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Wafer de carburo de silício 6 polegadas Sic Single Crystal 150mm Diâmetro 3C-N Tipo de fato para sistemas de radar de comunicação

Name: Wafer de carburo de silício 6 polegadas Sic Single Crystal 150mm Diâmetro 3C-N Tipo de fato para sistemas de radar de comunicação
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 3C-N SiC
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Detalhes do produto

Lugar de origem: China

Marca: ZMSH

Certificação: rohs

Número do modelo: 3C-N SiC

Termos de pagamento e envio

Quantidade de ordem mínima: 10 por cento

Preço: by case

Detalhes da embalagem: Caixa de plástico personalizada

Tempo de entrega: em 30days

Termos de pagamento: T/T

Habilidade da fonte: 1000pc/month

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Descrição do produto

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                                                                                                                                                                                                                                                                                Wafer de carburo de silício tipo 3C-N, Wafer de carburo de silício de 6 polegadas, Wafer de carburo de silício de 150 mm de diâmetro
                              

Tamanho:	6 polegadas.	Constante dielétrica:	9,7
Dureza da superfície:	HV0,3>2500	Densidade:	3.21 G/cm3
Coeficiente de expansão térmica:	4,5 X 10-6/K	Tensão de ruptura:	5,5 MV/cm
Aplicações:	Comunicações, sistemas de radar

Tamanho:	6 polegadas.
Constante dielétrica:	9,7
Dureza da superfície:	HV0,3>2500
Densidade:	3.21 G/cm3
Coeficiente de expansão térmica:	4,5 X 10-6/K
Tensão de ruptura:	5,5 MV/cm
Aplicações:	Comunicações, sistemas de radar

Wafer de carburo de silício 6 polegadas Sic Single Crystal 150mm Diâmetro 3C-N Tipo de fato para sistemas de radar de comunicação

Descrição do produto:

Wafer de carburo de silício 6 polegadas Sic Single Crystal 150mm Diâmetro 3C-N Tipo de fato para sistemas de radar de comunicação

3C-SiC (Carburo de Silício cúbico) é um material semicondutor de banda larga com boas propriedades elétricas e térmicas, especialmente adequado para alta frequência,aplicações de alta potência e dispositivos eletrónicosA dopagem do tipo N é geralmente obtida através da introdução de elementos como o nitrogénio (N) e o fósforo (P), o que torna o material electronegativo e adequado para uma variedade de projetos de dispositivos eletrônicos.A distância é de aproximadamente 3A dopagem do tipo N ainda mantém uma alta mobilidade eletrônica, o que melhora o desempenho do dispositivo.A excelente condutividade térmica ajuda a melhorar a capacidade de dissipação de calor dos dispositivos de energiaA sua resistência mecânica é boa e é adequada para uso em ambientes adversos. Tem boa resistência a uma ampla gama de produtos químicos e é adequado para aplicações industriais.é utilizado em conversores de potência e motores de alta eficiência, adequado para veículos elétricos e sistemas de energia renovável.

Características:

· Larga distância de banda: distância de banda de aproximadamente 3,0 eV para aplicações de alta temperatura e alta tensão.

· Alta mobilidade dos elétrons: o doping do tipo N proporciona uma boa mobilidade dos elétrons e melhora o desempenho geral do dispositivo.

· Excelente condutividade térmica: possui excelente condutividade térmica e melhora eficazmente o desempenho de dissipação de calor, adequado para aplicações de alta potência.

· Boa resistência mecânica: possui elevada resistência e resistência à compressão e é adequado para utilização em ambientes adversos.

· Resistência química: boa resistência a uma ampla gama de produtos químicos, aumentando a estabilidade do material.

· Características eléctricas ajustáveis: Ao ajustar a concentração de dopagem, podem ser obtidas diferentes propriedades eléctricas para satisfazer as necessidades de uma variedade de aplicações.

Parâmetros técnicos:

Wafer de carburo de silício 6 polegadas Sic Single Crystal 150mm Diâmetro 3C-N Tipo de fato para sistemas de radar de comunicação 4

Aplicações:

1- Eletrónica de potência: para conversores de potência, inversores e accionadores de elevada eficiência, amplamente utilizados em veículos eléctricos e sistemas de energia renovável.

2Equipamento de RF e Microondas: amplificadores de RF, equipamento de microondas, especialmente adequados para sistemas de comunicação e radar.

3Optoelectronics: Pode ser usado como bloco de construção para LEDs e detectores de luz, especialmente em aplicações azuis e ultravioleta.

4Sensores: aplicados a uma ampla gama de sensores em ambientes de alta temperatura e alta potência, proporcionando um desempenho fiável.

5. Carregamento sem fio e gestão da bateria: Usado em sistemas de carregamento sem fio e dispositivos de gestão da bateria para melhorar a eficiência e o desempenho.

6Equipamento eléctrico industrial: Utilizado em sistemas industriais de automação e controlo para melhorar a eficiência energética e a estabilidade do sistema.

Personalização:

O nosso substrato SiC está disponível no tipo 3C-N e é certificado RoHS. A quantidade mínima de encomenda é 10pc e o preço é por caso. Os detalhes de embalagem são caixas de plástico personalizadas.O tempo de entrega é dentro de 30 dias e aceitamos termos de pagamento T / TA nossa capacidade de abastecimento é de 1000pcs/mês. O tamanho do substrato de SiC é de 6 polegadas.

Os nossos serviços:

1- Fabricação e venda diretas.

2Citações rápidas e precisas.

3Responder-lhe-emos no prazo de 24 horas úteis.

4. ODM: O design personalizado é disponível.

5Rapidez e entrega preciosa.

Perguntas frequentes:

P: A sua empresa é uma fábrica ou uma empresa comercial?
R: Nós somos a fábrica e também podemos exportar nós mesmos.

P: Posso personalizar os produtos com base nas minhas necessidades?
R: Sim, podemos personalizar o material, especificações e forma, tamanho com base em suas necessidades.

P: Qual é a forma de envio e custo?
A: (1) Aceitamos DHL, Fedex, EMS, etc.
(2) Se você tem sua própria conta expressa, é ótimo. Se não, podemos ajudá-lo a enviá-los.
O frete está de acordo com a liquidação real.

Tags:

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Wafer de carburo de silício 6 polegadas Sic Single Crystal 150mm Diâmetro 3C-N Tipo de fato para sistemas de radar de comunicação

Wafer de carburo de silício tipo 3C-N

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Wafer de carburo de silício de 150 mm de diâmetro

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Wafer de carburo de silício 6 polegadas Sic Single Crystal 150mm Diâmetro 3C-N Tipo de fato para sistemas de radar de comunicação

Características:

Parâmetros técnicos:

Aplicações:

Personalização:

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2Citações rápidas e precisas.

3Responder-lhe-emos no prazo de 24 horas úteis.

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5Rapidez e entrega preciosa.

Perguntas frequentes:

P: A sua empresa é uma fábrica ou uma empresa comercial?R: Nós somos a fábrica e também podemos exportar nós mesmos.

P: Posso personalizar os produtos com base nas minhas necessidades?R: Sim, podemos personalizar o material, especificações e forma, tamanho com base em suas necessidades.

P: Qual é a forma de envio e custo?A: (1) Aceitamos DHL, Fedex, EMS, etc.(2) Se você tem sua própria conta expressa, é ótimo. Se não, podemos ajudá-lo a enviá-los.O frete está de acordo com a liquidação real.

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R: Nós somos a fábrica e também podemos exportar nós mesmos.

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