Wafer de fosfeto de índio InP Substrato semicondutor Epitaxial 2'' 3' 4' espessura 350um

Wafer de fosfeto de ínio InP Substrato semicondutor Epitaxial 2'' 3' espessura 350um

Descrição doFósforo de ínio:

Os chips de fósforo de ínio (InP) são um material amplamente utilizado em dispositivos optoeletrônicos e semicondutores.

• Alta mobilidade eletrônica: os chips de fosfeto de ínio têm uma alta mobilidade eletrônica, o que significa que os elétrons se movem mais rápido através do material.

• Propriedades controladas do material: as propriedades das wafers de fosfeto de ínio podem ser reguladas através do controlo do processo de crescimento epitaxial do material e das técnicas de dopagem.

• Espaço de banda larga: a bolacha de fosfeto de ínio possui um espaço de banda larga, o que lhe permite operar nas faixas de luz visível e infravermelha.

• Alta velocidade de deriva de saturação: a bolacha de fosfeto de ínio tem uma alta velocidade de deriva de saturação, o que significa que a velocidade de deriva de elétrons atinge o máximo sob um forte campo elétrico.

• Excelente condutividade térmica: a bolacha de fosfeto de ínio tem uma elevada condutividade térmica, o que significa que é capaz de conduzir e dissipar o calor de forma eficiente,Melhorando assim a fiabilidade e a estabilidade de desempenho do dispositivo.

Características doFósforo de ínio:

Os chips de fósforo de ínio (InP) têm algumas características notáveis que os tornam amplamente utilizados em optoeletrônica e semicondutores.As seguintes são algumas das principais características dos materiais de chips de fosfeto de ínio:

• Espaço de banda direta: O fosfeto de ínio tem uma característica de espaço de banda direta que o torna excelente em dispositivos ópticos.

• Ampla faixa de intervalos: o fosfeto de ínio possui uma faixa de intervalos que vai do espectro infravermelho ao ultravioleta.

• Alta mobilidade eletrônica: O fosfeto de ínio tem uma alta mobilidade eletrônica, o que o torna excelente em eletrônica de alta frequência e optoeletrônica de alta velocidade.

• Excelente condutividade térmica: o fosfeto de ínio tem uma elevada condutividade térmica e pode dissipar o calor de forma eficaz.

• Boa estabilidade mecânica e química: os chips de fosfeto de ínio têm uma boa estabilidade mecânica e química e podem manter a estabilidade e a fiabilidade em diferentes condições ambientais.

• Estrutura de banda ajustável: A estrutura de banda dos materiais de fosfeto de ínio pode ser regulada por técnicas de dopagem e liga para atender aos requisitos de diferentes dispositivos.

Parâmetros técnicos deFósforo de ínio:

Aplicações deFósforo de ínio:

As placas de fosfeto de ínio (InP) têm uma ampla gama de aplicações em optoeletrônicos e substratos de semicondutores:

• Comunicação óptica: as wafers InP são amplamente utilizadas no campo da comunicação óptica para sistemas de comunicação de fibra óptica de alta velocidade.Moduladores ópticos, receptores ópticos, amplificadores ópticos e acopladores de fibra óptica.

• Dispositivos fotoeletrônicos: as placas InP são usadas para fabricar dispositivos fotoeletrônicos, como fotodiodos, fotodetectores, células solares e fotoacopladores.

• Dispositivos eletrónicos de alta velocidade: os substratos InP são amplamente utilizados no domínio dos dispositivos eletrónicos de alta frequência.Os transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMT) dos wafes InP são usados para preparar dispositivos como amplificadores de alta frequência, interruptores de RF e circuitos integrados de microondas para aplicações como comunicações sem fios, sistemas de radar e comunicações por satélite.

• Dispositivos ópticos integrados: as placas InP são utilizadas para preparar dispositivos ópticos integrados, tais como guias de ondas ópticos, moduladores ópticos, interruptores ópticos e amplificadores ópticos.

• Pesquisa fotônica: as wafers InP desempenham um papel importante na pesquisa fotônica.

• Além das aplicações acima, as placas InP também são utilizadas em outros campos, tais como detecção óptica, biomedicina, armazenamento de luz e substratos de semicondutores

Perguntas frequentes:

Q1: Qual é o nome da marcaWafer InP?
A1: OO Wafer InP éFeito pela ZMSH.

Q2: Qual é o diâmetro doWafer InP?
A2: O diâmetro doO Wafer InP é2', 3', 4'.

Q3: Onde está oWafer InP- De onde?
A3: OWafer InPÉ da China.

Q4: É oWafer InPCertificado ROHS?
A4: Sim, oWafer InP é certificado ROHS.

Q5: Quantos InPPosso comprar waffles de uma vez?
A5: A quantidade mínima de encomenda do produtoWafer InPSão 5 peças.

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