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2 bolacha roxa do diodo emissor de luz da bolacha SSP do diodo emissor de luz Epi de GaN Sapphire da polegada

Detalhes do produto

Lugar de origem: China

Marca: ZMSH

Certificação: rohs

Número do modelo: o azul da GaN-EM-safira 2inch conduziu a epi-bolacha

Termos de pagamento e envio

Quantidade de ordem mínima: 5pcs

Preço: usd150.00

Detalhes da embalagem: única recipiente da bolacha ou caixa da gaveta 25pcs sob a sala 100cleaning

Tempo de entrega: 1-4week;

Termos de pagamento: T/T, Western Union

Habilidade da fonte: 1000PCS/Month

Obtenha o melhor preço
Destacar:

Bolacha do diodo emissor de luz Epi de GaN Sapphire

,

Bolacha do diodo emissor de luz Epi de 2 polegadas

,

Bolacha do diodo emissor de luz do nitreto do gálio

Material:
epi-bolachas da GaN-EM-safira
Carcaça:
Safira
Tamanho:
2-6inch
Superfície:
SSP/DSP
OEM MOQ:
20PCS
Espessura:
430um para 2inch
espessura do epi:
1-5um
Aplicação:
Diodo emissor de luz
Material:
epi-bolachas da GaN-EM-safira
Carcaça:
Safira
Tamanho:
2-6inch
Superfície:
SSP/DSP
OEM MOQ:
20PCS
Espessura:
430um para 2inch
espessura do epi:
1-5um
Aplicação:
Diodo emissor de luz
2 bolacha roxa do diodo emissor de luz da bolacha SSP do diodo emissor de luz Epi de GaN Sapphire da polegada

o azul da GaN-EM-safira de 2inch 4inch 6inch conduziu bolachas verdes da epi-bolacha PSS do diodo emissor de luz

Como um fabricante e um fornecedor principais de bolachas do epi de GaN (nitreto do gálio), nós oferecemos 2-6inch GaN em bolachas do epi da safira para aplicações da eletrônica da micro-ondas com uma espessura de 2 na polegada das carcaças 430um da safira do C-plano, 4 polegadas 520um, 650um e 6 polegadas 1000-1300um, o valor normal da camada do amortecedor de GaN são 2-4um; nós podemos igualmente fornecer estruturas e parâmetros personalizados de acordo com exigências de cliente.

GaN em Sapphire Templates

GaN em moldes da safira está disponível nos diâmetros de 2" até 6" e consiste em uma camada fina de GaN cristalino crescida por HVPE em uma carcaça da safira. moldes Epi-prontos agora disponíveis

Como um fabricante e um fornecedor principais de bolachas do epi de GaN (nitreto do gálio), nós oferecemos 2-6inch GaN em bolachas do epi da safira para aplicações da eletrônica da micro-ondas com uma espessura de 2 na polegada das carcaças 430um da safira do C-plano, 4 polegadas 520um, 650um e 6 polegadas 1000-1300um, o valor normal da camada do amortecedor de GaN são 2-4um; nós podemos igualmente fornecer estruturas e parâmetros personalizados de acordo com exigências de cliente.

Especs. para Epi-bolachas verdes do diodo emissor de luz de GaN-on-Sapphire/PSS
carcaças da safira e teste padrão Sapphire Substrates (PSS) com tamanho da bolacha de 2 polegadas a 6 polegadas.
A qualidade da bolacha encontra as seguintes especs.:

2 bolacha roxa do diodo emissor de luz da bolacha SSP do diodo emissor de luz Epi de GaN Sapphire da polegada 0

2 bolacha roxa do diodo emissor de luz da bolacha SSP do diodo emissor de luz Epi de GaN Sapphire da polegada 1

Características de cano principal (azuis/estrutura verde do diodo emissor de luz):
boa qualidade de cristal
Dispositivos optoelectronic de capacidade elevada

Para mais informação, visite por favor nosso Web site a outra página;
envie-nos o e-mail em eric-wang@galliumnitridewafer.com

ZMSH é um fabricante principal do material do semicondutor em China. ZMSH desenvolve tecnologias avançadas do crescimento de cristal e da epitaxia, processos de manufatura, carcaças projetadas e dispositivos de semicondutor. Nossas tecnologias permitem um desempenho mais alto e uma fabricação mais barata da bolacha de semicondutor.

Você pode obter nosso serviço livre da tecnologia do inquérito após ao serviço baseado em nossas experiências 10+ na linha do semicondutor.