logo
Casa Produtoscarcaça cerâmica

Carregador de barco de cerâmica SiC personalizado para manuseio de wafer

Estou Chat Online Agora

Carregador de barco de cerâmica SiC personalizado para manuseio de wafer

Customized SiC Ceramic Boat Carrier For Wafer Handling
Customized SiC Ceramic Boat Carrier For Wafer Handling Customized SiC Ceramic Boat Carrier For Wafer Handling Customized SiC Ceramic Boat Carrier For Wafer Handling Customized SiC Ceramic Boat Carrier For Wafer Handling

Imagem Grande :  Carregador de barco de cerâmica SiC personalizado para manuseio de wafer

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: zmsh
Certificação: rohs
Descrição de produto detalhada
material: cerâmica sic Tamanho: 50 mm x 30 mm disponíveis sob medida
Destacar:

Carregador de embarcações de cerâmica para manuseio de wafers

,

Porta-barcos de cerâmica personalizada

,

Porta-barcos de cerâmica SiC

Suporte de Barco de Cerâmica SiC Personalizado para Manuseio de Wafer

 
O Suporte de Barco de Cerâmica de Carbeto de Silício (SiC) Personalizado é uma solução de alto desempenho para manuseio de wafers, projetada para os processos de fabricação de semicondutores, fotovoltaicos e LED. Projetado para alta estabilidade térmica, resistência química e contaminação ultrabaixa, este suporte garante o transporte seguro e eficiente de wafers em ambientes exigentes, como CVD, fornos de difusão e câmaras de oxidação.
 

 

Carregador de barco de cerâmica SiC personalizado para manuseio de wafer 0Carregador de barco de cerâmica SiC personalizado para manuseio de wafer 1
 
 


 

Principais Vantagens do Barco de Cerâmica SiC

 

 
Alta Estabilidade Térmica – Suporta temperaturas de até 1.600°C sem deformação.
Inércia Química – Resiste a ácidos, álcalis e erosão por plasma, garantindo durabilidade a longo prazo.
Baixa Geração de Partículas – Minimiza a contaminação em fabricação de ponta EUV e avançada.
Design Personalizável – Adaptado para tamanho de wafer, espaçamento de ranhuras e requisitos de manuseio
Ideal para fábricas de semicondutores, produção de MEMS e processamento de semicondutores compostos
 
 

 

Carregador de barco de cerâmica SiC personalizado para manuseio de wafer 2Carregador de barco de cerâmica SiC personalizado para manuseio de wafer 3
 
 


 

Especificação

 

 

Conteúdo de Carbeto de Silício-%>99.5
Tamanho Médio do Grão-micron4-10
Densidade Aparente-kg/dm^3>3.14
Porosidade Aparente-Vol %<0.5
Dureza VickersHV0.5Kg/mm^22800
Módulo de Ruptura (3 pontos)20°CMPa450
Resistência à Compressão20°CMPa3900
Módulo de Elasticidade20°CGPa420
Tenacidade à Fratura-MPa/m^1/23.5
Condutividade Térmica20°CW(m*K)160
Resistividade Elétrica20°COhm.cm10^6-10^8
Coeficiente de Expansão Térmicaa
(RT"800°C)
K^-1*10^-64.3
Temperatura Máx. de AplicaçãoAtmosfera de Óxido°C1600
Temperatura Máx. de AplicaçãoAtmosfera Inerte°C1950
 

 


 

 

Aplicações do Barco de Cerâmica SiC

 

 
1. Fabricação de Semicondutores
✔ Fornos de Difusão e Recozimento
- Alta Estabilidade Térmica – Suporta 1.600°C (oxidante) / 1.950°C (inerte) sem deformação.
- Baixa Expansão Térmica (4.3×10⁻⁶/K) – Evita empenamento do wafer em processamento térmico rápido (RTP).

✔ CVD e Epitaxia (Crescimento de SiC/GaN)
- Resistência à Corrosão por Gás – Inerte a SiH₄, NH₃, HCl e outros precursores agressivos.
- Superfície Livre de Partículas – Polida (Ra <0.2µm) para deposição epitaxial sem defeitos.

✔ Implantação Iônica
- Endurecido por Radiação – Sem degradação sob bombardeio iônico de alta energia.

 
 
2. Eletrônica de Potência (Dispositivos SiC/GaN)
✔ Processamento de Wafer SiC
- Compatibilidade CTE (4.3×10⁻⁶/K) – Minimiza o estresse em crescimento epitaxial a 1.500°C+.
- Alta Condutividade Térmica (160 W/m·K) – Garante aquecimento uniforme do wafer.

✔ Dispositivos GaN-on-SiC
- Não Contaminante – Sem liberação de íons metálicos vs. barcos de grafite.

 
 
3. Produção Fotovoltaica (Célula Solar)
✔ Células Solares PERC e TOPCon
- Resistência à Difusão de POCl₃ – Resiste a ambientes de dopagem de fósforo.
- Longa Vida Útil – 5-10 anos vs. 1-2 anos para barcos de quartzo.

✔ Solar de Filme Fino (CIGS/CdTe)
- Resistência à Corrosão – Estável em processos de deposição de H₂Se, CdS.

 
 
4. LED e Optoeletrônica
✔ Epitaxia Mini/Micro-LED
- Design de Ranhura de Precisão – Suporta wafers frágeis de 2"–6" sem lascar as bordas.
- Compatível com Sala Limpa – Atende aos padrões de partículas SEMI F57.

 
 
5. Pesquisa e Aplicações Especiais
✔ Síntese de Materiais de Alta Temperatura
- Auxiliares de Sinterização (por exemplo, B₄C, AlN) – Quimicamente inertes em ambientes a 2.000°C+.
- Crescimento de Cristal (por exemplo, Al₂O₃, ZnSe) – Não reativo com materiais fundidos.

 


 

FAQ

 
P1:Quais tamanhos de wafer são suportados?
Padrão: 150mm (6"), 200mm (8"), 300mm (12"). Personalização disponível mediante solicitação.
 
P2: Qual é o prazo de entrega para designs personalizados?
- Modelos padrão: 4–6 semanas.
- Totalmente personalizado: 8–12 semanas (dependendo da complexidade).

 

Contacto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Pessoa de Contato: Mr. Wang

Telefone: +8615801942596

Envie sua pergunta diretamente para nós (0 / 3000)