- Alta mobilidade e mobilidade dos elétrons (μe/μh=70), tornando-o um material ideal para dispositivos Hall.

- O MBE pode ser cultivado com materiais multi-epitaxial GaAsSb, InAsPSb e InAsSb.

- Método de vedação líquida (CZ) para assegurar a pureza do material até 99,9999% (6N).

- Todos os substratos são polidos com precisão e preenchidos com uma atmosfera protetora para satisfazer os requisitos de Epi-Ready.

- Selecção de orientação cristalina: Outras orientações cristalinas estão disponíveis, como (110).

- As técnicas de medição óptica, como os ellipsómetros, garantem a limpeza da superfície de cada substrato.

Parâmetros técnicos

- Optoelectrónica a infravermelho:O arsênio de ínio tem excelentes propriedades de absorção de luz infravermelha e é comumente usado na fabricação de detectores de infravermelho, imagens e lasers.
- Eletrónica de alta frequência:Devido à sua alta mobilidade de elétrons,Arseneto de ínio é amplamente utilizado em dispositivos eletrônicos de alta frequência e alta velocidade, como FETs (transistores de efeito de campo) e HEMTs (transistores de alta mobilidade eletrônica).
- Pontos quânticos e poços quânticos:No campo da computação quântica e da comunicação quântica, o arsênico de ínio é usado para fabricar pontos quânticos e estruturas de poços quânticos.
- Comunicações ópticas:O arsênio de ínio pode ser usado para fazer diodos laser e amplificadores ópticos em comunicações de fibra óptica para melhorar a eficiência da transmissão de sinal.
- Materiais termoelétricos:O arsenieto de ínio é utilizado como material termoelétrico em conversores termoelétricos e refrigeradores para permitir a recuperação de energia e o controlo da temperatura.
- Sensores:No domínio da monitorização ambiental e da biomedicina, o arseniuro de ínio é utilizado no fabrico de vários sensores para detectar gases e biomoléculas.

Os nossos serviços

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Perguntas frequentes