A tua busca. [ Sic 6H P ] correspondência
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Wafer de carburo de silício Sic 6H-P Tipo Off Axis 2.0° Para a produção Grau de pesquisa
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6H-P Substrato de carburo de silício SiC 6 polegadas SIC Wafer 4H-P Para dispositivos optoeletrônicos
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Substrato de carburo de silício de 6 polegadas Sic Tipo 6H-P para sistemas de comunicações e radares Diâmetro 150 mm Prime Grade
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2 polegadas/4 polegadas/6 polegadas/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrato de Carbono de Silício Tipo 3C-N No eixo: < 111 > ± 0,5° Grau de produção Grau de simulação
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CVD SiC Epitaxy Wafer 2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas 6 polegadas espessura de epitaxia 2,5-120 um para energia eletrônica