Wafer de safira de 6' de diâmetro 150 mm ± 0,1 mm Espessura 1000um C-Plano

Wafer de safira de 6" de diâmetro 150mm±0,1mm Espessura 1000um C-plano 99,99% puro

As nossas bolinhas de safira de 6 polegadas de diâmetro são substratos de cristal único Al2O3 de engenharia de precisão, concebidos para aplicações de semicondutores exigentes, com um rigoroso controlo do diâmetro a 150,0±0.1 mm e espessura padrão de 1000±15 μm, estas placas orientadas para o plano C (0001) oferecem um desempenho excepcional para:

• Produção de LEDs e dispositivos de potência baseados em GaN
• Componentes de RF de alta frequência
• Sistema óptico avançado

Especificações

Aplicações das Wafers de Safira

Wafers de safira na optoeletrônica

• Displays micro-LED
• Dispositivos de esterilização UV
• Iluminação de alta luminosidade

Wafers de safira em eletrônicos de potência

• GaN HEMT para 5G/6G
• Módulos de energia eléctrica
• Sistemas de radar

Wafers de safira em tecnologias emergentes

• Dispositivos de ponto quântico
• Resonadores MEMS
• Sensores fotónicos

Características-chaveWafer de safira.

1O desempenho térmico superior das bolachas de safira

• Alta condutividade térmica: 35 W/m·K @ 25°C
• Baixa ETC: 5,3×10−6/K (25-500°C)
• Resistente a choques térmicos: Resiste a ΔT > 500°C

2Wafers de safiraExcelência Óptica

• Transmissão de banda larga: 85%@250nm → 92%@450nm → 90%@4000nm
• Bifringência mínima: <3 nm/cm @633 nm
• Poluição por laser: PV <λ/4 @633nm

3Wafers de safiraA robustez mecânica

• Dureza extrema: 2000 HV (Mohs 9)
• Alta resistência à flexão: 700±50 MPa
• Modulo de Young: 400 GPa

4Wafers de safiraVantagens de fabricação

• Controle de diâmetro: 150,0±0,1 mm (compatível com ferramentas de 6"
• Opções de espessura: 430-1000 μm disponíveis
• Perfil de borda: embocado ou marcado a laser de acordo com as normas SEMI

Processo de fabrico de wafer de safira

1. Orientação: localizar com precisão a posição da haste de cristal de safira na máquina de corte, de modo a facilitar o processamento de corte preciso

2Cortar a haste de cristal de safira em wafers finas

3. moagem: Remover a camada de corte de chips causada pelo corte e melhorar a planície da bolacha

4. Chamfering: Trim a borda da wafer em um arco circular para melhorar a resistência mecânica da borda da wafer para evitar os defeitos causados pela concentração de tensão

5. Polir: Melhorar a rugosidade da bolacha para alcançar a precisão da bolacha epitaxial

6Limpeza: remover os contaminantes na superfície da bolacha (como partículas de poeira, metais, contaminantes orgânicos)

7Inspecção da qualidade: a qualidade da bolacha (planura, partículas de poeira na superfície, etc.) deve ser verificada com instrumentos de ensaio de alta precisão para satisfazer os requisitos do cliente.