InP FP epiwafer InP substrato n/p tipo 2 3 4 polegadas com espessura de 350-650um para trabalho de rede óptica

InP FP epiwafer InP substrato n/p tipo 2 3 4 polegadas com espessura de 350-650um para trabalho de rede óptica

InP epiwafer's Overview

O Epiwafer de Fosfeto de Índio (InP) é um material chave usado em dispositivos optoeletrônicos avançados, particularmente diodos a laser Fabry-Perot (FP).InP Epiwafers consistem em camadas epitaxialmente cultivadas num substrato InP, concebido para aplicações de alto desempenho em telecomunicações, centros de dados e tecnologias de detecção.

Os lasers FP baseados em InP são vitais para a comunicação por fibra óptica, suportando a transmissão de dados de curto a médio alcance em sistemas como redes ópticas passivas (PON) e multiplexagem por divisão de onda (WDM).Os seus comprimentos de onda de emissão, tipicamente em torno de 1,3 μm e 1,55 μm, alinham-se com as janelas de baixa perda das fibras ópticas, tornando-as ideais para transmissão de longa distância e alta velocidade.

Estas wafers encontram também aplicações em interligações de dados de alta velocidade dentro de centros de dados, onde o desempenho econômico e estável dos lasers FP é essencial.Os lasers FP baseados em InP são utilizados na monitorização ambiental e na detecção industrial de gases, onde podem detectar gases como o CO2 e o CH4 devido à sua emissão precisa nas faixas de absorção infravermelha.

No campo médico, os epiwafers InP contribuem para os sistemas de tomografia de coerência óptica (OCT), fornecendo capacidades de imagem não invasivas.A sua integração em circuitos fotónicos e utilização potencial nas tecnologias aeroespaciais e de defesa, como o LIDAR e a comunicação por satélite, destacam a sua versatilidade.

No geral, os epiwafers InP são críticos para permitir uma ampla gama de dispositivos ópticos e eletrônicos devido às suas excelentes propriedades elétricas e ópticas, particularmente no 1,3 μm a 1.Faixa de comprimento de onda de 55 μm.

Estrutura do epiwafer InP

Resultado do ensaio PL Mapping do epiwafer InP

As fotos do InP epiwafer

Ficha de dados de características e principais do epiwafer InP

Os Epiwafers de Fosfeto de Índio (InP) se distinguem por suas excelentes propriedades elétricas e ópticas, tornando-os essenciais para dispositivos optoeletrônicos de alto desempenho.Abaixo está uma visão geral das principais propriedades que definem os Epiwafers InP:

1Estrutura cristalina e constante de rede

• Estrutura cristalina: InP tem uma estrutura cristalina de mistura de zinco.
• Constante de rede: 5,869 Å. A correspondência quase perfeita da rede com materiais como InGaAs e InGaAsP permite o crescimento de camadas epitaxial de alta qualidade,Minimizando defeitos como luxações e tensões.

2. Bandgap e comprimento de onda de emissão

• Bandgap: InP tem um bandgap direto de 1,344 eV a 300 K, correspondendo a um comprimento de onda de emissão de cerca de 0,92 μm.
• Faixa de emissão de epiwafer: camadas epitaxial cultivadas no InP normalmente permitem o funcionamento do dispositivo na faixa de comprimento de onda de 1,3 μm a 1,55 μm, ideal para sistemas de comunicação óptica.

3Alta Mobilidade Electrônica

• O InP apresenta uma elevada mobilidade dos elétrons (5400 cm2/V·s), o que resulta num transporte rápido dos elétrons,que o tornam adequado para aplicações de alta frequência e alta velocidade, tais como telecomunicações e circuitos fotónicos integrados.

4Conductividade térmica

• Conductividade térmica: InP tem uma condutividade térmica de aproximadamente 0,68 W/cm·K à temperatura ambiente.é adequado para dissipar o calor em muitos dispositivos optoeletrônicos, especialmente com uma gestão térmica adequada.

5Transparência óptica

• O InP é transparente para comprimentos de onda acima de sua faixa de banda, permitindo uma emissão e transmissão eficientes de fótons na faixa infravermelha, particularmente nos comprimentos de onda críticos de telecomunicações (1,3 μm e 1,1).55 μm).

6Dopagem e condutividade

• Dopagem de tipo n e p: InP pode ser dopado com doadores (por exemplo, enxofre) ou aceitadores (por exemplo, zinco), oferecendo flexibilidade na criação de regiões de tipo n e p necessárias para vários dispositivos de semicondutores.
• Alta condutividade: as camadas de contato fortemente dopadas cultivadas em substratos InP garantem contatos ohmicos de baixa resistência, melhorando a eficiência da injeção de corrente em dispositivos como os lasers FP.

7. Baixa densidade de defeitos

• Os Epiwafers InP apresentam baixa densidade de defeito, crucial para dispositivos de alto desempenho. As camadas epitaxiais de alta qualidade levam a uma melhor eficiência, longevidade e confiabilidade do dispositivo.

Em resumo, as propriedades dos Epiwafers InP, tais como alta mobilidade de elétrons, baixa densidade de defeito, correspondência de rede e operação eficaz em comprimentos de onda críticos de telecomunicações,torná-los indispensáveis na optoelectrónica moderna, nomeadamente nas comunicações de alta velocidade e aplicações de detecção.

Aplicação do epiwafer InP

Os Epiwafers de Fosfeto de Índio (InP) são críticos em vários campos de tecnologia avançada devido às suas excelentes propriedades optoeletrônicas.

1.Comunicação por fibra óptica

• Diodos a laser (lasers FP/DFB): Epiwafers inP são usados para fabricar lasers Fabry-Perot (FP) e Feedback Distribuído (DFB), que operam em comprimentos de onda de 1,3 μm e 1,55 μm.Estes comprimentos de onda alinham-se com as janelas de transmissão de baixa perda das fibras ópticas, tornando-os ideais para a comunicação de dados de longa distância.
• Aparelhos fotodetectoresOs Epiwafers também são utilizados para fazer fotodetectores para receber sinais ópticos em sistemas de fibra óptica.

2.Interconexões do Data Center

• Os lasers e detectores baseados em InP são utilizados em módulos ópticos que permitem interconexões de alta velocidade e baixa latência dentro dos centros de dados, melhorando o desempenho geral da rede.

3.Sensores ópticos e detecção de gases

• Sensores de gás: InP Epiwafers são utilizados para fabricar lasers que operam na faixa infravermelha, adequados para aplicações de detecção de gases (por exemplo, CO2, CH4) na monitorização industrial, ambiental e de segurança.
• Tomografia de coerência óptica (OCT): As fontes de luz baseadas em IP são cruciais para as tecnologias de imagem médica como a TCO, que são utilizadas para o diagnóstico não invasivo nos cuidados de saúde.

4.Circuitos fotónicos integrados (PIC)

• InP Epiwafers são materiais fundamentais para circuitos integrados fotônicos que combinam múltiplas funções fotônicas (por exemplo, lasers, moduladores,e detectores) num único chip para aplicações em comunicações de alta velocidade, processamento de sinal e computação quântica.

5.LIDAR (Detecção e alcance da luz)

• Os lasers baseados em InP são utilizados em sistemas LIDAR para veículos autônomos, mapeamento aéreo e várias aplicações de defesa.fontes de luz fiáveis geradas por epiwafers InP para medições de distância e velocidade.

6.Comunicação por satélite e pelo espaço

• Os lasers e fotodetectores InP desempenham um papel crucial nas comunicações por satélite e nas aplicações aeroespaciais, permitindo a transmissão segura e de alta velocidade de dados a grandes distâncias.

7.Defesa e Aeroespacial

• Os Epiwafers InP são usados em sistemas de defesa avançados, como radar de alta velocidade, orientação de mísseis e sistemas de comunicação seguros, onde o desempenho confiável e de alta frequência é crítico.

Essas aplicações destacam a versatilidade e a importância dos Epiwafers InP em dispositivos optoeletrônicos e fotônicos modernos.

Perguntas e respostas

O que são epiwafers InP?

Epiwafers com fosfeto de ínio (InP)são wafers semicondutores compostos por um substrato InP com uma ou mais camadas de vários materiais (como InGaAs, InGaAsP ou AlInAs) cultivadas epitaxialmente.Estas camadas são depositadas precisamente no substrato InP para criar estruturas de dispositivos específicos adaptados para aplicações optoeletrônicas de alto desempenho.