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Wafer SiC de Carbono de Silício 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Tipo Prime / Dummy / Grau de Pesquisa

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Wafer de safira fora do eixo C em direção ao plano M 20° Al2O3 Dia 2"3"4"6"8" Personalizar orientação

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