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Máquina de Sistema de Separação a Laser de Substrato SiC de 6 polegadas a 12 polegadas para Wafers Personalizados

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Instrumento de Orientação de Bolacha Baseado em Difração de Raios-X para Determinação de Ângulo de Corte de Alta Precisão

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Máquina de Corte de Fio Diamantado de Linha Única para Material SiC/Safira/Quartzo/Cerâmica

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Wafers de sementes de cristais de SiC Dia 205 203 208 Crescimento de PVT/HTCVD de grau de produção

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Bolachas epitaxiais de SiC de 2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas e 6 polegadas 4H-N, grau de produção

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Diâmetro de Wafer Epitaxial SiC de 8 polegadas 200 mm Espessura 500 μm Tipo 4H-N

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Efector final de portador de cerâmica Sic personalizado para manuseio de wafer

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O lado dobro lustrou o diâmetro feito sob encomenda ótico φ350mm do tamanho de Windows da safira

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6inch Sapphire Wafer Orientation 0001 Al2O3 único Crystal Optical Transparency

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