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Carregador de barco de cerâmica SiC personalizado para manuseio de wafer

Detalhes do produto

Lugar de origem: China

Marca: zmsh

Certificação: rohs

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Destacar:

Carregador de embarcações de cerâmica para manuseio de wafers

,

Porta-barcos de cerâmica personalizada

,

Porta-barcos de cerâmica SiC

material:
cerâmica sic
Tamanho:
50 mm x 30 mm disponíveis sob medida
material:
cerâmica sic
Tamanho:
50 mm x 30 mm disponíveis sob medida
Carregador de barco de cerâmica SiC personalizado para manuseio de wafer

Suporte de Barco de Cerâmica SiC Personalizado para Manuseio de Wafer

 
O Suporte de Barco de Cerâmica de Carbeto de Silício (SiC) Personalizado é uma solução de alto desempenho para manuseio de wafers, projetada para os processos de fabricação de semicondutores, fotovoltaicos e LED. Projetado para alta estabilidade térmica, resistência química e contaminação ultrabaixa, este suporte garante o transporte seguro e eficiente de wafers em ambientes exigentes, como CVD, fornos de difusão e câmaras de oxidação.
 

 

Carregador de barco de cerâmica SiC personalizado para manuseio de wafer 0Carregador de barco de cerâmica SiC personalizado para manuseio de wafer 1
 
 


 

Principais Vantagens do Barco de Cerâmica SiC

 

 
Alta Estabilidade Térmica – Suporta temperaturas de até 1.600°C sem deformação.
Inércia Química – Resiste a ácidos, álcalis e erosão por plasma, garantindo durabilidade a longo prazo.
Baixa Geração de Partículas – Minimiza a contaminação em fabricação de ponta EUV e avançada.
Design Personalizável – Adaptado para tamanho de wafer, espaçamento de ranhuras e requisitos de manuseio
Ideal para fábricas de semicondutores, produção de MEMS e processamento de semicondutores compostos
 
 

 

Carregador de barco de cerâmica SiC personalizado para manuseio de wafer 2Carregador de barco de cerâmica SiC personalizado para manuseio de wafer 3
 
 


 

Especificação

 

 

Conteúdo de Carbeto de Silício-%>99.5
Tamanho Médio do Grão-micron4-10
Densidade Aparente-kg/dm^3>3.14
Porosidade Aparente-Vol %<0.5
Dureza VickersHV0.5Kg/mm^22800
Módulo de Ruptura (3 pontos)20°CMPa450
Resistência à Compressão20°CMPa3900
Módulo de Elasticidade20°CGPa420
Tenacidade à Fratura-MPa/m^1/23.5
Condutividade Térmica20°CW(m*K)160
Resistividade Elétrica20°COhm.cm10^6-10^8
Coeficiente de Expansão Térmicaa
(RT"800°C)
K^-1*10^-64.3
Temperatura Máx. de AplicaçãoAtmosfera de Óxido°C1600
Temperatura Máx. de AplicaçãoAtmosfera Inerte°C1950
 

 


 

 

Aplicações do Barco de Cerâmica SiC

 

 
1. Fabricação de Semicondutores
✔ Fornos de Difusão e Recozimento
- Alta Estabilidade Térmica – Suporta 1.600°C (oxidante) / 1.950°C (inerte) sem deformação.
- Baixa Expansão Térmica (4.3×10⁻⁶/K) – Evita empenamento do wafer em processamento térmico rápido (RTP).

✔ CVD e Epitaxia (Crescimento de SiC/GaN)
- Resistência à Corrosão por Gás – Inerte a SiH₄, NH₃, HCl e outros precursores agressivos.
- Superfície Livre de Partículas – Polida (Ra <0.2µm) para deposição epitaxial sem defeitos.

✔ Implantação Iônica
- Endurecido por Radiação – Sem degradação sob bombardeio iônico de alta energia.

 
 
2. Eletrônica de Potência (Dispositivos SiC/GaN)
✔ Processamento de Wafer SiC
- Compatibilidade CTE (4.3×10⁻⁶/K) – Minimiza o estresse em crescimento epitaxial a 1.500°C+.
- Alta Condutividade Térmica (160 W/m·K) – Garante aquecimento uniforme do wafer.

✔ Dispositivos GaN-on-SiC
- Não Contaminante – Sem liberação de íons metálicos vs. barcos de grafite.

 
 
3. Produção Fotovoltaica (Célula Solar)
✔ Células Solares PERC e TOPCon
- Resistência à Difusão de POCl₃ – Resiste a ambientes de dopagem de fósforo.
- Longa Vida Útil – 5-10 anos vs. 1-2 anos para barcos de quartzo.

✔ Solar de Filme Fino (CIGS/CdTe)
- Resistência à Corrosão – Estável em processos de deposição de H₂Se, CdS.

 
 
4. LED e Optoeletrônica
✔ Epitaxia Mini/Micro-LED
- Design de Ranhura de Precisão – Suporta wafers frágeis de 2"–6" sem lascar as bordas.
- Compatível com Sala Limpa – Atende aos padrões de partículas SEMI F57.

 
 
5. Pesquisa e Aplicações Especiais
✔ Síntese de Materiais de Alta Temperatura
- Auxiliares de Sinterização (por exemplo, B₄C, AlN) – Quimicamente inertes em ambientes a 2.000°C+.
- Crescimento de Cristal (por exemplo, Al₂O₃, ZnSe) – Não reativo com materiais fundidos.

 


 

FAQ

 
P1:Quais tamanhos de wafer são suportados?
Padrão: 150mm (6"), 200mm (8"), 300mm (12"). Personalização disponível mediante solicitação.
 
P2: Qual é o prazo de entrega para designs personalizados?
- Modelos padrão: 4–6 semanas.
- Totalmente personalizado: 8–12 semanas (dependendo da complexidade).