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Substratos de semicondutores de wafer de germânio <111> Concentração fotovoltaica CPV

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Substratos de semicondutores de wafer de germânio <111> Concentração fotovoltaica CPV

Ge Germanium Wafer Semiconductor Substrates <111> Concentrating Photovoltaic CPV Custom Size Shapes
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Imagem Grande :  Substratos de semicondutores de wafer de germânio <111> Concentração fotovoltaica CPV

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: ZMSH
Certificação: rohs
Número do modelo: Substratos de germânio
Condições de Pagamento e Envio:
Tempo de entrega: 2-4 semanas
Termos de pagamento: T/T
Contato
Descrição de produto detalhada
Materiais:: Único cristal do Ge Diâmetro:: 0.5~150mm
Espessura:: 0.5 mm Tipo:: Tipo N/ Tipo P/ Não dopado
Superfície:: Polido/corrido Resistividade:: 0.1 ~ 60 ohm.cm
Indústria:: carcaças do semicondutor, dispositivo, ótico
Destacar:

Wafer de germânio CPV

,

Wafer de germânio sob medida

,

Wafer de germânio semicondutor

Descrição do produto

Substratos de semicondutores de wafer de germânio < 111> concentrando CPV fotovoltaico

O germânio de alta pureza é dopado com elementos trivalentes (por exemplo, ínio, gálio, boro) para obter semicondutores de germânio de tipo P.e elementos pentavalentes (e.g., antimônio, arsénio e fósforo) dopados para obter semicondutores de germânio de tipo N. Eles têm alta mobilidade de elétrons e alta mobilidade de buracos.Os substratos de germânio de alta qualidade podem ser utilizados em energia fotovoltaica concentrada (CPV), painéis solares no espaço e aplicações de diodos emissores de luz (LED) de alto brilho.

Substratos de semicondutores de wafer de germânio <111> Concentração fotovoltaica CPV 0Substratos de semicondutores de wafer de germânio <111> Concentração fotovoltaica CPV 1

Características

- A constante de rede é maior do que a do silício, o que favorece a construção de heterostruturas.

- A elevada mobilidade dos elétrons, cerca de 3 vezes superior à do silício, é favorável à fabricação de dispositivos electrónicos de alta velocidade.

- A pequena largura de banda (0,67 eV) torna-o adequado para aplicações de detecção fotoelétrica e emissões infravermelhas.

Substratos de semicondutores de wafer de germânio <111> Concentração fotovoltaica CPV 2

É mais sensível à radiação e é adequado para equipamentos eletrónicos sensíveis à radiação.

A tecnologia de processamento é relativamente complexa e o custo é elevado.

Parâmetros técnicos

Substratos de semicondutores de wafer de germânio <111> Concentração fotovoltaica CPV 3

Aplicações

1- Eletrónica analógica e RF de alta frequência: diodos de microondas, transistores, circuitos integrados; Equipamento electrónico na banda de frequências de microondas, como radar e comunicações.

2Detecção e emissão fotoeléctrica por infravermelho: detector infravermelho, aparelho de imagem térmica; diodos emissores de infravermelho, diodos laser.

3Equipamento electrónico sensível à radiação: Heterostrutura de semicondutores compostos: Sistema de aviónica aeroespacial; Centrais nucleares e equipamento electrónico no domínio militar.

4Heterostrutura de semicondutores compostos: materiais de substrato para compostos III-V, tais como GaAs, InP, etc.; células solares de estrutura heterogénea, diodos laser, etc.

Substratos de semicondutores de wafer de germânio <111> Concentração fotovoltaica CPV 4

Os nossos serviços

1- Fabricação e venda diretas.

2Citações rápidas e precisas.

3Responder-lhe-emos no prazo de 24 horas úteis.

4. ODM: O design personalizado é disponível.

5Rapidez e entrega preciosa.

Perguntas frequentes

1. P: Como pagar?
A:100%T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, Pagamento seguro e comércio
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2P: Posso personalizar os produtos com base nas minhas necessidades?
R: Sim, podemos personalizar o material, especificações para os seus componentes ópticos
com base nas suas necessidades.

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(2) Para produtos personalizados, o MOQ é de 25pcs.

etiqueta:

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