- utilizam wafers INAs para a fabricação de
- apoiar as personalizadas com desenhos gráficos
- bandgap direto, emite luz de forma eficiente, usado em lasers.
- na faixa de comprimento de onda de 1,5 μm a 5,6 μm, estruturas de poços quânticos
- utilizando técnicas como MOCVD ou MBE, gravação, metalização e embalagem para obter a forma final do dispositivo
Descrições de InAs-ZnOrifícios
O arsênio de ínio (InAs) é um material semicondutor importante que é amplamente usado em campos como detectores infravermelhos e lasers devido à sua lacuna de banda estreita (cerca de 0,354 eV).
InAs geralmente existe na forma de um sistema de cristal cúbico, e sua alta mobilidade eletrônica faz com que ele funcione bem em dispositivos eletrônicos de alta velocidade.
As bolhas de InAs de alta qualidade podem ser cultivadas através de técnicas como a epitaxia por feixe molecular (MBE) ou a deposição de vapor químico orgânico metálico (MOCVD),que podem ser utilizados para a fabricação de detectores de infravermelhos eficientes, especialmente nas faixas 3-5 μm e 8-12 μm.
Além disso, a estrutura de InAs dopada com zinco (Zn) pode ajustar sua condutividade para formar semicondutores de tipo p ou n, otimizando assim suas propriedades elétricas.
O desenvolvimento dos poços quânticos e das estruturas de pontos quânticos aumentou ainda mais o potencial de aplicação dos INAs no campo optoeletrônico.
A tecnologia de pontos quânticos permite que os AIN desempenhem um papel importante em campos emergentes, como a computação quântica e a bioimagem.
Com a crescente procura por dispositivos infravermelhos de alto desempenho e tecnologias quânticas, as perspectivas de investigação e aplicação dos AIN e dos seus materiais dopados são amplas.
Detalhes do InAs-ZnOrifícios
| Parâmetro | InAs-ZnWafer |
| Composição do material | Arsénio de ínio (InAs) + dopagem de zinco |
| Estrutura cristalina | Sistema cúbico (estrutura da mistura de zinco) |
| Largura de banda | ~ 0,354 eV |
| Mobilidade dos elétrons | ~ 30.000 cm2/V·s |
| Mobilidade dos buracos | ~ 200 cm2/V·s |
| densidade | ~ 5,67 g/cm3 |
| Ponto de fusão | ~ 942 °C |
| Conductividade térmica | ~0,5 W/m·K |
| Espaçamento na banda óptica | ~ 0,354 eV |
| Método de doping | Dopagem tipo P (através do zinco) |
| Áreas de aplicação | Laser infravermelho, detectores, pontos quânticos |
| Tamanho | Dia 2 polegadas |
| Espessura | 500 mm ± 25 mm |
| Orientação | < 100> |
Amostragens deAs-ZnOrifícios
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Sobre nós
A nossa empresa, ZMSH, é especializada na investigação, produção, processamento e venda de substratos de semicondutores e materiais de cristal óptico.
Temos uma equipa de engenheiros experientes, conhecimentos de gestão, equipamento de processamento de precisão e instrumentos de teste,fornecendo-nos capacidades extremamente fortes no processamento de produtos não-padrão.
Podemos pesquisar, desenvolver e projetar vários novos produtos de acordo com as necessidades do cliente.
A empresa aderirá ao princípio de "centrada no cliente, baseada na qualidade" e se esforçará para se tornar uma empresa de alta tecnologia de primeira linha no campo dos materiais optoeletrônicos.
Envolvemos a bolacha com uma embalagem de alumínio opaco e colocamo-las em caixas pequenas para protegê-las.
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