Detalhes do produto
Place of Origin: China
Marca: ZMSH
Model Number: N-GaAs Substrate
Termos de pagamento e envio
Delivery Time: 2-4 weeks
Payment Terms: T/T
Material: |
Arseneto de gálio |
Tamanho: |
2 polegadas |
Espessura: |
430um |
orientação: |
A partir de 1 de janeiro de 2015 |
Tipo: |
tipo de n |
Modo de cavidade Uniformidade: |
≤ 1% |
Material: |
Arseneto de gálio |
Tamanho: |
2 polegadas |
Espessura: |
430um |
orientação: |
A partir de 1 de janeiro de 2015 |
Tipo: |
tipo de n |
Modo de cavidade Uniformidade: |
≤ 1% |
Substrato de N-Gálcio Arsenídeo de 2 polegadas, Wafer Epitaxial VCSEL de N-GaAs, Wafer Epitaxial Semicondutor, Wafer de N-GaAs de 2 polegadas, Wafer de cristal único de GaAs, Substratos de N-GaAs de 2 polegadas, 3 polegadas e 4 polegadas,Wafer de semicondutores, N-Arseneto de gálio Laser Epitaxial Wafer
Características do substrato de N-GaAs
- utilizar substratos de GaAs para fabrico
- apoiar as personalizadas com desenhos gráficos
- bandgap direto, emite luz de forma eficiente, usado em lasers.
- na faixa de comprimento de onda de 0,7 μm a 0,9 μm, estruturas de poços quânticos
- utilizando técnicas como MOCVD ou MBE, gravação, metalização e embalagem para obter a forma final do dispositivo
Descrição doSubstrato de N-GaAs
VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) epitaxial wafers based on N-GaAs (n-type gallium arsenide) substrates are a key optoelectronic material widely used in the fields of lasers and optical communications.
O substrato N-GaAs é composto por gálio (Ga) e arsénio (As) e utiliza tecnologia de dopagem de tipo n para aumentar a concentração de elétrons livres,melhorando assim a condutividade e a mobilidade dos elétrons.
Este material tem uma largura de banda de energia de cerca de 1,42 eV, que é adequado para emissão a laser e possui excelentes propriedades optoeletrônicas.
A estrutura do VCSEL geralmente inclui vários poços quânticos e camadas refletoras, que são cultivadas no substrato N-GaAs para formar uma cavidade laser eficiente.
A camada de poço quântico é responsável por excitar e emitir lasers, enquanto o refletor aumenta a eficiência de saída do laser.
A excelente estabilidade térmica e as propriedades elétricas do substrato N-GaAs garantem o alto desempenho e estabilidade do VCSEL, o que o torna com bom desempenho na transmissão de dados de alta velocidade.
Os VCSELs baseados em substratos de N-GaAs são amplamente utilizados em campos como comunicações de fibra óptica, impressoras a laser e sensores.
A sua elevada eficiência e baixo consumo de energia tornam-na uma parte importante da tecnologia de comunicação moderna.
Com a crescente procura de transmissão de dados de alta velocidade, a tecnologia VCSEL baseada no substrato N-GaAs está gradualmente a tornar-se uma direcção importante para o desenvolvimento da optoelectrónica,Promover o progresso e a inovação de várias aplicações.
Detalhes do substrato de N-GaAs
| Parâmetro | VCSEL |
| Taxa | 25G/50G |
| comprimento de onda | 850 nm |
| tamanho | 4 polegadas / 6 polegadas |
| Modo de cavidade Tolerância | Dentro de ± 3% |
| Modo de cavidade Uniformidade | ≤ 1% |
| Tolerância ao doping | Dentro de ± 30% |
| Nível de doping Uniformidade | ≤ 10% |
| PL Uniformidade do comprimento de onda | Std.Dev melhor do que 2nm @ interior 140mm |
| Uniformidade da espessura | Melhor do que ± 3% @interior 140 mm |
| Fracção mol x Tolerância | Dentro de ± 0.03 |
| Fração mol x Uniformidade | ≤ 0.03 |
Mais amostras de N-GaAs Substrato
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Perguntas frequentes
1Q: O que dizer do custo dos substratos N-GaAs em comparação com outros substratos N-GaAs?substratos?
A:Substratos de N-GaAstendem a ser mais caros do que o silíciosubstratose alguns outros materiais semicondutores.
2P: E quanto às perspectivas futuras deSubstratos de N-GaAs?
A: As perspectivas futuras deSubstratos de N-GaAssão bastante promissores.
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