Sapphire Wafer C-Plane para M 1°off 99,999% Al2O3 Dia 2"3"4"6"8" personalizar orientação

Wafer de safira C-Plano para M 1°Off, 99,999% Al2O₃, Diâmetro 2"/3"/4"/6"/8", Orientação personalizada

Esta bolacha de safira de ultra-alta pureza possui um plano C para o eixo M 1° de orientação fora do corte com 99,999% (5N) de pureza de Al2O3,concebido para crescimento epitaxial avançado e aplicações especializadas em semicondutoresDisponível em diâmetros padrão (2" a 8") com orientações e espessuras personalizáveis, oferece uma precisão cristalográfica excepcional, densidade de defeito ultra-baixa,e superior estabilidade térmica/químicaO corte de 1° para o eixo M otimiza a qualidade do filme epitaxial para dispositivos baseados em GaN, AlN e ZnO, tornando-o ideal para LEDs de alto desempenho, diodos laser, eletrônicos de potência,e filtros SAW/BAW.

Características fundamentais da bolacha de safira

Orientação de precisão fora do corte:

Plano C para eixo M 1° ± 0,1° fora de corte, reduzindo os defeitos de agrupamento de passos e melhorando a uniformidade da camada epitaxial.

Ângulos de corte fora de medida (0,2° ∼5°) disponíveis para aplicações especializadas.

Ultra-alta pureza (5N Al2O3):

99Purificação de 0,999% com vestígios de impurezas (Fe, Ti, Si) < 5 ppm, garantindo perdas elétricas/ópticas mínimas.

Dimensões e orientações personalizáveis:

Diâmetros: 2", 3", 4", 6", 8"

Espessura: 100 μm a 1000 μm (tolerância ± 5 μm).

Orientações alternativas: plano A (1120), plano R (1102) ou cortes mistos mediante pedido.

Qualidade superior da superfície:

Polido preparado para epi: Ra < 0,5 nm (lado frontal) para deposição de película fina sem defeitos.

Poluição por dois lados (DSP): Ra < 0,3 nm para aplicações ópticas.

Propriedades excepcionais do material:

Estabilidade térmica: ponto de fusão ~ 2,050°C, adequado para processos MOCVD/MBE.

Transparência óptica: > 85% de transmissão (ultravioleta a infravermelho médio: 250 000 nm).

Robustez mecânica: Dureza de 9 Mohs, resistente ao desgaste químico/abrasivo.

Aplicações deWafer de safira.

Optoeletrónica:

Diodos LED/Laser baseados em GaN: LEDs azuis/UV, micro-LEDs e lasers emissores de borda.

Janela de laser: CO2 de alta potência e componentes de laser excimer.

Eletrónica de Potência e RF:

HEMT (High-Electron-Mobility Transistors): amplificadores de potência 5G/6G e sistemas de radar.

Filtros SAW/BAW: A orientação do plano M aumenta o desempenho piezoelétrico.

Industrial e Defesa:

Janela infravermelha e cúpula de mísseis: Alta transparência em ambientes extremos.

Sensores de safira: revestimentos resistentes à corrosão para condições adversas.

Tecnologias Quânticas e de Pesquisa:

Substratos para qubits supercondutores (computação quântica).

Óptica não linear: cristais SPDC para estudos de entrelaçamento quântico.

Semicondutores e MEMS:

Wafers SOI (Silicon-on-Insulator) para ICs avançados.

Resonadores MEMS: Estabilidade de alta frequência com cortes no plano M.

Especificações

Perguntas e respostas

Q1:Porquê escolher um plano C para M 1° fora de corte para epitaxia GaN?
A1:O corte fora do eixo M melhora a mobilidade do átomo durante o crescimento, reduzindo defeitos e aumentando a uniformidade em filmes de GaN para dispositivos de alta potência.

P2:Posso solicitar outras direcções fora de corte (por exemplo, eixo A)?
A2:Sim, estão disponíveis orientações personalizadas (plano A, plano R ou cortes mistos) com tolerância de ± 0,1°.

P3: Qual é a vantagem do DSP para aplicações a laser?

A3:O DSP fornece uma rugosidade de < 0,3 nm em ambos os lados, reduzindo as perdas de dispersão para a óptica a laser de alta potência.