Equipamento de ligação anódica por termocompressão Ligação térmica por pressão Si Cu Al-Ge Material 600 °C 2-8 polegadas

Equipamento de ligação anódica por termocompressão Ligação térmica por pressão Si Cu Al-Ge Material 600 °C 2-8 polegadas

Resumo do equipamento de ligação anódica por termocompressão

O equipamento de ligação anódica por termocompressão integra a tecnologia de ligação por duplo processo que combina a termocompressão e a ligação anódica,especialmente concebidos para embalagens metalizadas de wafers de 2 a 8" (e.g., sistemas Si/Cu/Al-Ge) com uma temperatura de funcionamento máxima de 600°C. Equipamento de ligação anódica por compressão térmica através de um controlo preciso dos parâmetros temperatura-pressão-voltagem,obtém uma vedação hermética de alta resistência entre as bolachas, tornando-o adequado para aplicações de embalagem que exigem resistência e fiabilidade a altas temperaturas, como dispositivos MEMS e semicondutores de potência.A principal vantagem reside na sua capacidade para ligação de difusão de metais (termocompressão) e ligação de interface vidro-sílico (ligação anódica).

Especificações técnicas do sistema de ligação de wafer

O equipamento de ligação anódica de termocompressão suporta o processamento de wafer de 2"-8" com uma temperatura máxima de operação de 600°C, faixa de pressão de 5-200 kN e nível de vácuo ≤5×10−3 Pa.Equipamento de ligação anódica por termocompressão incorporando um sistema de controlo de circuito fechado de alta precisão para a temperatura (± 1°C), pressão (fluctuação ≤ ± 1%) e tensão (0-2000 V ajustáveis para ligação anódica), compatíveis com sistemas de materiais incluindo Si, Cu e Al-Ge,O produto é especificamente concebido para aplicações em embalagens herméticas (taxa de vazamento ≤ 1×10−8 Pa·m3/s) em MEMS e dispositivos de potência.

Ligação por pressão térmica

Ligação Au-Si:

Princípio de funcionamento:

Equipamento de ligação anódica por termocompressão:

Performance de alinhamento da ligação por termocompressão (precisão < 2μm)

Aplicações

· Embalagem do dispositivo MEMS: O equipamento de ligação anódica por termocompressão permite a encapsulamento hermético dos sistemas microelectromecânicos, garantindo a fiabilidade operacional a longo prazo.

· Embalagens de semicondutores de potência: o equipamento de ligação anódica por termocompressão facilita a ligação de interfaces resistentes a altas temperaturas e termicamente condutoras para chips de alta potência.

· Embalagem hermética do sensor: o equipamento de ligação anódica por termocompressão fornece um encapsulamento protetor à prova de umidade/oxidação para sensores ambientalmente sensíveis.

· Integração optoeletrónica: O equipamento de ligação anódica por termocompressão permite a ligação heteromaterial entre componentes ópticos e electrónicos para melhorar a eficiência de conversão fotoelétrica.

Efeito de usinagemLigação anódica vidro-silício.