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[silicon carbide substrate ]

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GaN On Diamond And Dimond no HEMT de GaN Wafer By Epitaxial e na ligação

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SiC Ceramic Vacuum Chuck Flip-Chip Bonding Mirror Polishing High-Stiffness

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Bolacha Epitaxial SiC Tipo 4H-N de 2 polegadas de diâmetro (50,8 mm) para Sensores de Alta Temperatura

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Equipamento de polimento de uma só face de alta precisão para wafers Si/SiC/safiros

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Customized SiC Boats Vertical & Horizontal Wafer Carriers

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Máquina de corte com serra diamantada multi-fio para SiC/Safira/Materiais frágeis ultra-duros

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Wafer de sementes de SiC 4H N Tipo Dia 153 155 2 polegadas-12 polegadas Personalizado para fabricação de MOSFETs

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Bolacha Epitaxial SiC de 6 polegadas, Diâmetro 150mm, Tipo 4H-N, Tipo 4H-P, para Comunicação 5G

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Customized SiC Ceramic Suction Cups for Lithography Applications

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Bolachas epitaxiais de SiC de 2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas e 6 polegadas 4H-N, grau de produção

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Placa portadora revestida com SiC de alta pureza para manuseio e transferência de wafer

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Sistema de Afinação de Wafer Equipamento de Afinação de Precisão Wafer SiC Si Compativel Capacidade de Wafer de 4 -12 polegadas

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