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Sic carcaça
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| Lugar de origem | porcelana |
| Marca | SICC |
| Certificação | CE |
| Número do modelo | 4h-n |
tipo sic carcaça da espessura 4H N de 6inch Dia150mm 350um para o SBD para MOS Application
cristal da categoria da pesquisa da carcaça de 2inch Dia50mm 4H semi sic único
N-tipo sic categoria da espessura 4H de 2inch dia50mm 330μm da produção da carcaça
N-tipo 6H ou 4H das bolachas do carboneto de silicone 2inch ou Semi-isolamento sic de carcaças
4 H-N Type/semi isolamento sic de bolachas do carboneto de silicone das carcaças 2inch 3inch 6inch
o que é sic subatrate
Sic uma carcaça refere uma bolacha feita do carboneto de silicone (sic), que é um material largo-bandgap do semicondutor que tenha propriedades elétricas e térmicas excelentes. Sic as carcaças são de uso geral como uma plataforma para o crescimento das camadas epitaxial de sic ou dos outros materiais, que podem ser usados para fabricar vários dispositivos eletrônicos e optoelectronic, tais como transistor de alta potência, diodos de Schottky, fotodetector UV, e diodo emissor de luz.
As carcaças são preferidas sic sobre outros materiais do semicondutor, tais como o silicone, para as aplicações de alta potência e de alta temperatura da eletrônica devido a suas propriedades superiores, incluindo uma mais alta tensão da divisão, uma condutibilidade térmica mais alta, e uma mais alta temperatura do funcionamento máximo. Sic os dispositivos podem operar-se em umas temperaturas muito mais altas do que dispositivos silicone-baseados, fazendo os apropriados para o uso em ambientes extremos, como em aplicações automotivos, aeroespaciais, e da energia.
Aplicações
Depósito do nitreto de III-V
Dispositivos Optoelectronic
Dispositivos de alta potência
Dispositivos de alta temperatura
Dispositivos de poder de alta frequência
Especificação
| Diâmetro | 150 | milímetro |
| Tipo | 4H- N) (do nitrogênio/4H-SI (Semi-isolar) | |
| Resistividade | 4H-Ni: 0,015 ~ 0,028; 4H-SI: >1E5 | Ω.cm |
| Thickness* | (± 330 ~ de 500) 25 | µm |
| Orientation* |
Em-linha central: <0001> ± 0.5˚ Fora-linha central: 4˚± 0.5˚off para (11-20) |
grau |
| Flat* preliminar | ± 5.0˚ (de 10-10) | grau |
| Plano secundário | Nenhum | grau |
| TTV* | ≤15 | µm |
| Bow* | ≤40 | µm |
| Warp* | ≤60 | µm |
| Densidade de Micropipe | Zero: ≤1/produção: ≤5/manequim: ≤15 | cm2 |
| Aspereza | Lustrado (Ra≤1) | nanômetro |
| CMP (Ra≤0.5) |
Corrente industrial
A corrente sic industrial do carboneto de silicone é dividida na preparação material da carcaça, no crescimento da camada epitaxial, na fabricação do dispositivo e em aplicações a jusante. Os monocristal do carboneto de silicone são preparados geralmente pela transmissão física do vapor (método de PVT), e as folhas epitaxial são geradas então pelo depósito de vapor químico (método do CVD) na carcaça, e os dispositivos relevantes são feitos finalmente. Na corrente industrial sic de dispositivos, devido à dificuldade da tecnologia de fabricação da carcaça, o valor da corrente industrial é concentrado principalmente na relação ascendente da carcaça.
A empresa de ZMSH fornece fornece bolachas de 100mm e de 150mm sic. Com sua dureza (é sic o segundo material o mais duro no mundo) e estabilidade sob o calor e a corrente de alta tensão, este material está sendo amplamente utilizado em diversas indústrias.
FAQ
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: Sim, nós podemos personalizar o material, as especificações e a forma, tamanho baseado em suas necessidades.
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