Substratos de carburo de silício 4H-N de alta qualidade (12-inch/300mm) para dispositivos de alta potência

O substrato de carburo de silício (SiC) de 12 polegadas (300 mm) representa a fronteira atual na tecnologia de semicondutores de banda larga (WBG).À medida que a indústria global passa para uma maior eficiência e maior densidade de energia, esta plataforma cristalina de grande diâmetro fornece a base essencial para a próxima geração de sistemas eletrônicos de potência e RF.

Principais vantagens estratégicas:

• Transmissão maciça:Em comparação com as placas convencionais de 150 mm (6 polegadas) e 200 mm (8 polegadas), o formato de 300 mm oferece mais de 2,2x e 1,5x a área de superfície utilizável, respectivamente.

• Optimização de custos:Reduz drasticamente o "custo por peça" maximizando o número de chips produzidos por ciclo de fabricação.

• Compatibilidade avançada:Totalmente compatível com linhas de fabricação de semicondutores de 300 mm modernas e totalmente automatizadas (Fabs), melhorando a eficiência operacional geral.

Ofertas de produtos:

1. 4H SiC de tipo N, grau de produção:Projetado para a fabricação de dispositivos de energia de alto rendimento.

2. 4H SiC tipo N, de qualidade "dummy":Uma solução rentável para ensaios mecânicos, calibração de equipamentos e validação de processos térmicos.

3. Classe de produção de semi-isolação (SI) de 4H SiC:Projetado especificamente para aplicações de RF, radar e microondas que exijam extrema resistividade.

Carbono de silício 4H-N (tipo condutor)

O politipo 4H-N é uma estrutura cristalina hexagonal dopada com nitrogênio conhecida por suas propriedades físicas robustas.

• Campo elétrico de alta degradação:Permite a concepção de dispositivos de alta tensão mais finos e eficientes.

• Conductividade térmica superior:Permite que os módulos de alta potência operem com sistemas de arrefecimento simplificados.

• Estabilidade térmica extrema:Mantenha parâmetros eléctricos estáveis mesmo em ambientes adversos superiores a 200°C.

• Baixa resistência:Otimizado para estruturas de potência verticais como MOSFETs SiC e SBDs.

Carbono de silício 4H-SI (tipo semi-isolante)

Os nossos substratos SI são caracterizados por uma resistência excepcionalmente elevada e defeitos cristalinos mínimos.

• Excelente isolamento elétrico:Elimina a condução do substrato parasitário.

• Integridade do sinal:Ideal para aplicações de microondas de alta frequência onde a baixa perda de sinal é crítica.

O nosso processo de fabrico é verticalmente integrado para garantir um controlo de qualidade total, desde a matéria-prima até à bolacha finalizada.

• Crescimento por sublimação (método PVT):Os cristais de 12 polegadas são cultivados usando o método de transporte de vapor físico (PVT).O pó de SiC de alta pureza é sublimado a temperaturas superiores a 2000°C sob um vácuo e um gradiente térmico precisamente controlados, recristalizando num cristal de sementes de alta qualidade.

• Criação de perfis de corte e de borda de precisão:Após o crescimento, os lingotes de cristal são cortados em wafers usando uma serradura avançada de diamantes.O processamento da borda envolve uma camada de precisão para evitar as asfixiações e melhorar a robustez mecânica durante o manuseio.

• Engenharia de superfície (CMP):Dependendo da aplicação, empregamos polimento químico mecânico (CMP) na face de Si. Este processo obtém uma superfície "Epi-Ready" com suavidade em escala atômica,Remover todos os danos subterrâneos para facilitar o crescimento epitaxial de alta qualidade.

Utilizamos um protocolo de inspecção em várias etapas para garantir um desempenho consistente na sua linha de produção:

1. Metrologia óptica:Medição automática da geometria da superfície para TTV, arco e warp.

2. Avaliação cristalina:Inspecção de luz polarizada para inclusões de politipo e análise de tensões.

3. Análise de defeitos de superfície:Luz de alta intensidade e laser para detectar arranhões, buracos e chips de borda.

4. Caracterização elétrica:Mapeamento de resistividade sem contacto nas zonas centrais de 8 polegadas e 12 polegadas.

• Veículos elétricos (VE):Critical para inversores de tração, pilhas de carregamento rápido de 800 V e carregadores de bordo (OBC).

• Energia renovável:Inversores fotovoltaicos de alta eficiência, conversores eólicos e sistemas de armazenamento de energia (ESS).

• Grade inteligente:Transmissão de CC de alta tensão (HVDC) e motores industriais.

• Telecomunicações:Estações macro 5G/6G, amplificadores de potência de RF e ligações via satélite.

• Aeronáutica e Defesa:Fornecedores de energia de alta fiabilidade para ambientes aeroespaciais extremos.

P1: Como é que o substrato de SiC de 12 polegadas melhora o meu ROI?

R: Ao fornecer uma área de superfície muito maior, você pode fabricar significativamente mais chips por wafer.tornar os seus produtos finais de semicondutores mais competitivos no mercado.

P2: Qual é o benefício da orientação de 4 graus fora do eixo?

R: A orientação de 4° em direção ao plano <11-20> é otimizada para um crescimento epitaxial de alta qualidade, ajudando a prevenir a formação de politipos indesejados e a reduzir as luxações do plano basal (BPD).

P3: Pode fornecer marcação a laser personalizada para rastreabilidade?

R: Sim. Oferecemos marcação a laser personalizada no lado C (face de carbono) de acordo com os padrões SEMI ou requisitos específicos do cliente para garantir a rastreabilidade completa do lote.

P4: O Dummy Grade é adequado para recozimento a alta temperatura?

R: Sim, o N-type Dummy Grade compartilha as mesmas propriedades térmicas que o Production Grade, tornando-o perfeito para testar ciclos térmicos, calibração do forno e sistemas de manuseio.