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Carregador de embarcações de cerâmica para manuseio de wafers
, Porta-barcos de cerâmica personalizada
, Porta-barcos de cerâmica SiC
Carregador de barco de cerâmica SiC personalizado para manuseio de wafer
Carregador de barco de cerâmica SiC personalizado para manuseio de wafer
O Customized Silicon Carbide (SiC) Ceramic Boat Carrier é uma solução de manuseio de wafer de alto desempenho projetada para processos de fabricação de semicondutores, fotovoltaicos e LED.Projetado para estabilidade em altas temperaturas, resistência química e ultra-baixa contaminação, este portador garante transporte seguro e eficiente de wafer em ambientes exigentes, como CVD, fornos de difusão e câmaras de oxidação.
Principais vantagens do barco de cerâmica SiC
Alta estabilidade térmica Resiste a temperaturas de até 1.600°C sem deformação.
Inertitude química Resiste à erosão de ácidos, álcalis e plasma, garantindo durabilidade a longo prazo.
Geração de partículas baixas ️ Minimiza a contaminação no EUV e na fabricação avançada de nós.
Desenho personalizável adaptado ao tamanho da wafer, passo do slot e requisitos de manuseio
Ideal para fábricas de semicondutores, produção de MEMS e processamento de semicondutores compostos
Especificações
| Teor de carboneto de silício |
- |
% |
> 99.5 |
| Tamanho médio do grão |
- |
micrômetro |
4 a 10 |
| Densidade em massa |
- |
kg/dm^3 |
> 3.14 |
| Porosidade aparente |
- |
Vol % |
< 0.5 |
| Dureza de Vickers |
HV0.5 |
Kg/mm^2 |
2800 |
| Modulo de ruptura (3 pontos) |
20°C |
MPa |
450 |
| Resistência à compressão |
20°C |
MPa |
3900 |
| Modulo de Elasticidade |
20°C |
GPa |
420 |
| Duração da fractura |
- |
MPa/m^1/2 |
3.5 |
| Conductividade térmica |
20°C |
O que é isso? |
160 |
| Resistividade elétrica |
20°C |
Ohm.cm |
10^6-10^8 |
| Coeficiente de expansão térmica |
a)
(RT"800°C) |
K^-1*10^-6 |
4.3 |
| Max. Temperatura de aplicação |
Atmosfera de óxido |
°C |
1600 |
| Max. Temperatura de aplicação |
Atmosfera inerte |
°C |
1950
|
Aplicações do Barco Cerâmico de SiC
1Fabricação de semicondutores
✔ Fornos de difusão e recozimento
- Estabilidade a altas temperaturas Resiste a 1.600°C (oxidante) / 1.950°C (inerte) sem deformação.
- Baixa expansão térmica (4.3×10−6/K)
✔ Doenças cardiovasculares e epitaxia (crescimento de SiC/GaN)
- Resistência à corrosão do gás Inerte ao SiH4, NH3, HCl e outros precursores agressivos.
- Superfície livre de partículas (Ra < 0,2 μm) polida para deposição epitaxial livre de defeitos.
✔ Implantação de íons
- Irradiação- endurecido Não degradação sob bombardeio de iões de alta energia.
2. Eletrónica de potência (dispositivos SiC/GaN)
✔ Processamento de Wafer de SiC
- CTE Matching (4.3×10−6/K) Minimiza o estresse em crescimento epitaxial de 1.500°C+.
- Alta condutividade térmica (160 W/m·K)
✔ Dispositivos GaN-on-SiC
- Não contaminantes ∙ Sem libertação de íons metálicos versus barcos de grafite.
3Produção de células solares fotovoltaicas
✔ Células solares PERC e TOPCon
- Resistência à difusão do POCl3 Resiste a ambientes de dopagem por fósforo.
- Longo Período de Vida ¥ 5-10 anos contra 1-2 anos para barcos de quartzo.
✔ Solar de película fina (CIGS/CdTe)
- Resistência à corrosão: estável em processos de deposição de H2Se e CdS.
4. LED & Optoelectronics
✔ Epitaxia mini/micro-LED
- Desenho de ranhura de precisão ️ Segura wafers frágeis de 2′′ a 6′′ sem as bordas serem quebradas.
- Compatível com a sala limpa. Cumprindo as normas de partículas SEMI F57.
5Investigação e aplicações especializadas
✔ Síntese de material de alta velocidade
- Auxílios de sinterização (por exemplo, B4C, AlN) ¢ Químicamente inertes em ambientes a mais de 2000 °C.
- Crescimento cristalino (por exemplo, Al2O3, ZnSe)
Perguntas frequentes
Q1:Que tamanhos de wafer são suportados?
Padrão: 150mm (6"), 200mm (8"), 300mm (12").
Q2: Qual é o tempo de chegada para desenhos personalizados?
- Modelos padrão: 4-6 semanas.
- Totalmente personalizado: 8 a 12 semanas (dependendo da complexidade).
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