Detalhes do produto
Lugar de origem: porcelana
Marca: ZMSH
Certificação: rohs
Número do modelo: Substrato de safira padronizado (PSS)
Termos de pagamento e envio
Quantidade de ordem mínima: 25
Preço: by case
Detalhes da embalagem: único pacote da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias
Tempo de entrega: 2-4weeks
Termos de pagamento: T/T
Artigo:: |
Substrato de safira padronizado |
Tamanho:: |
2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas |
Revestimento da superfície frontal:: |
estampado |
Finalização da superfície traseira:: |
SSP: finamente moído, Ra=0,8-1,2um; DSP: polido por epi, Ra<0,3nm |
Marca de laser:: |
Verso |
Exclusão de borda:: |
≤ 2 mm |
Personalização:: |
Sapphire PSS de várias orientações; substrato de safira com padrão nanométrico ((NPSS) |
Aplicação:: |
Diodos emissores de luz (LED) |
Artigo:: |
Substrato de safira padronizado |
Tamanho:: |
2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas |
Revestimento da superfície frontal:: |
estampado |
Finalização da superfície traseira:: |
SSP: finamente moído, Ra=0,8-1,2um; DSP: polido por epi, Ra<0,3nm |
Marca de laser:: |
Verso |
Exclusão de borda:: |
≤ 2 mm |
Personalização:: |
Sapphire PSS de várias orientações; substrato de safira com padrão nanométrico ((NPSS) |
Aplicação:: |
Diodos emissores de luz (LED) |
O substrato de safira padronizado (PSS) é um substrato de safira em miniatura.quais são as fontes de luz alternativas mais promissoras para a iluminação geralCom o avanço da tecnologia do substrato de safira-padrão, a eficiência dos LEDs à base de nitreto de gálio de alta luminosidade atingiu um recorde de 150 lm/W. The efficiency improvement of gallium nitride based leds using patterned sapphire substrate technology is usually attributed to the improvement of light extraction efficiency and internal quantum efficiencyO padrão regular produzido no substrato de safira compensa o efeito da reflexão interna total na interface nitruro de gálio/safir.a eficiência quântica interna é melhorada devido ao possível crescimento lateral do desfil GaN no substrato de safira baseado em padrão, o que reduz a luxação do fio.
Em resumo, as camadas epitaxiais de GaN cultivadas no PSS produzem defeitos transversais epitaxiais e menos defeitos de lacuna entre o GaN e o substrato de safira.Os parâmetros de rede de PSS são mais adequados ao GaN, e o crescimento epitaxial de GaN no PSS resulta em menor densidade de deslocamento e desajuste do índice de refração, melhorando assim a qualidade epitaxial.
O substrato de safira padronizado (PSS) é um processo de fazer um padrão de micrômetro específico, como Domo, Cone ou Pirâmide, no substrato de safira.Padrões irregulares em substratos de safira podem gerar dispersão ou refração da luz, melhorando assim a eficiência luminosa.
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Estrutura cristalina |
Hexagonal |
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Constante de grelha |
a=4,76Å c=12,99Å |
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Densidade ((g/cm)3) |
3.98 |
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Ponto de fusão ((°C) |
2040 |
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A dureza de Mohs. |
9 |
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Constante dielétrica |
9.3 (um plano) 11.5 (um plano C) |
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Conductividade térmica ((W/cm.K) |
0.46 |
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Expansão térmica |
6.7*10-6/k ((C plano) 5,0*10-6- Um avião. |
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Índice de refração |
1.762-1.777 |
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Transmissão |
Amostra de ensaio:Safir:D76.2*4mm |
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UV:200~380nm 74%~84% |
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Luz visível: 380~760nm 85% |
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Infravermelho: 760~1000 nm 85% |
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Infravermelho distante:> 1000 nm 80%~100% |
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Ponto |
Substrato de safira padronizado |
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Diâmetro |
50.8 ± 0,1 mm |
100.0 ± 0,2 mm |
150.0 ± 0,3 mm |
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Espessura |
430 ± 25 μm |
650 ± 25 μm |
1000 ± 25 μm |
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Orientação da superfície |
C-plano (0001) fora de ângulo em direcção ao eixo M (10-10) 0,2 ± 0,1° |
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Plano C (0001) fora de ângulo em direcção ao eixo A (11-20) 0 ± 0,1° |
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Orientação plana primária |
A-Plano (11-20) ± 1,0° |
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Duração plana primária |
16.0 ± 1,0 mm |
30.0 ± 1,0 mm |
47.5 ± 2,0 mm |
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R-Plane |
Às nove horas. |
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Finalização da superfície frontal |
Modelado |
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Finalização da superfície traseira |
SSP: finamente moído, Ra=0,8-1,2um; DSP: polido por epi, Ra<0,3nm |
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Marcação a laser |
Do lado de trás |
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TTV |
≤ 8 μm |
≤ 10 μm |
≤ 20 μm |
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Arco-íris |
≤ 10 μm |
≤ 15 μm |
≤ 25 μm |
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WARP |
≤ 12 μm |
≤ 20 μm |
≤ 30 μm |
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Exclusão de borda |
≤ 2 mm |
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Especificação do modelo |
Estrutura de forma |
Cúpula, Cone, Pirâmide |
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Altura do modelo |
10,6 a 1,8 μm |
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Diâmetro do modelo |
20,75 a 2,85 μm |
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Espaço de padrões |
00,1-0,3 μm |
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Especificações de personalização:
* Substrato de safira com padrão nanométrico (NPSS).
* Sapphire PSS de várias orientações.
1. Melhoria da eficiência de extracção de luz LED: PSS melhora a eficiência de extracção de luz LED, reduzindo a reflexão interna e aumentando a saída de luz através de padrões de superfície.
2Melhoria da qualidade dos cristais: as superfícies padronizadas ajudam a reduzir os defeitos no crescimento epitaxial e a melhorar a qualidade dos cristais.
3. Desempenho de dissipação de calor melhorado: A estrutura padronizada aumenta a área de dissipação de calor e ajuda a reduzir a temperatura de funcionamento do LED.
4Menores custos: uma maior eficiência luminosa e um maior rendimento reduzem o desperdício de materiais e reduzem os custos de produção.
1Q: Qual é a diferença entre substratos de safiros planos e substratos de PSS?
R: PSS: Tem uma superfície padronizada que melhora a extração de luz e melhora a qualidade do crescimento do cristal.
Substratos de safira plana: têm uma superfície lisa, o que resulta em menor eficiência de extração de luz e maior reflexão interna.
2Q: Quais são os padrões comuns utilizados no PSS?
R: Padrões de pirâmide: Eficiente para extração de luz e crescimento epitaxial.
Padrões de cone: semelhantes às pirâmides, mas com pontas arredondadas.
Micro-lentes: Otimizadas para maximizar a saída de luz.
Padrões hexagonais: proporcionam distribuição uniforme da luz e melhor crescimento do cristal.
3. P: Por que é o safiro usado como um substrato para PSS?
A: Alta transparência: Ideal para aplicações emissoras de luz.
Estabilidade química: Resistente a ambientes químicos adversos.
Estabilidade térmica: pode suportar altas temperaturas durante a fabricação de LED.
Custo-Eficácia: Relativamente acessível em comparação com outros substratos como o carburo de silício (SiC).
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