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Substrato de carburo de silício dopante de tipo N de politipo 4H de diâmetro superior a 300 mm para dispositivos de alta potência

Nome da marca:	ZMSH
MOQ:	50
Tempo de entrega:	2-4 SEMANAS
Condições de pagamento:	T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

Xangai,China

Polytype:

Tipo de doping:

Tipo N

Diâmetro:

300±0,5mm

Grossura:

Verde: 600 ± 100 μm / Transparente: 700 ± 100 μm

Orientação de superfície:

4° em direção a <11-20> ± 0,5°

Flat primário:

Entalhe / rodada completa

Profundidade do entalhe:

1 – 1,5 mm

Variação da espessura total (TTV):

≤ 10 μm

Densidade de microtubos (MPD):

≤ 5 ea/cm²

Destacar:

Substrato SiC de 300 mm de diâmetro

Substrato de carboneto de silício politipo 4H

Wafer SiC de 12 polegadas com dopagem tipo N

Descrição do produto

Soluções de Substrato de Carbeto de Silício (SiC) de 12 Polegadas (300 mm) Premium

Substratos de Carbeto de Silício 4H-N de Alta Qualidade (12 Polegadas/300 mm) para Dispositivos de Alta Potência

Introdução Abrangente do Produto

O substrato de Carbeto de Silício (SiC) de 12 polegadas (300 mm) representa a fronteira atual na tecnologia de semicondutores de banda larga (WBG). À medida que a indústria global transita para maior eficiência e maior densidade de potência, esta plataforma cristalina de grande diâmetro fornece a base essencial para eletrônicos de potência e sistemas de RF de próxima geração.

Vantagens Estratégicas Chave

Produção Massiva: Em comparação com as bolachas convencionais de 150 mm (6 polegadas) e 200 mm (8 polegadas), o formato de 300 mm oferece mais de 2,2x e 1,5x a área de superfície utilizável, respetivamente.
Otimização de Custos: Reduz drasticamente o "custo por chip" ao maximizar o número de chips produzidos por ciclo de fabricação único.
Compatibilidade Avançada: Totalmente compatível com linhas de fabricação de semicondutores (Fabs) de 300 mm modernas e totalmente automatizadas, melhorando a eficiência operacional geral.

Ofertas de Grau de Produto

Grau de Produção 4H SiC Tipo N: Projetado para fabricação de dispositivos de potência de grau comercial e de alto rendimento.
Grau de Simulação 4H SiC Tipo N: Uma solução econômica para testes mecânicos, calibração de equipamentos e validação de processos térmicos.
Grau de Produção 4H SiC Semi-Isolante (SI): Projetado especificamente para aplicações de RF, radar e micro-ondas que exigem extrema resistividade.

Características Detalhadas do Material

Carbeto de Silício 4H-N (Tipo Condutivo)

O politipo 4H-N é uma estrutura cristalina hexagonal dopada com nitrogênio, conhecida por suas propriedades físicas robustas. Com uma banda proibida de aproximadamente 3,26 eV, ele fornece:

Alto Campo Elétrico de Ruptura: Permite o projeto de dispositivos de alta tensão mais finos e eficientes.
Condutividade Térmica Superior: Permite que módulos de alta potência operem com sistemas de resfriamento simplificados.
Estabilidade Térmica Extrema: Mantém parâmetros elétricos estáveis, mesmo em ambientes agressivos que excedem 200°C.
Baixa Resistência em Condução: Otimizado para estruturas de potência verticais, como MOSFETs e SBDs de SiC.

Carbeto de Silício 4H-SI (Tipo Semi-Isolante)

Nossos substratos SI são caracterizados por resistividade excepcionalmente alta e defeitos cristalinos mínimos. Esses substratos são a plataforma preferida para dispositivos RF GaN-on-SiC, fornecendo:

Excelente Isolamento Elétrico: Elimina a condução parasita do substrato.
Integridade do Sinal: Ideal para aplicações de micro-ondas de alta frequência, onde a baixa perda de sinal é crítica.

Processo Avançado de Crescimento e Fabricação de Cristais

Nosso processo de fabricação é verticalmente integrado para garantir o controle total da qualidade, desde a matéria-prima até a bolacha acabada.

Crescimento por Sublimação (Método PVT): Os cristais de 12 polegadas são cultivados usando o método de Transporte de Vapor Físico (PVT). O pó de SiC de alta pureza é sublimado a temperaturas superiores a 2000°C sob vácuo e gradiente térmico precisamente controlados, recristalizando em um cristal semente de alta qualidade.
Corte de Precisão e Perfilamento de Bordas: Após o crescimento, os lingotes de cristal são cortados em bolachas usando serragem de diamante multi-fio avançada. O processamento de bordas envolve chanfro de precisão para evitar lascas e melhorar a robustez mecânica durante o manuseio.
Engenharia de Superfície (CMP): Dependendo da aplicação, empregamos Polimento Mecânico-Químico (CMP) na face Si. Este processo atinge uma superfície "Epi-Ready" com suavidade em escala atômica, removendo todos os danos subsuperficiais para facilitar o crescimento epitaxial de alta qualidade.

Especificações Técnicas e Matriz de Tolerância

Item	Produção Tipo N	Simulação Tipo N	Produção Tipo SI
Politipo	4H	4H	4H
Tipo de Doping	Nitrogênio (Tipo N)	Nitrogênio (Tipo N)	Semi-isolante
Diâmetro	300 ± 0,5 mm	300 ± 0,5 mm	300 ± 0,5 mm
Espessura (Verde/Trans)	600/700 ± 100 μm	600/700 ± 100 μm	600/700 ± 100 μm
Orientação da Superfície	4,0° em direção a <11-20>	4,0° em direção a <11-20>	4,0° em direção a <11-20>
Precisão da Orientação	± 0,5°	± 0,5°	± 0,5°
Plano Primário	Entalhe / Redondo completo	Entalhe / Redondo completo	Entalhe / Redondo completo
Profundidade do Entalhe	1,0 - 1,5 mm	1,0 - 1,5 mm	1,0 - 1,5 mm
Planicidade (TTV)	≤ 10 μm	N/A	≤ 10 μm
Densidade de Micropipos (MPD)	≤ 5 ea/cm²	N/A	≤ 5 ea/cm²
Acabamento da Superfície	Epi-ready (CMP)	Retificação de Precisão	Epi-ready (CMP)
Processamento de Bordas	Chanfro Arredondado	Sem Chanfro	Chanfro Arredondado
Inspeção de Rachaduras	Nenhuma (exclusão de 3 mm)	Nenhuma (exclusão de 3 mm)	Nenhuma (exclusão de 3 mm)

Substrato de carburo de silício dopante de tipo N de politipo 4H de diâmetro superior a 300 mm para dispositivos de alta potência 1

Garantia de Qualidade e Metrologia

Utilizamos um protocolo de inspeção de várias etapas para garantir o desempenho consistente em sua linha de produção:

Metrologia Óptica: Medição automatizada da geometria da superfície para TTV, curvatura e empenamento.
Avaliação Cristalina: Inspeção de luz polarizada para inclusões de politipos e análise de tensão.
Varredura de Defeitos de Superfície: Luz de alta intensidade e espalhamento a laser para detectar arranhões, orifícios e lascas de borda.
Caracterização Elétrica: Mapeamento de resistividade sem contato em toda a zona central de 8 polegadas e em toda a zona de 12 polegadas.

Aplicações Líderes da Indústria

Veículos Elétricos (EV): Crítico para inversores de tração, pilhas de carregamento rápido de 800V e carregadores de bordo (OBC).
Energia Renovável: Inversores fotovoltaicos de alta eficiência, conversores de energia eólica e sistemas de armazenamento de energia (ESS).
Rede Inteligente: Transmissão CC de alta tensão (HVDC) e acionamentos de motores industriais.
Telecomunicações: Estações macro 5G/6G, amplificadores de potência de RF e links de satélite.
Aeroespacial e Defesa: Fontes de alimentação de alta confiabilidade para ambientes aeroespaciais extremos.

Perguntas Frequentes (FAQ)

P1: Como o substrato SiC de 12 polegadas melhora meu ROI?

R: Ao fornecer uma área de superfície muito maior, você pode fabricar significativamente mais chips por bolacha. Isso reduz os custos fixos de processamento e mão de obra por chip, tornando seus produtos semicondutores finais mais competitivos no mercado.

P2: Qual é o benefício da orientação fora do eixo de 4 graus?

R: A orientação de 4° em direção ao <11-20> plano é otimizada para crescimento epitaxial de alta qualidade, ajudando a evitar a formação de politipos indesejados e reduzindo as discordâncias do plano basal (BPD).

P3: Você pode fornecer marcação a laser personalizada para rastreabilidade?

R: Sim. Oferecemos marcação a laser personalizada no lado C (face de carbono) de acordo com os padrões SEMI ou requisitos específicos do cliente para garantir a rastreabilidade total do lote.

P4: O Grau de Simulação é adequado para recozimento em alta temperatura?

R: Sim, o Grau de Simulação do Tipo N compartilha as mesmas propriedades térmicas do Grau de Produção, tornando-o perfeito para testar ciclos térmicos, calibração de fornos e sistemas de manuseio.

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