Detalhes do produto
Lugar de origem: China
Marca: zmsh
Certificação: rohs
Termos de pagamento e envio
material: |
cerâmica sic |
Tamanho: |
50 mm x 30 mm disponíveis sob medida |
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cerâmica sic |
Tamanho: |
50 mm x 30 mm disponíveis sob medida |
Suporte de Barco de Cerâmica SiC Personalizado para Manuseio de Wafer
O Suporte de Barco de Cerâmica de Carbeto de Silício (SiC) Personalizado é uma solução de alto desempenho para manuseio de wafers, projetada para os processos de fabricação de semicondutores, fotovoltaicos e LED. Projetado para alta estabilidade térmica, resistência química e contaminação ultrabaixa, este suporte garante o transporte seguro e eficiente de wafers em ambientes exigentes, como CVD, fornos de difusão e câmaras de oxidação.
Principais Vantagens do Barco de Cerâmica SiC
Alta Estabilidade Térmica – Suporta temperaturas de até 1.600°C sem deformação.
Inércia Química – Resiste a ácidos, álcalis e erosão por plasma, garantindo durabilidade a longo prazo.
Baixa Geração de Partículas – Minimiza a contaminação em fabricação de ponta EUV e avançada.
Design Personalizável – Adaptado para tamanho de wafer, espaçamento de ranhuras e requisitos de manuseio
Ideal para fábricas de semicondutores, produção de MEMS e processamento de semicondutores compostos
Especificação
Conteúdo de Carbeto de Silício | - | % | >99.5 |
Tamanho Médio do Grão | - | micron | 4-10 |
Densidade Aparente | - | kg/dm^3 | >3.14 |
Porosidade Aparente | - | Vol % | <0.5 |
Dureza Vickers | HV0.5 | Kg/mm^2 | 2800 |
Módulo de Ruptura (3 pontos) | 20°C | MPa | 450 |
Resistência à Compressão | 20°C | MPa | 3900 |
Módulo de Elasticidade | 20°C | GPa | 420 |
Tenacidade à Fratura | - | MPa/m^1/2 | 3.5 |
Condutividade Térmica | 20°C | W(m*K) | 160 |
Resistividade Elétrica | 20°C | Ohm.cm | 10^6-10^8 |
Coeficiente de Expansão Térmica | a (RT"800°C) | K^-1*10^-6 | 4.3 |
Temperatura Máx. de Aplicação | Atmosfera de Óxido | °C | 1600 |
Temperatura Máx. de Aplicação | Atmosfera Inerte | °C | 1950 |
Aplicações do Barco de Cerâmica SiC
1. Fabricação de Semicondutores
✔ Fornos de Difusão e Recozimento
- Alta Estabilidade Térmica – Suporta 1.600°C (oxidante) / 1.950°C (inerte) sem deformação.
- Baixa Expansão Térmica (4.3×10⁻⁶/K) – Evita empenamento do wafer em processamento térmico rápido (RTP).
✔ CVD e Epitaxia (Crescimento de SiC/GaN)
- Resistência à Corrosão por Gás – Inerte a SiH₄, NH₃, HCl e outros precursores agressivos.
- Superfície Livre de Partículas – Polida (Ra <0.2µm) para deposição epitaxial sem defeitos.
✔ Implantação Iônica
- Endurecido por Radiação – Sem degradação sob bombardeio iônico de alta energia.
2. Eletrônica de Potência (Dispositivos SiC/GaN)
✔ Processamento de Wafer SiC
- Compatibilidade CTE (4.3×10⁻⁶/K) – Minimiza o estresse em crescimento epitaxial a 1.500°C+.
- Alta Condutividade Térmica (160 W/m·K) – Garante aquecimento uniforme do wafer.
✔ Dispositivos GaN-on-SiC
- Não Contaminante – Sem liberação de íons metálicos vs. barcos de grafite.
3. Produção Fotovoltaica (Célula Solar)
✔ Células Solares PERC e TOPCon
- Resistência à Difusão de POCl₃ – Resiste a ambientes de dopagem de fósforo.
- Longa Vida Útil – 5-10 anos vs. 1-2 anos para barcos de quartzo.
✔ Solar de Filme Fino (CIGS/CdTe)
- Resistência à Corrosão – Estável em processos de deposição de H₂Se, CdS.
4. LED e Optoeletrônica
✔ Epitaxia Mini/Micro-LED
- Design de Ranhura de Precisão – Suporta wafers frágeis de 2"–6" sem lascar as bordas.
- Compatível com Sala Limpa – Atende aos padrões de partículas SEMI F57.
5. Pesquisa e Aplicações Especiais
✔ Síntese de Materiais de Alta Temperatura
- Auxiliares de Sinterização (por exemplo, B₄C, AlN) – Quimicamente inertes em ambientes a 2.000°C+.
- Crescimento de Cristal (por exemplo, Al₂O₃, ZnSe) – Não reativo com materiais fundidos.
FAQ
P1:Quais tamanhos de wafer são suportados?
Padrão: 150mm (6"), 200mm (8"), 300mm (12"). Personalização disponível mediante solicitação.
P2: Qual é o prazo de entrega para designs personalizados?
- Modelos padrão: 4–6 semanas.
- Totalmente personalizado: 8–12 semanas (dependendo da complexidade).