InAs Arseneto de Índio2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas Substrato de cristal único N/P Tipo de semicondutor Espessura da bolacha 300-800um
O Índio InAs ou Índio arsênico monolítico é um semicondutor composto por índio e arsênico.O arsenieto de ínio é usado para construir detectores infravermelhos na faixa de comprimento de onda de 1-3.8um. O detector é geralmente um fotodiodo fotovoltaico. Os detectores criocreados são menos barulhentos, mas os detectores InAs também podem ser usados para aplicações de alta potência à temperatura ambiente.O arsênico de ídio também é usado no fabrico de lasers de diodosO arsênio de ínio, semelhante ao arsênio de gálio, é um material de bandgap direto.Ligas com arsenieto de gálio para formar arsenieto de ínio - um material com uma lacuna de banda dependente da relação In/GaEste método é principalmente semelhante à ligação de nitruro de ínio com nitruro de gálio para produzir nitruro de ínio.É amplamente utilizado como fonte de radiação de teraherços porque é um poderoso emissor de luz âmbar.
Características
- Alta mobilidade e mobilidade dos elétrons (μe/μh=70), tornando-o um material ideal para dispositivos Hall.
- O MBE pode ser cultivado com materiais multi-epitaxial GaAsSb, InAsPSb e InAsSb.
- Método de vedação líquida (CZ) para assegurar a pureza do material até 99,9999% (6N).
- Todos os substratos são polidos com precisão e preenchidos com uma atmosfera protetora para satisfazer os requisitos de Epi-Ready.
- Selecção de orientação cristalina: Outras orientações cristalinas estão disponíveis, como (110).
- As técnicas de medição óptica, como os ellipsómetros, garantem a limpeza da superfície de cada substrato.
Parâmetros técnicos
cristal
droga
Tipo
Concentração do portador de íons
cm-3
Mobilidade ((cm2/V.s)
MPD ((cm-2)
Tamanho
InAs
não-dopa
N
5*1016
32*104
< 5*104
Φ2′′×0,5 mm
Φ3′′×0,5 mm
InAs
- Não.
N
(5-20) *1017
> 2000
< 5*104
Φ2′′×0,5 mm
Φ3′′×0,5 mm
InAs
Zn
P
(1-20) *1017
100 a 300
< 5*104
Φ2′′×0,5 mm
Φ3′′×0,5 mm
InAs
S
N
(1-10) *1017
> 2000
< 5*104
Φ2′′×0,5 mm
Φ3′′×0,5 mm
Tamanho (mm)
Dia50.8x0.5mm, 10×10×0.5mm, 10×5×0.5mm pode ser personalizado
ra
Resistência à corrosão (Ra): <= 5A
polonês
polidos de lado único ou duplo
Pacote
Saco de plástico de limpeza de 100 graus em 1000 salas de limpeza
Aplicações
- Optoelectrónica a infravermelho:O arsênio de ínio tem excelentes propriedades de absorção de luz infravermelha e é comumente usado na fabricação de detectores de infravermelho, imagens e lasers. - Eletrónica de alta frequência:Devido à sua alta mobilidade de elétrons,Arseneto de ínio é amplamente utilizado em dispositivos eletrônicos de alta frequência e alta velocidade, como FETs (transistores de efeito de campo) e HEMTs (transistores de alta mobilidade eletrônica). - Pontos quânticos e poços quânticos:No campo da computação quântica e da comunicação quântica, o arsênico de ínio é usado para fabricar pontos quânticos e estruturas de poços quânticos. - Comunicações ópticas:O arsênio de ínio pode ser usado para fazer diodos laser e amplificadores ópticos em comunicações de fibra óptica para melhorar a eficiência da transmissão de sinal. - Materiais termoelétricos:O arsenieto de ínio é utilizado como material termoelétrico em conversores termoelétricos e refrigeradores para permitir a recuperação de energia e o controlo da temperatura. - Sensores:No domínio da monitorização ambiental e da biomedicina, o arseniuro de ínio é utilizado no fabrico de vários sensores para detectar gases e biomoléculas.
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