Resumo do forno de oxidação LPCVD
Forno de oxidação LPCVD de 6 polegadas, 8 polegadas e 12 polegadas para deposição uniforme de filme fino
Os sistemas LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) servem como equipamento crítico de deposição de película fina na fabricação de semicondutores, principalmente utilizados para o cultivo de polissilício, nitruro de silício,e películas de óxido de silícioAs principais vantagens da tecnologia incluem:
1) Ambiente de baixa pressão (0,1 a 10 Torr) que assegura uma uniformidade excepcional do filme no limite de ±1,5%;
2) Projeto de reator vertical que permita um processamento de alta produtividade de 150-200 wafers por lote;
3) Deposição por activação térmica a 300-800°C sem danos induzidos por plasma, tornando-a particularmente adequada para processos de precisão como a formação dieléctrica de porta.
Esta tecnologia foi amplamente adotada na fabricação de nós avançados (5nm e além) para chips lógicos e dispositivos de memória.
The LPCVD process operates under reduced pressure conditions where the extended mean free path of gas molecules (significantly greater than at atmospheric pressure) contributes to superior film uniformityO arranjo vertical da bolacha não só maximiza a capacidade dos lotes, mas também aumenta a eficiência da produção, tornando o sistema ideal para a fabricação de semicondutores em escala industrial.
Forno de oxidação LPCVDEspecificações
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Tecnologia
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Ponto de ensaio LP-SiN |
Controle |
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Deposição de nitritos
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Artigo 4o
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Partícula de transferência |
< 15EA (> 0,32μm) |
| Partículas de processo |
< 60EA (> 0,32μm),
< 80EA (> 0,226μm)
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Espessura ((A)
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NIT1500 |
1500±50 |
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Uniformidade
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dentro de wafer < 2,5%
Wafer para wafer < 2,5%
Execução em execução < 2%
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Tamanho da bolacha
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Wafer de 6/8/12 polegadas |
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Intervalo de temperatura do processo
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500°C-900°C |
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Comprimento da zona de temperatura constante
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≥ 800 mm |
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Precisão do controlo da temperatura
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± 1°C |
Características do produto dos equipamentos LPCVD:
*Operação automatizada com manipulação de wafer de alta precisão
*Câmara de processo ultralimpa com mínima contaminação por partículas
*Uniformidade superior da espessura da película
*Controle inteligente da temperatura com regulação em tempo real
*Suporte de wafer SiC para redução do atrito e geração de partículas
*Regulação automática da pressão para um desempenho constante do processo
*Configurações personalizáveis para diversos requisitos de processo
Princípio de deposição do LPCVD:
1Introdução de gases: Os gases reagentes são introduzidos no tubo, mantendo um ambiente de baixa pressão dentro do tubo necessário para a reação, normalmente variando de 0,25 a 1 Torr.
2- Transporte superficial de reagentes: sob condições de baixa pressão, os reagentes podem se mover livremente na superfície da bolacha.
3. Adsorção de reagentes na superfície do substrato: os reagentes aderem à superfície do substrato.
4Reacção química na superfície da bolacha: os reagentes sofrem decomposição térmica ou reação na superfície da bolacha, formando produtos.
5. Eliminação de gases não-produtos: outros gases que não os produtos da reação são removidos da superfície para manter o ambiente de baixa pressão e evitar interferências no processo de deposição.
6. Acúmulo de produtos de reação para formar filme: Os produtos de reação se acumulam na superfície para formar um filme sólido.
Aplicação do processo de oxidação
Os processos de oxidação do silício são fundamentais em todo o processo de fabricação de semicondutores.
1. Camada de óxido de blindagem: atua como uma barreira para evitar a contaminação da wafer de silício, bloqueando a fotoresistência,E também pode dispersar íons antes de entrarem no silício de cristal único para reduzir os efeitos de canalização..
2. Camada de óxido de silício: Esta camada é usada para reduzir o estresse entre o silício e o nitreto de silício.A força de tração de até 10^10 dyn/cm2 das camadas de nitruro de silício LPCVD pode causar rachaduras ou mesmo quebras nas wafers de silício .
3. Camada de óxido de porta: Servindo como camada dielétrica em estruturas MOS, permite vias de condução de corrente e realiza controle de efeito de campo.
Classificação dos sistemas LPCVD: configurações verticais versus horizontais
Os equipamentos LPCVD são classificados em tipos verticais e horizontais, a nomenclatura derivada da orientação da câmara do forno ou, equivalentemente, da direção de colocação do substrato.Estas duas configurações predominantes de sistemas de deposição de vapor químico a baixa pressão (LPCVD) são diferenciadas principalmente pela disposição do substrato e pela dinâmica do fluxo de gás.
Sistemas LPCVD verticais:
No LPCVD vertical, os gases de processo são tipicamente introduzidos a partir da parte superior da câmara de reação e fluem para baixo através dos substratos antes de serem esgotados a partir da parte inferior.Este projeto ajuda a garantir o fluxo uniforme de gás em cada substrato, conseguindo assim uma deposição de película fina consistente.
Sistemas horizontais LPCVD:
Os sistemas LPCVD horizontais são concebidos para permitir que os precursores fluam de uma extremidade do substrato para a outra, criando assim um fluxo contínuo de gás da entrada para a saída,que podem contribuir para a formação uniforme de uma películaNo entanto, pode também resultar numa deposição mais espessa perto do lado da entrada de gás em comparação com a extremidade oposta.
Efeito de usinagemForno de oxidação LPCVD
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