Destacar:
Detector de IR Wafer de fosfeto de ídio
, 3 "Wafers InSb não cobertas
, Sensor de imagem térmica por fotodiodo InSb Wafers
3 "Wafers InSb desmontados Detector IR Sensor de imagem térmica fotodiodo 85 GHz
3 ̊ Wafers InSb desdobrados Detector IR Sensor de imagem térmica fotodiodo 85 GHz
Descrição:
1O antimoneto de ínio é um material semicondutor de banda direta que pertence ao espectro infravermelho.
2O antimoneto de ínio (InSb) é um material semicondutor composto constituído por elementos de ínio (In) e antimónio (Sb).
3O antimoneto de ínio também tem alta mobilidade de transportador e características de baixo ruído em eletrônicos de alta velocidade e amplificadores de baixo ruído.
4A sua fórmula química é InSb. O antimoneto de ínio é um importante material semicondutor com propriedades electrónicas e ópticas especiais.
por isso tem uma ampla gama de aplicações no campo da optoelectrónica e electrónica.
5Além disso, o antimoneto de ínio também pode ser usado em dispositivos de efeito quântico, como estruturas de poços quânticos e dispositivos de pontos quânticos.
devido às suas excelentes propriedades quânticas, como efeitos de limitação quântica e propriedades de ajuste quântico.
Características:
1Resposta rápida: O detector InSb tem um tempo de resposta rápido e pode capturar alterações nos sinais de radiação infravermelha em tempo real.
2Baixo ruído: os materiais InSb têm baixos níveis de ruído, o que pode fornecer imagens infravermelhas claras e informações espectral precisas.
3Alta sensibilidade: O material InSb tem uma elevada sensibilidade na faixa infravermelha média, que pode efetivamente detectar e converter radiação infravermelha.
4Função a baixas temperaturas: os detectores InSb necessitam geralmente de funcionar a temperaturas mais baixas, geralmente abaixo de 77 K (temperatura do nitrogénio líquido)
5- Ampla faixa de radiação: os materiais InSb têm uma ampla gama de indução de radiação infravermelha,que pode cobrir a faixa infravermelha média (normalmente 2-5 microns) e parte da faixa infravermelha de ondas longas (até cerca de 10 microns).
Parâmetros técnicos:
| Cristais simples |
InSb |
| Diâmetro |
2 ̊ 3 ̊ ((+/- 0,3 mm) |
| Espessura |
500/600 ((+/-25um) |
| Suplementos |
Nenhum |
| Tipo de condução |
N |
| Concentração do transportador ((cm-3) |
3E15 |
| Densidade de deslocação ((cm-2) |
< 2*102 |
| Constante de rede |
0.648nm |
| Peso Molecular |
236.58 |
| Ponto de fusão |
527°C |
| densidade |
50,78 g/cm3 |
| Espaço de banda |
0.17eV ((300K) |
| 0.23eV ((80K) |
Aplicações:
| Imagem infravermelha |
Os materiais cristalinos InSb são amplamente utilizados em imagens infravermelhas. |
| Dispositivo eletrónico de alta velocidade |
Devido à sua elevada mobilidade e baixa qualidade electrónica, podem ser utilizadas para fabricar dispositivos electrónicos de alta velocidade. |
| Espectômetros e ópticas |
Os materiais cristalinos InSb são amplamente utilizados no fabrico de infravermelhos
detectores de radiação. |
| Análise espectral |
Os materiais cristalinos InSb podem ser utilizados para análise espectral infravermelha devido à sua transparência e alta sensibilidade na faixa infravermelha. |
| Dispositivo de poço quântico |
Usando a estrutura de poço quântico do chip InSb, uma série de dispositivos de poço quântico podem ser fabricados |
| Detecção de radiação |
Os materiais cristalinos InSb são amplamente utilizados no fabrico de infravermelhos
detectores de radiação. |
| Material termoelétrico |
Os chips InSb são capazes de converter energia térmica em eletricidade para aplicações, como geração de energia termoelétrica e medição de temperatura. |
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Wafers SIC:
Perguntas frequentes:
Q: O que é a certificação deTe-InSb?
A: A certificação deTe-InSbé ROHS.
P: Qual é a marca deTe-InSb?
A: O nome da marcaTe-InSbé ZMSH.
P: Onde é o local de origem deTe-InSb?
A: O local de origemTe-InSbé a CHINA.
Q: Qual é o MOQ deTe-InSb numa só vez?
A: O MOQ deTe-InSbSão 25 peças de cada vez.
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