Substrato de carburo de silício 4H-N SiC 2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas Prime Grade Dummy Grade

Descrição do produto

Substrato de carburo de silício 4H-N SiC 2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas Prime Grade Dummy Grade

A bolacha de carburo de silício (SiC) 4H-N de 4 polegadas é um material semicondutor com uma estrutura cristalina de politipo 4H.

É tipicamente orientado como (0001) Si-face ou (000-1) C-face.

Estas bolhas são de tipo N, dopadas com nitrogénio e têm uma espessura de cerca de 350 μm.

A resistividade dessas placas geralmente cai entre 0,015 e 0,025 ohm·cm, e muitas vezes possuem uma superfície polida em um ou em ambos os lados.

As bolinhas de carburo de silício são conhecidas por sua excelente condutividade térmica.

E também por uma banda larga de 3,23 eV, campo elétrico de alta degradação, e mobilidade significativa de elétrons.

Exibem uma elevada dureza, tornando-os resistentes ao desgaste e ao choque térmico, e têm uma estabilidade química e térmica excepcional.

Essas propriedades tornam as placas de SiC adequadas para aplicações em ambientes adversos, incluindo dispositivos eletrônicos de alta potência, alta temperatura e alta frequência.

Características da bolacha de SiC:

Nome do produto: Substrato de carburo de silício (SiC)

Estrutura hexagonal: propriedades eletrónicas únicas.

Largo intervalo de banda: 3,23 eV, permitindo a operação a altas temperaturas e resistência à radiação

Alta condutividade térmica: facilita a dissipação eficiente do calor

Campo Elétrico de Alta Ruptura: Permite uma operação de maior tensão com menor vazamento

Alta mobilidade eletrônica: melhora o desempenho dos dispositivos de RF e de potência

Baixa densidade de deslocamento: melhora a qualidade do material e a confiabilidade do dispositivo

Alta dureza: oferece resistência ao desgaste e ao esforço mecânico

Excelente estabilidade química: Resiste à corrosão e oxidação

Alta resistência ao choque térmico: mantém a integridade sob mudanças rápidas de temperatura

Parâmetros técnicos da bolacha de SiC:

Aplicações de wafer de SiC:

Os substratos de SiC (Carburo de Silício) são usados em várias aplicações de alto desempenho devido às suas propriedades únicas, como alta condutividade térmica, alta resistência ao campo elétrico e ampla distância de banda.Aqui estão algumas aplicações:

1Eletrónica de Potência

MOSFETs: Para conversão de energia eficiente, capaz de lidar com altas tensões e correntes.

Diodos Schottky: Usados em retificadores de potência e aplicações de comutação, oferecendo baixa queda de voltagem para a frente e comutação rápida.

JFETs: Ideal para comutação e amplificação de potência de alta tensão.

2. Dispositivos de RF

Amplificadores de RF: Melhora o desempenho nas telecomunicações, especialmente nas faixas de alta frequência.

MMICs (Monolithic Microwave Integrated Circuits): Usados em sistemas de radar, comunicações por satélite e outras aplicações de alta frequência.

3. Substratos de LED

LEDs de alto brilho: as excelentes propriedades térmicas tornam-no adequado para aplicações de iluminação e exibição de alta intensidade.

Personalização da bolacha de SiC:

Podemos personalizar o tamanho do substrato de SiC para atender às suas necessidades específicas.

Oferecemos também uma bolacha 4H-Semi HPSI SiC com um tamanho de 10x10mm ou 5x5mm e tipo 6H-N,6H-Semi.

O preço é determinado pelo caso, e os detalhes da embalagem podem ser personalizados de acordo com as suas preferências.

O tempo de entrega é de 2 a 4 semanas. Aceitamos o pagamento via T/T.

Esta é a de personalização.

Suporte e Serviços de Wafer SiC:

O nosso produto de substrato de SiC vem com suporte técnico e serviços abrangentes para garantir um desempenho óptimo e satisfação do cliente.

A nossa equipa de especialistas está disponível para ajudar na selecção, instalação e solução de problemas do produto.

Oferecemos formação e educação sobre o uso e manutenção dos nossos produtos para ajudar os nossos clientes a maximizar o seu investimento.

Além disso, fornecemos atualizações e melhorias contínuas de produtos para garantir que nossos clientes tenham sempre acesso à tecnologia mais recente.

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Primeiro.

Estamos orgulhosos de oferecer wafers SiC de 8 polegadas, as maiores disponíveis, com preços competitivos e excelente qualidade.tornando-os a escolha ideal para aplicações de semicondutores de alto desempenhoMantenham-se à frente com a nossa tecnologia de ponta!

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Segundo

Nossa ampla gama de wafers de SiC inclui 4H-N, 6H-N, 4H-SEMI, HPSI, 4H-P e 6H-P, atendendo a várias necessidades industriais.Estas placas de alta qualidade oferecem um excelente desempenho para a eletrônica de potência e aplicações de alta frequência, proporcionando flexibilidade e

Confiabilidade das tecnologias de ponta.

Tipo 14H-N

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Tipo 26H-N

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Tipo 4HPSI

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Tipo 54H-P 6H-P

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FAQs de wafer de SiC: