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[sic wafer ]

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286

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categoria da produção da bolacha de 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate para dispositivos da radiofrequência

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330um da espessura 4 de H-N Type categoria Dia50.8mm 2inch da produção da carcaça sic

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comprar 2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas Wafer de carburo de silício SiC 4H-N Grado Dummy Grade Rrime Grade Materiais semicondutores de alta dureza Fabricação em linha

2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas Wafer de carburo de silício SiC 4H-N Grado Dummy Grade Rrime Grade Materiais semicondutores de alta dureza

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comprar 2 polegadas/4 polegadas/6 polegadas/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrato de Carbono de Silício Tipo 3C-N No eixo: < 111 > ± 0,5° Grau de produção Grau de simulação Fabricação em linha

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5x40mm personalizados dão forma às bolachas sic de cristal 4 microplaquetas de H-N Sic Substrates

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10 milímetros X 10 milímetros de tipo deisolamento sic categoria sic Crystal Substrate de 6H da pesquisa da carcaça

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Substrato 3C-SiC tipo N Categoria de produto para comunicações 5G

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2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substratos 3C-N Tipo MOS Grau

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4 de H-N Type Semi-Insulating bolachas do carboneto de silicone das carcaças 2inch 3inch 4inch sic

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