DFB Epiwafer InP Substrato Método MOCVD 2 4 6 polegadas comprimento de onda operacional 1,3 μm, 1,55 μm

DFB Epiwafer InP substrato MOCVD método 2 4 6 polegadas comprimento de onda operacional: 1,3 μm, 1,55 μm

DFB Epiwafer InP's substrate's Brief

DFB (Feedback Distribuído) Epiwafers em substratos de fosfeto de ínio (InP) são componentes-chave utilizados na fabricação de diodos a laser DFB de alto desempenho.Estes lasers são críticos para comunicações ópticas e aplicações de detecção devido à sua capacidade de produzir um único modo, luz de largura de linha estreita com emissão de comprimento de onda estável, tipicamente nas faixas de 1,3 μm e 1,55 μm.

O substrato InP fornece excelente correspondência de rede para camadas epitaxiais como InGaAsP, que são cultivadas para formar a região ativa, camadas de revestimento,e estruturas de grelha que definem a funcionalidade do laser DFBA grelha integrada na estrutura assegura um controlo preciso do feedback e do comprimento de onda.que o tornam adequado para comunicações de fibra óptica de longa distância e sistemas WDM (multiplexamento por divisão de comprimento de onda).

As principais aplicações incluem transceptores ópticos de alta velocidade, interconexões de centros de dados, detecção de gás e tomografia de coerência óptica (OCT).A combinação de desempenho de alta velocidade do epiwafer DFB baseado em InP, estreita largura de linha espectral e estabilidade de comprimento de onda tornam-no indispensável nas redes de telecomunicações modernas e nas tecnologias de detecção avançadas.

Estrutura do substrato DFB Epiwafer InP

Folha de dados do substrato DFB Epiwafer InPZMSH DFB inp epiwafer.pdf)

Propriedades do substrato DFB Epiwafer InP

Material de substrato:

• Fósforo de ínio (InP): InP fornece uma excelente correspondência de rede para camadas epitaxiais como InGaAsP, reduzindo defeitos e luxações durante o processo de crescimento epitaxial.Isto leva a camadas de alta qualidade essenciais para o desempenho eficiente do laser.

Bandgap:

• Bandgap direto: InP possui uma banda larga direta de 1,344 eV, tornando-o altamente adequado para aplicações optoeletrônicas, particularmente para emissão no espectro infravermelho, em torno dos comprimentos de onda de 1,3 μm e 1,55 μm,que sejam ideais para a comunicação óptica.

Combinação de rede:

• O InP permite o crescimento de camadas epitaxiais de alta qualidade, especialmente InGaAsP, com tensão mínima, garantindo um funcionamento estável e confiável do dispositivo.

Camadas epitaxianas:

• Camada ativa: Geralmente composto de InGaAsP, esta camada define o comprimento de onda da emissão e suporta a geração de fótons através da recombinação radiativa.
• Estrutura da grade: A grade integrada dentro da estrutura epitaxial fornece o feedback necessário para a emissão de modo único, essencial para a precisão do comprimento de onda nos lasers DFB.
• Camadas de revestimento: Ao redor da região ativa, estas camadas confinam a luz e direcionam-na para a faceta de saída, garantindo um confinamento óptico eficiente.

Comprimento de onda operacional:

• 10,3 μm e 1,55 μm: Estes comprimentos de onda são ideais para a comunicação de fibra óptica devido à sua baixa perda de fibras ópticas, tornando os lasers DFB cruciais para a transmissão de dados de longa distância e de alta velocidade.

Largura de linha estreita e operação de modo único:

• Os lasers DFB fornecem uma largura de linha espectral estreita e operam em modo longitudinal único,que é fundamental para minimizar a interferência do sinal e maximizar a integridade dos dados em sistemas de Multiplexagem por Divisão de Comprimento de Onda Densa (WDM).

Estabilidade de temperatura:

• Os lasers DFB baseados em InP oferecem excelente estabilidade de temperatura,que é essencial para manter a saída de comprimento de onda constante e minimizar a degradação do desempenho em temperaturas operacionais variáveis.

Corrente de limiar baixo:

• Os lasers DFB em substratos InP apresentam correntes de limiar baixas, o que conduz a uma operação energéticamente eficiente, o que é benéfico tanto para o desempenho como para o consumo de energia,Particularmente nos centros de dados e redes de telecomunicações.

Capacidade de modulação de alta velocidade:

• Os lasers DFB baseados em InP suportam modulação de alta velocidade, tornando-os ideais para uso em transceptores ópticos e sistemas de comunicação que exigem transferência rápida de dados.

As principais propriedades dos Epiwafers DFB em substratos InP, tais como sua excelente correspondência de rede, operação em modo único, largura de linha estreita, desempenho de alta velocidade e estabilidade de temperatura,torná-los indispensáveis para a comunicação óptica, detecção e aplicações fotónicas avançadas.

Fotos reais do substrato DFB Epiwafer InP

Aplicação do substrato DFB Epiwafer InP

1.Comunicação óptica

• Redes de fibra óptica de longa distância: Os lasers DFB são críticos para a comunicação óptica de longa distância, particularmente nas faixas de comprimento de onda de 1,3 μm e 1,55 μm, onde a perda de sinal nas fibras ópticas é minimizada.Estes lasers são essenciais para a transmissão de dados de alta velocidade a longas distâncias.
• Sistemas WDM (multiplexamento por divisão de comprimento de onda): Os lasers DFB são usados em sistemas WDM para transmitir vários canais de dados através de uma única fibra, atribuindo a cada canal um comprimento de onda específico.A sua precisão e estabilidade de comprimento de onda são vitais para evitar interferências entre os canais.

2.Interconexões do Data Center

• Transmissão de dados de alta velocidade: Os lasers DFB são empregados em centros de dados para conectar servidores e equipamentos de rede, fornecendo ligações ópticas de alta velocidade que lidam com grandes quantidades de dados com perda e interferência mínimas de sinal.

3.Detecção de gases e monitorização ambiental

• Detecção de gases: Os lasers DFB são usados em aplicações de detecção de gases para detectar gases específicos, como CO2 e CH4, ajustando o laser para corresponder às linhas de absorção desses gases.Isto é fundamental para a segurança industrial., monitorização ambiental e controlo de emissões.
• Espectroscopia de Absorção a Laser: Na monitorização ambiental, os lasers DFB permitem a medição precisa das concentrações de gás, aproveitando a sua largura de linha estreita e comprimentos de onda ajustáveis para detecção de alta resolução.

4.Tomografia de coerência óptica (OCT)

• Diagnóstico médico: Os lasers DFB são utilizados em sistemas OCT para imagens médicas não invasivas, tais como exames de retina em oftalmologia e imagens de tecidos em dermatologia.O comprimento de onda estável e a largura de linha espectral estreita aumentam a resolução e a clareza das imagens.

5.LIDAR (Detecção e alcance da luz)

• Veículos autônomos e mapeamento 3D: Os lasers DFB são parte integrante dos sistemas LIDAR, que são usados para medição de distância e detecção de objetos em veículos autônomos, drones e aplicações de mapeamento 3D.A precisão e a estabilidade do laser melhoram a precisão dos sistemas LIDAR na determinação de distâncias e na identificação de objetos.

6.Comunicação por satélite e pelo espaço

• Comunicação de Alta Frequência: Os lasers DFB são utilizados em sistemas de comunicação por satélite, onde é necessária a transmissão de dados de longa distância e de alta frequência.A capacidade dos lasers DFB de manter um comprimento de onda estável em condições ambientais variadas é crucial para a comunicação espacial.

Mundos-chave: InP substrato DFB epiwafer