Wafer de safira 8' Dia 200mm±0.2mm Espessura 725Um C-Plano 99,99% puro

Wafer de safira de 8 polegadas de diâmetro 200 mm (± 0,2 mm), espessura 725 μm, plano C, 99,99% puro

Esta bolacha de safira de alta pureza de 8 polegadas (200 mm) apresenta uma precisão dimensional excepcional (diâmetro ± 0,2 mm, espessura de 725 μm) e orientação cristalográfica (plano C),tornando-o ideal para aplicações optoeletrônicas e semicondutores exigentesCom uma pureza de 99,99% e uma estabilidade mecânica/térmica superior, a bolacha serve como um substrato ideal para a fabricação de LEDs, diodos laser e dispositivos de RF.O acabamento uniforme da superfície e a inércia química garantem sua fiabilidade em ambientes adversos, enquanto o seu grande diâmetro permite uma produção em massa económica.

Características fundamentais das wafers de safira

Geometria de precisão:

• Diâmetro: 200 mm ± 0,2 mm, garantindo a compatibilidade com ferramentas de semicondutores normais.
• Especificações técnicas para a produção de "fibras sintéticas" e "fibras sintéticas".

Excelência cristalográfica:

• Orientação em plano C (0001), preferida para o crescimento epitaxial de GaN em dispositivos LED/HEMT.
• Baixa densidade de deslocação (< 1.000 cm−2) para integração de dispositivos de alto desempenho.

Ultra-alta pureza:

• > 99,99% (4N) de pureza, minimizando as impurezas que afetam o desempenho óptico/elétrico.

Propriedades materiais robustas:

• Dureza: 9 Mohs, resistente a arranhões para durabilidade de manuseio.
• Estabilidade térmica: ponto de fusão ~ 2,050°C, adequado para processos de alta temperatura.
• Transparência óptica: 85%+ nos espectros visíveis até perto do infravermelho (350 nm ≈ 4500 nm).

Qualidade da superfície:

• Polido preparado para epitaxia: Ra < 0,3 nm para deposição de película fina sem defeitos.
• Polição opcional de dois lados, mediante pedido.

Aplicações das Wafers de Safira

Optoeletrónica:

Substrato para LEDs azuis/verdes/brancos (epitaxia InGaN/GaN).

Diodos laser (emissores de borda/VCSEL) em monitores e comunicações.

Eletrónica de Potência:

Dispositivos de RF (5G/6G antenas, amplificadores de potência) devido à baixa perda dielétrica.

Transistores de alta mobilidade electrónica (HEMT) para veículos elétricos.

Industrial e Defesa:

Janela infravermelha, cúpula de míssil (transparência de safira até a metade do infravermelho).

Coberturas protetoras para sensores em ambientes corrosivos/abrasivos.

Tecnologias emergentes:

Computação quântica (substratos de cristal SPD).

Ecrãs de dispositivos portáteis (coberturas resistentes a arranhões).

Especificações

Perguntas e respostas

P1: Por que escolher a safira do plano C para a epitaxia de GaN?
A1:A simetria hexagonal do plano C corresponde à estrutura cristalina do GaN, reduzindo a incompatibilidade da rede e permitindo um crescimento epitaxial de alta qualidade para LEDs e dispositivos de energia.

P2: Como a espessura (725μm) afeta o desempenho da wafer?
A2:725μm equilibra a estabilidade mecânica (reduzindo a quebra durante o manuseio) com a condutividade térmica, crítica para a dissipação de calor uniforme em processos MOCVD.

P3: Esta bolacha pode ser usada para aplicações de laser de alta potência?
A3:A sua elevada condutividade térmica e transparência nos comprimentos de onda UV-NIR tornam-na adequada para substratos de diodos laser e janelas ópticas.

Q4:Dispõe de orientações personalizadas (por exemplo, plano R)?

A5:As placas A-plane, R-plane e M-plane podem ser personalizadas para aplicações especializadas como dispositivos SAW.