| Nome da marca: | ZMSH |
| Número do modelo: | Substratos de safira SSP plano C de 4 polegadas |
| MOQ: | 25 |
| Preço: | Fluctuates with market |
| Tempo de entrega: | 4-9 semanas |
| Condições de pagamento: | T/T |
Informações sobre Substratos de Safira
Substratos de safira SSP C-plane de 4 polegadas são wafers de alumina monocristalina (Al₂O₃) com orientação cristalina (0001), produzidos principalmente através dos métodos de crescimento de cristal Kyropoulos (KY), HEM ou EFG. SSP significa Single Side Polished: a superfície frontal pronta para epitaxia passa por polimento de ultra-precisão para atingir rugosidade superficial ultrabaixa, enquanto o lado traseiro permanece finamente retificado.
Principais Características
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Wafer de Carboneto de Silício Tipo 4H-N de 2 a 12 Polegadas | Aplicação de Substrato de SiC![]()
Wafer de Safira 2" Dia 50,8mm±0,1mm Espessura 350um C-plane
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