Equipamento de ligação anódica por termocompressão Ligação térmica por pressão Si Cu Al-Ge Material 600 °C 2-8 polegadas
Resumo do equipamento de ligação anódica por termocompressão
O equipamento de ligação anódica por termocompressão integra a tecnologia de ligação por duplo processo que combina a termocompressão e a ligação anódica,especialmente concebidos para embalagens metalizadas de wafers de 2 a 8" (e.g., sistemas Si/Cu/Al-Ge) com uma temperatura de funcionamento máxima de 600°C. Equipamento de ligação anódica por compressão térmica através de um controlo preciso dos parâmetros temperatura-pressão-voltagem,obtém uma vedação hermética de alta resistência entre as bolachas, tornando-o adequado para aplicações de embalagem que exigem resistência e fiabilidade a altas temperaturas, como dispositivos MEMS e semicondutores de potência.A principal vantagem reside na sua capacidade para ligação de difusão de metais (termocompressão) e ligação de interface vidro-sílico (ligação anódica).
Especificações técnicas do sistema de ligação de wafer
| Tamanho da bolacha: |
4-8 polegadas |
| Materiais compatíveis: |
Si, Cu, Au, Au-Sn, Al-Ge, etc. |
| Temperatura máxima: |
600°C |
| Pressão máxima: |
100 kN, precisão de controlo ± 1% |
| Taxa de aquecimento: |
30°C/min |
| Uniformidade de temperatura: |
≤ ± 2% |
| Voltagem e corrente do ânodo: |
≤ 2kV, ≤ 100mA |
| Precisão pós-ligação: |
≤ 5 μm, ≤ 2 μm |
| Método de carga: |
Cassete |
| Integração multimodo: |
Detecção de bordas, ativação, limpeza, alinhamento, ligação |
| Atmosfera de ligação: |
Vazio, metanol, gás inerte (opcional)Al) |
O equipamento de ligação anódica de termocompressão suporta o processamento de wafer de 2"-8" com uma temperatura máxima de operação de 600°C, faixa de pressão de 5-200 kN e nível de vácuo ≤5×10−3 Pa.Equipamento de ligação anódica por termocompressão incorporando um sistema de controlo de circuito fechado de alta precisão para a temperatura (± 1°C), pressão (fluctuação ≤ ± 1%) e tensão (0-2000 V ajustáveis para ligação anódica), compatíveis com sistemas de materiais incluindo Si, Cu e Al-Ge,O produto é especificamente concebido para aplicações em embalagens herméticas (taxa de vazamento ≤ 1×10−8 Pa·m3/s) em MEMS e dispositivos de potência.
Ligação por pressão térmica
Ligação Au-Si:
Princípio de funcionamento:
Equipamento de ligação anódica por termocompressão:
Performance de alinhamento da ligação por termocompressão (precisão < 2μm)
Aplicações
· Embalagem do dispositivo MEMS: O equipamento de ligação anódica por termocompressão permite a encapsulamento hermético dos sistemas microelectromecânicos, garantindo a fiabilidade operacional a longo prazo.
· Embalagens de semicondutores de potência: o equipamento de ligação anódica por termocompressão facilita a ligação de interfaces resistentes a altas temperaturas e termicamente condutoras para chips de alta potência.
· Embalagem hermética do sensor: o equipamento de ligação anódica por termocompressão fornece um encapsulamento protetor à prova de umidade/oxidação para sensores ambientalmente sensíveis.
· Integração optoeletrónica: O equipamento de ligação anódica por termocompressão permite a ligação heteromaterial entre componentes ópticos e electrónicos para melhorar a eficiência de conversão fotoelétrica.
Efeito de usinagemLigação anódica vidro-silício.
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