6H-P Substrato de carburo de silício SiC 6 polegadas SIC Wafer 4H-P Para dispositivos optoeletrônicos

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Sobre o substrato SiC de tipo P

- apoiar as personalizadas com desenhos gráficos

- um cristal hexagonal (4H SiC), obtido a partir de monocristal SiC

- alta dureza, dureza de Mohs chega a 9.2, só atrás do diamante.

- excelente condutividade térmica, adequada para ambientes de alta temperatura.

- características de banda larga, adequadas para dispositivos electrónicos de alta frequência e de alta potência.

Descrição do substrato SiC do tipo P

6H-P SiC (carburo de silício policristalino hexagonal) é um material semicondutor importante, que é amplamente utilizado em alta temperatura,Dispositivos eletrónicos de alta frequência e alta potência devido à sua excelente estabilidade térmica e propriedades eléctricasA sua estrutura cristalina hexagonal única permite ao 6H-P SiC manter uma boa condutividade e resistência mecânica em condições extremas.uma tensão de ruptura elevada e uma excelente condutividade térmica, pelo que apresenta um grande potencial de aplicação em dispositivos electrónicos de potência, células solares e LEDs.

Em comparação com o SiC de tipo N, o SiC 6H-P apresenta diferenças óbvias no tipo de dopagem e no mecanismo de condutividade.O SiC do tipo N aumenta sua condutividade adicionando doadores de elétrons (como nitrogênio ou fósforo) para aumentar a concentração do portadorEm contrapartida, o tipo de transportador e a concentração do 6H-P SiC dependem da selecção e distribuição dos seus elementos dopantes.o que o faz funcionar bem em aplicações de alta frequência, enquanto o 6H-P SiC pode manter a estabilidade em ambientes de alta temperatura e alta potência devido às suas características estruturais,que o tornam adequado para aplicações como eletrónica de potência e sensores de alta temperatura.

O processo de produção de 6H-P SiC é relativamente maduro, e é principalmente preparado por deposição química de vapor (CVD) e crescimento de fusão.Devido à sua excelente resistência mecânica e resistência à corrosão, o 6H-P SiC é considerado uma escolha ideal para substituir os materiais tradicionais de silício, especialmente para aplicações em ambientes adversos.

Com a crescente procura por dispositivos de alta eficiência, a investigação e desenvolvimento do 6H-P SiC avançam constantemente e espera-se que desempenhe um papel mais importante nos veículos de novas energias, nas redes inteligentes,Os dois têm as suas próprias vantagens e a escolha deve ser considerada de forma abrangente em função das exigências específicas da aplicação.

Detalhes do substrato SiC do tipo P

amostras de substrato SiC de tipo P