Destacar:
Epiwafer GaAs VCSEL de 6 polegadas
, Epiwafer VCSEL de 940 nm
, 100 111 Epiwafer VCSEL
Cavity mode Tolerance: |
Within3% |
Modo de cavidade Uniformidade: |
<= 1% |
Dopinglevel tolerance: |
Within ±30 % |
Nível de doping Uniformidade: |
Cálculo do valor do produto |
PL Wavelength uniformity: |
Std. Dev better than 2nm @inner 140mm |
Thickness uniformity: |
Better than ±3% @inner 140mm |
Mole fraction x tolerance: |
Within ±0.03 |
Mole fraction x Uniformity: |
<= 0.03 |
N-GaAs substrato VCSEL epiwafer 6 polegadas GaAs orientação 100 111 comprimento de onda 940nm para Gigabit Ethernet
N-GaAs substrato VCSEL epiwafer 6 polegadas GaAs orientação 100 111 comprimento de onda 940nm para Gigabit Ethernet
Substrato de N-GaAs VCSEL epiwafer
OEpiwafer VCSEL de substrato de N-GaAs (arseneto de gálio do tipo n)É um componente crítico usado na fabricação de lasers de emissão de superfície de cavidade vertical (VCSELs).A bolacha é construída sobre um substrato GaAs tipo N, que proporciona uma excelente condutividade elétrica e uma base adequada para o crescimento da camada epitaxial.
As camadas epitaciais, tipicamente compostas por vários semicondutores compostos, são cultivadas no substrato para formar a região ativa do laser.oferecendo alta eficiência e fácil integração em matrizesO wafer normalmente suporta emissão em comprimentos de onda como850 nm ou 940 nm, ideal para aplicações em comunicações de fibra óptica e detecção 3D.
Os substratos de N-GaAs fornecembaixa densidade de defeito, essencial para dispositivos de alto desempenho, e pode suportarProcessamento a alta temperaturaA sua estabilidade mecânica e condutividade térmica tornam-na adequada para aplicações de alta potência e alta velocidade.Centros de dados,Eletrónica de consumo(por exemplo, reconhecimento facial em smartphones), esistemas automóveiscomo o LIDAR, devido ao seuRentabilidadeeEscalabilidadeprodução.
Estrutura da epiwafer VCSEL do substrato N-GaAs
Ficha de dados do epiwafer VCSEL de substrato N-GaAsZMSH VCSEL EPIWAFER.pdf)
Foto do epiwafer VCSEL do substrato N-GaAs
Aplicação de epiwafers VCSEL de substrato N-GaAs
OEpiwafer VCSEL com substrato de N-GaAsé amplamente utilizado em várias aplicações de alta tecnologia devido à sua eficiente emissão de luz vertical, escalabilidade e vantagens de desempenho.
Comunicação óptica:
- Os VCSELs em substratos de N-GaAs são amplamente utilizados emComunicação por fibra ópticasistemas, incluindoGigabit EtherneteCentros de dados, onde suportam a transmissão de dados de alta velocidade a curtas distâncias com uma elevada eficiência energética.
Sensores 3D:
- EmEletrónica de consumo, tais como smartphones e tablets, os VCSELs são parte integranteSensores 3Daplicações, incluindoreconhecimento facial(identificação facial),reconhecimento de gestos, eRealidade aumentadaO seu design compacto e a sua eficiência energética tornam-nos ideais para dispositivos móveis.
LIDAR (Detecção e alcance da luz):
- Os VCSEL são utilizados emSistemas LIDARparaveículos autónomos,drones, erobóticaO comprimento de onda de 940 nm é particularmente útil no LIDAR devido à sua capacidade de funcionar bem em condições externas.
Ratos e impressoras a laser:
- Os epiwafers VCSEL também são utilizados naratos a laserpara rastreamento de movimento preciso e emImpressoras a laserpara impressão de alta velocidade e alta resolução.
Sensores médicos e industriais:
- No diagnóstico médico e na automação industrial, os VCSEL são utilizados para:detecção de proximidade,Análise biométrica, esistemas de posicionamentodevido à sua precisão e fiabilidade.
Estas aplicações destacam a versatilidade e a importância dos VCSELs de substrato N-GaAs na tecnologia moderna.
Propriedades dos epiwafers VCSEL de substrato N-GaAs
OEpiwafer VCSEL com substrato de N-GaAsPossui várias propriedades importantes que o tornam ideal para aplicações optoeletrônicas avançadas, particularmente em tecnologias de comunicação e detecção de alta velocidade.
Alta condutividade elétrica:
- OSubstrato de GaAs de tipo nO VCSEL possui uma excelente condutividade elétrica, permitindo uma injecção eficiente do portador nas regiões activas do VCSEL.
Baixa densidade de defeitos:
- O substrato de GaAs tem tipicamente umbaixa densidade de deslocamento, que é crucial para dispositivos de alto desempenho, garantindo a uniformidade e a confiabilidade dos conjuntos VCSEL.
Alta condutividade térmica:
- O GAAs forneceboa condutividade térmica, permitindo uma eficiente dissipação de calor durante a operação de alta potência, tornando-o adequado para aplicações contínuas e de alta velocidade.
Tonabilidade por comprimento de onda:
- Os epiwafers VCSEL cultivados em substratos de N-GaAs podem ser adaptados para emitir luz em comprimentos de onda específicos, geralmente850 nme940 nm, que são ideais para comunicação por fibra óptica e detecção 3D.
Emissão vertical:
- Oestrutura de cavidade verticalO uso de VCSELs permite a emissão de luz perpendicular à superfície da bolacha, permitindo uma integração eficiente em matrizes e tornando a bolacha ideal para dispositivos ópticos compactos e de alta densidade.
Escalabilidade:
- O substrato N-GaAs suportaprodução em grande volume e de baixo custo, tornando-a uma escolha atraente para as indústrias de electrónica de consumo, automóveis e telecomunicações.
Estabilidade de temperatura:
- VCSELs em substratos de GaAs exibemdesempenho estável em temperaturas variáveis, garantindo uma operação fiável em ambientes exigentes, como centros de dados e veículos autónomos.
Essas propriedades tornam o epiwafer N-GaAs VCSEL ideal para aplicações que exigem desempenho optoeletrônico de alta velocidade, eficiente e confiável.
Epiwafer VCSEL com substrato de N-GaAs em ZMSH
OEpiwafer VCSEL de substrato de N-GaAs (arseneto de gálio do tipo n)É um componente vital para a fabricação de VCSELs, amplamente utilizado emComunicação óptica,Sensores 3D, eLIDARConstruído em N-GaAs, a bolacha fornece excelentecondutividade elétricae uma base sólida para o crescimento de camadas epitaxiais, permitindo a emissão de luz vertical de alta eficiência em comprimentos de onda como850 nme940 nm.
ZMSHfornece estas wafers de alta qualidade e garante a fiabilidade do produto através de métodos de teste avançados comoMapeamento PL,Mapeamento F-P, eModo cavidadeEstes testes ajudam a manter uma baixa densidade de defeito e a assegurar a uniformidade das placas, essencial para aplicações de alto desempenho.comprimentos de ondae configurações, tais comoVCSELs de junção única de 940 nm, satisfazendo diversas necessidades industriais.
Com o controlo de qualidade e a escalabilidade detalhados do ZMSH, estas placas são ideais para aplicações emCentros de dados,Eletrónica de consumo(por exemplo, reconhecimento facial), esistemas automóveis, que prevêRentabilidadeeconfiávelsoluções.
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