FP Epiwafer InP Camada de contato do substrato InGaAsP Dia 2 3 4 polegadas Para banda de comprimento de onda OCT 1,3um

FP epiwafer InP camada de contato de substrato InGaAsP Dia 2 3 4 polegadas para banda de comprimento de onda OCT 1,3um

Resumo do substrato do epiwafer FP

Os epiwafers Fabry-Perot (FP) em substratos de fosfeto de índio (InP) são componentes-chave no desenvolvimento de dispositivos optoeletrônicos,especialmente diodos a laser utilizados em comunicações ópticas e aplicações de detecçãoOs substratos inP fornecem uma plataforma ideal devido à sua alta mobilidade eletrônica, a sua distância de banda direta e a sua excelente correspondência de rede para o crescimento epitaxial.Essas bolinhas normalmente possuem múltiplas camadas epitaxiais, como o InGaAsP, que formam a cavidade do laser FP e são projetados para emitir luz nas faixas de comprimento de onda críticas de 1,3 μm a 1,55 μm, tornando-os altamente eficazes para comunicação de fibra óptica.

Os lasers FP, cultivados nessas epiwafers, são conhecidos por sua estrutura relativamente simples em comparação com outros tipos de lasers, como os lasers de Feedback Distribuído (DFB),o que as torna uma solução rentável para muitas aplicaçõesEstes lasers são amplamente utilizados em sistemas de comunicação óptica de curto a médio alcance, interconexões de centros de dados e tecnologias de detecção de gases e diagnósticos médicos.

Os epiwafers FP baseados em InP proporcionam flexibilidade na selecção de comprimentos de onda, bom desempenho e custos de produção mais baixos, tornando-os um componente vital nos campos em crescimento das telecomunicações,Monitorização ambiental, e circuitos fotónicos integrados.

Ficha de dados do substrato InP do epiwafer FP

Diagrama do substrato InP do epiwafer FP

Propriedades do substrato InP do epiwafer FP

InP Substrato

• Constante de rede: 5.869 Å, proporcionando excelente correspondência de rede com materiais como o InGaAsP, minimizando defeitos nas camadas epitaxiais.
• Bandgap direto: 1,344 eV (correspondente a ~ 0,92 μm comprimento de onda de emissão), ideal para aplicações optoeletrônicas, especialmente no espectro infravermelho.
• Alta mobilidade de elétrons: 5400 cm2/V·s, permitindo o desempenho de dispositivos de alta velocidade e alta frequência, crucial para as tecnologias de comunicação.
• Conductividade térmica: 0,68 W/cm·K, proporcionando uma dissipação de calor adequada para dispositivos como lasers.

Camadas epitaxianas

• Região ativa: geralmente feita de InGaAsP ou compostos relacionados, essas camadas emitem luz nas faixas de comprimento de onda de 1,3 μm a 1,55 μm, essenciais para a comunicação de fibra óptica.
• Poços quânticos múltiplos: Estes podem ser utilizados para melhorar o desempenho do laser FP, melhorando a eficiência e as velocidades de modulação.
• Dopagem: as camadas epitaxial são dopadas (tipo n ou tipo p) para facilitar a injecção de carga e garantir contatos ohmicos de baixa resistência.

Propriedades ópticas

• Comprimento de onda de emissão: normalmente na faixa de 1,3 μm a 1,55 μm, estes são os comprimentos de onda ideais para aplicações de telecomunicações devido à baixa perda de transmissão em fibras ópticas.
• Facetas refletoras: os lasers FP usam facetas refletoras naturalmente para formar a cavidade do laser, simplificando a fabricação e reduzindo os custos.

Eficiência em termos de custos

• Os epiwafers FP em substratos InP oferecem uma estrutura mais simples em comparação com os tipos de laser mais complexos (por exemplo, os lasers DFB),Redução dos custos de fabrico, mantendo o bom desempenho da comunicação de curto a médio alcance.

Essas propriedades tornam os epiwafers FP em substratos InP altamente adequados para uso em sistemas de comunicação óptica, dispositivos de detecção e circuitos integrados fotônicos.

Aplicação do substrato InP do epiwafer FP

Comunicação por fibra óptica

• Diodos laser: os lasers FP em epiwafers InP são amplamente utilizados em sistemas de comunicação de fibra óptica, particularmente na transmissão de dados de curto a médio alcance.Faixa de comprimento de onda de 55 μm, que corresponde às janelas de baixa perda das fibras ópticas, tornando-as ideais para a transmissão de dados de alta velocidade.
• Transceptores e módulos ópticos: Os lasers FP são geralmente integrados em transceptores ópticos utilizados em centros de dados e redes de telecomunicações para transmitir e receber sinais ópticos.

Interconexões do Data Center

• Conectividade de alta velocidade: os lasers FP baseados em InP são utilizados em centros de dados para interconexões entre servidores e dispositivos de rede, proporcionando alta velocidade,ligações ópticas de baixa latência essenciais para o tratamento de grandes volumes de dados.

Sensores ópticos

• Detecção de gases: os lasers FP podem ser ajustados a comprimentos de onda específicos para detectar gases como CO2, CH4 e outros poluentes industriais ou ambientais através da absorção infravermelha.
• Monitorização do ambiente: os lasers FP em substratos InP são utilizados em sensores de monitorização da qualidade do ar, detecção de gases perigosos e sistemas de segurança industrial.

Diagnóstico médico

• Tomografia de coerência óptica (OCT): os lasers baseados em InP são utilizados em sistemas OCT para obtenção de imagens não invasivas,comumente utilizado na oftalmologia para exames detalhados da retina e na dermatologia para imagens de tecidos.

Fotos do substrato do epiwafer FP InP

Perguntas e respostas

O que é EPI em wafer?

EPIna tecnologia de wafer significaEpitaxia, que se refere ao processo de deposição de uma fina camada de material cristalino (camada epitaxial) num substrato semicondutor (como o silício ou InP).Esta camada epitaxial tem a mesma estrutura cristalográfica que o substrato subjacente, permitindo um crescimento sem defeitos de alta qualidade, essencial para a fabricação de dispositivos de semicondutores avançados.