Detalhes do produto
Lugar de origem: porcelana
Marca: ZMSH
Certificação: rohs
Número do modelo: Forno de cristais de safira kyropoulos
Termos de pagamento e envio
Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: by case
Termos de pagamento: T/T
Melting capacity:: |
≥200kg |
Heater power:: |
120KW |
Maximum heating temperature:: |
2100℃ |
Output working current:: |
0-10000A DC |
Melting capacity:: |
≥200kg |
Heater power:: |
120KW |
Maximum heating temperature:: |
2100℃ |
Output working current:: |
0-10000A DC |
Forno de cristalização de zafiro ky processo de espuma kyropoulos Equipamento de crescimento de cristais de grande porte para substrato LED
Kyropoulos bubble method (Ky method for short) is a melt growth method by dipping seed crystals into molten sapphire melt and taking them out at a controlled rate when the crucible and crystal are reversedEste método pode produzir cristais de safira de alta qualidade, baixa densidade de defeito e grande tamanho, e é amplamente utilizado em substratos de LED e outros campos.
| Quantidade de fusão: | ≥ 200 kg |
| Altura da cavidade do forno | Φ800×1200 mm |
| Intervalo de velocidade de tração de cristal único: | 0.1 ~ 20 mm/h regulação da velocidade sem passo |
| Aumento/caída rápida do cristal de semente: | Regulação da velocidade 0-150 mm/min sem passos |
| Intervalo de velocidade de semeadura: | Regulação da velocidade de 1 ~ 20 r/min sem passos |
| Força máxima de elevação do eixo do cristal de semente: | 400 mm |
| Potência do aquecedor: | 120 kW |
| Temperatura máxima de aquecimento: | 2100°C |
| Fornecimento de energia (linha de entrada): | 380V de três fases |
| Corrente de saída: | 0-10000A DC |
| Voltagem de saída de trabalho: | 0-12,5 V CC |
| Altura máxima do hospedeiro: | 2800 mm |
| Vazio limite da câmara do forno: | ≤ 6,7 × 10-3 Pa |
| Célula de carga dupla: | 100 kg (simples) |
| Peso: | Cerca de 1500 kg. |
| Peso da máquina: | cerca de 2000Kg |
| Área principal da máquina: | 3800 × 2100 mm |
| A máquina cobre uma área de: | 4000 × 3100 mm |
| Pressão de entrada: | 00,3 MPa±0,02 MPa |
| Temperatura da entrada de água: | 20 ~ 25°C |
O núcleo do método Kyropoulos está no design de campos térmicos e controle de sementes.O equipamento faz derreter e forma um modo de distribuição de temperatura de alta temperatura na parte superior e baixa temperatura na parte inferior.Os cristais de sementes crescem do centro da superfície do derretimento, com os cristais de sementes como o núcleo, e o derretimento cristaliza camada por camada do cadinho para a parede de cristal,formando finalmente um único cristal.
Estrutura e características do produto
1. Conceção do campo térmico:Incluindo o cadinho, a camada de protecção térmica, o trocador de calor superior e o corpo de suporte do cadinho, etc., para assegurar a cristalização uniforme do fundido.
2Controle de cristais de sementes:Ao controlar com precisão o gradiente de temperatura e a velocidade de puxagem do cristal de semente, o crescimento do cristal de alta qualidade é alcançado.
3Sistema de automação:Os equipamentos modernos são geralmente equipados com um sistema automático de plantação e um sistema automático de controle, que podem produzir de forma eficiente.
1Cristal de alta qualidade:O método Ky pode produzir cristais de safira de baixa densidade de defeito, de grande tamanho, para atender à demanda da indústria de LED por substrato de alta qualidade.
2Relativamente baixo custo:Em comparação com outros métodos (como o método de Czochralski), o método Ky tem baixa complexidade operacional e custo relativamente controlável.
3Inovação tecnológica:O método Ky melhorado (IKY) melhora ainda mais o rendimento dos cristais e reduz os custos de produção, otimizando a tecnologia de extração de sementes e pescoço.
O equipamento de processo de bolhas Kyropoulos é amplamente utilizado nos seguintes campos:
1Indústria LED:Utilizado para produzir substrato de safira de alta qualidade para satisfazer as necessidades da fabricação de chips LED.
2Dispositivos militares infravermelhos:O safiro é amplamente usado em materiais de janela infravermelha por causa de suas excelentes propriedades ópticas.
3Tecnologia espacial por satélite:O safiro é utilizado como material chave na tecnologia de satélites.
4Material da janela a laser:Usado para materiais de janela a laser de alto desempenho.
O equipamento de crescimento de cristais Kyropoulos, com a sua elevada eficiência, baixo custo e alta qualidade, ocupa uma posição importante no campo do crescimento de cristais de safira,e é amplamente utilizado em muitos campos de alta tecnologia.
1Q: Quais são as principais vantagens do forno de cristalização de safira (método de bolhas de Kiropoulos) em comparação com outros métodos de crescimento de cristais?
R: 1. Não é necessário puxar continuamente o cristal de semente: no estágio de crescimento de igual diâmetro, o cristal é cristalizado por arrefecimento natural, sem depender de elevação mecânica,Reduzir perturbações e defeitos mecânicos.
2. Adequado para cristais de grandes dimensões: pode produzir cristal único de safira de 85-120 kg para satisfazer as necessidades de produção em massa industrial, tais como substratos de LED e aplicações de janelas ópticas.
3. Alto rendimento e baixo defeito: Design de campo térmico otimizado (como aquecedores segmentados e escudo térmico de múltiplas camadas), reduz a densidade de deslocação (< 1000/cm2), e rendimento superior a 75%.
4- Economia de energia e automação: câmara de vácuo totalmente fechada e estrutura de refrigeração por água de duas camadas reduzem a perda de energia,combinado com o sistema de controlo PLC para obter uma operação automatizada e reduzir a intervenção manual.
2P: Qual é a diferença essencial entre o princípio de funcionamento do equipamento do método de bolhas e o método de elevação tradicional (como o método Czochralski)?
R: 1. Diferença de estágio de crescimento: método de elevação: todo o processo precisa de elevar mecanicamente o cristal de semente, e o crescimento do cristal é alcançado controlando a velocidade de elevação,que é fácil de causar defeitos devido a vibrações mecânicas. Método de crescimento de bolhas: apenas no estágio de enrolamento para puxar o cristal de semente, o estágio de igual diâmetro depende do gradiente de temperatura do crescimento natural, reduz o estresse e melhora a uniformidade do cristal.
2- Controle do campo térmico: o método de crescimento de bolhas adota aquecimento independente de zona de temperatura dupla (corpo de aquecimento lateral + corpo de aquecimento inferior),Regula com precisão os gradientes de temperatura axial e radialA regra de elevação depende de uma única fonte de aquecimento e o gradiente de temperatura é fixo, o que é difícil de adaptar ao crescimento de cristais grandes.
3. cenário de aplicação: o método de bolha é mais adequado para cristais de grande tamanho e alta pureza (como safira, flúor de cálcio), enquanto o método Tila é usado principalmente para silício,Germânio e outros materiais semicondutores convencionais.
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