicone com dureza 9,2
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