Wafer de safira de 12' de diâmetro 250 mm ± 0,5 mm Espessura 1000 Um C-Plano 99,99% puro

12" Wafer de safira 250mm Diâmetro (± 0,5mm) 1000μm Espessura C-Plano

Isto...Wafer de safira de 250 mmO sistema de transmissão de luz de alta precisão (± 0,5 mm de diâmetro, 1000 μm de espessura) e ultra-alta pureza (99,99%) é otimizado para aplicações avançadas de semicondutores e optoeletrônicos.Orientação do plano C (0001)assegura uma qualidade de crescimento epitaxial excepcional para dispositivos baseados em GaN, enquanto o seu grande diâmetro maximiza a eficiência de produção para fabricação em grande volume.Ponto de fusão (000°C), transparência óptica (85%+ de UV a infravermelho médio) e robustez mecânica (9 dureza de Mohs), esta bolacha é ideal para eletrônica de potência, LEDs, sistemas a laser e tecnologias quânticas de ponta.

Características fundamentais da bolacha de safira

Precisão de grande formato:

Diâmetro: 250 mm ± 0,5 mm, compatível com linhas de fabrico de semicondutores de 12".

Espessura: 1000 μm ± 15 μm, concebido para resistência mecânica e uniformidade de processo.

Ultra-alta pureza (4N):

990,99% de Al2O puro₃, eliminando impurezas que degradam o desempenho óptico/elétrico.

Propriedades excepcionais do material:

Estabilidade térmica: Ponto de fusão ~ 2,050°C, adequado para ambientes extremos.

Claridade óptica: > 85% de transmissão de 350 nm a 4.500 nm (UV a infravermelho médio).

Dureza: 9 Mohs, resistente a arranhões e corrosão química.

Opções de qualidade da superfície:

Polido preparado para epi: Ra < 0,3 nm (medido pelo AFM), ideal para deposição de película fina.

Poluição de dois ladosDisponível para aplicações ópticas de precisão.

Aplicaçõesde Wafer de Safira

Optoeletrónica avançada:

Diodos LED/Laser à base de GaN: LEDs azul/UV, VCSELs para LiDAR e detecção 3D.

Display de micro-LED: Substratos uniformes para ecrãs AR/VR de última geração.

Dispositivos de energia e RF:

Amplificadores de potência 5G/6G: Baixa perda dielétrica a altas frequências.

HEMT e MOSFET: Transistores de alta tensão para veículos eléctricos.

Indústria e Defesa:

Janela IR/Cúpulas de mísseis: Transparência em ambientes adversos (por exemplo, no setor aeroespacial).

Sensores de safira: Coberturas resistentes à corrosão para controlo industrial.

Tecnologias emergentes:

Tecnologia portátil: Vidro de cobertura ultra-durável para smartwatches.

Especificações

Perguntas e respostas

P1: Por que uma bolacha de safira de 12 polegadas é vantajosa em relação a diâmetros menores?
A1:OO tamanho de 250 mm reduz os custos de produção por chipA tecnologia é baseada na utilização de um sistema de transmissão de luz, que permite a transmissão de um número maior de matrizes por wafer, crítico para a fabricação de grande volume (por exemplo, linhas de fabrico LED).Compatibilidade de ferramentas de wafer de Si de 300 mmpara processos híbridos de semicondutores.

P2: Como a espessura de 1.000 μm beneficia o desempenho do dispositivo?
A2:O1 mm de espessura aumenta a estabilidade mecânicaDurante os processos de manuseio e de alta temperatura (por exemplo, MOCVD), mantendo-se a condutividade térmica ideal para a dissipação de calor nos dispositivos de potência.

P3: Esta bolacha pode ser utilizada para aplicações UV (EUV) extremas?
A3:Sim, é.Alta transparência UV(até 350 nm) e resistência à radiação tornam-no adequado para componentes de litografia EUV e óptica espacial.

P4: A orientação do plano C é personalizável?
A5:- Sim, sim, sim.Plano A (1120) e plano R (1102)As placas podem ser produzidas para aplicações especializadas como filtros SAW ou heteroepitaxia.