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Detalhes dos produtos

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Bolacha do fosforeto de índio
Created with Pixso. Bolacha preta do fosforeto de índio, bolacha de semicondutor para a aplicação do LD

Bolacha preta do fosforeto de índio, bolacha de semicondutor para a aplicação do LD

Nome da marca: zmkj
Número do modelo: InP-001
MOQ: 5pcs
preço: by case
Tempo de entrega: 1-4weeks
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
Materiais:
Único cristal do InP
indústria:
carcaças do semicondutor, dispositivo,
cor:
Black
Tamanho:
2-4inch
Tipo:
N-tipo, P-tipo, Si-tipo
Espessura:
350um, 500um, 625um
Detalhes da embalagem:
única caixa da bolacha
Habilidade da fonte:
1000pcs/month
Destacar:

carcaça do mgo

,

Bolacha de Gap

Descrição do produto

carcaças para a aplicação do LD, bolacha do InP de 2inch 3inch 4inch de semicondutor, bolacha do InP, única bolacha de cristal

O InP introduz

Único cristal do InP
Bolacha preta do fosforeto de índio, bolacha de semicondutor para a aplicação do LD 0

O crescimento do tCZ (método alterado de Czochralski) é usado para puxar um único cristal com partir encapsulant líquida do óxido bórico de uma semente. O entorpecente (Fe, S, Sn ou Zn) é adicionado ao cadinho junto com o polycrystal. A alta pressão é aplicada dentro da câmara para impedir a decomposição do fosforeto de índio. nós desenvolvemos um processo para render a pureza inteiramente stoechiometric, alta e o baixo cristal do InP da densidade de deslocação único.

A técnica do tCZ melhora em cima dos agradecimentos do método de LEC a uma tecnologia térmica do defletor em relação a uma modelagem numérica de condições térmicas do crescimento. o tCZ é uma tecnologia madura eficaz na redução de custos com reprodutibilidade de alta qualidade do boule ao boule.

Especificação

Artigo Diâmetro Tipo concentração levando Mobilidade Resistividade MPD
S-InP 2 N (0.8-6) X10^18 (1.5-3.5) x10^3   <500
3 <500
4 <1x10^3
Fe-InP 2/3/4 SI   >1000 >0.5x10^7 >5x10^3
Zn-InP 2/3/4 P (0.6-6) X10^18 50-70   <1x10^3
Nenhum InP do narcótico 2 N <3x10^16 (3.5-4) x10^3   <5x10^3
  Outro
Orientação (100)/(111) ±0.5° Nivelamento
TTV Curva Urdidura
<12um <12um ≤15um
primeiro do plano 16±2mm 22±2mm 32.5±2.5mm
2st do plano 8±1mm 11±2mm 32.5±2.5mm
Superfície: 1sp ou 2sp, 2inch 350±25um, 3inch 600±25um, 4inch 625±25um, ou pelo personalizado

2. Etapa do processo da bolacha do InP

Processamento da bolacha do InP
Bolacha preta do fosforeto de índio, bolacha de semicondutor para a aplicação do LD 0
Cada lingote é cortado nas bolachas que são dobradas, lustrado e em de superfície preparado para a epitaxia. O processo total é detalhado abaixo.

Bolacha preta do fosforeto de índio, bolacha de semicondutor para a aplicação do LD 2
Especificação e identificação lisas A orientação é indicada nas bolachas por dois planos (por muito tempo horizontalmente para a orientação, o plano pequeno para a identificação). O padrão de E.J. (entre a Europa e o Japão) é usado geralmente. A configuração lisa alternativa (E.U.) é usada na maior parte para Ø 4" bolachas.
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Orientação do boule Uma ou outra bolachas exatas (100) ou misoriented são oferecidas.
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Precisão da orientação de DE Em resposta às necessidades da indústria optoelectronic, nós oferecemos bolachas com precisão excelente do da orientação: < 0="">
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Perfil da borda Há duas especs. comuns: borda química que processa ou que processa mecânico da borda (com um moedor da borda).
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Polonês As bolachas são lustradas por meio de um processo produto-mecânico tendo por resultado um liso, surface.we dano-livre fornece bolachas lustradas e único-lado lustradas do dobro-lado (com verso dobrado e gravado).
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Preparação de superfície e empacotamento finais As bolachas atravessam muitas etapas químicas remover o óxido produzido durante o lustro e criar uma superfície limpa com a camada estável e uniforme do óxido que estão pronta para o crescimento epitaxial - superfície epiready e que reduz elementos de traço a extremamente - baixos níveis. Após a inspeção final, as bolachas são empacotadas em uma maneira que mantenha a limpeza de superfície.
As instruções específicas para a remoção do óxido estão disponíveis para todos os tipos das tecnologias epitaxial (MOCVD, MBE).
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Base de dados Como parte de nosso programa estatístico da gestão qualidade controle de processos/total, o base de dados extensivo que grava as propriedades elétricas e mecânicas para cada análise do lingote assim como da qualidade e da superfície do cristal das bolachas está disponível. Em cada fase de fabricação, o produto é inspecionado antes de passar à fase seguinte para manter um nível elevado de consistência da qualidade da bolacha à bolacha e do boule ao boule.

Amostra

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QC. padrão

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Pacote & entrega

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FAQ:

Q: Que é seu MOQ?

A: (1) para o inventário, o MOQ é 5 PCes.

(2) para produtos personalizados, o MOQ é 10-30 PCes acima.

Q: Que é a maneira de transporte e de custo?

A: (1) nós aceitamos DHL, Fedex, EMS etc.

(2) se você tem sua própria conta expressa, é grande. Se não, nós poderíamos ajudá-lo a enviá-los.

O frete é de acordo com o pagamento real.

Q: Como pagar?

A: T/T, Paypal, pagamento seguro e pagamento da segurança.

Q: Que é o prazo de entrega?

A: (1) para os produtos padrão

Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis depois que você coloca a ordem.

Para produtos personalizados: a entrega é 2 ou 3 semanas depois que você coloca a ordem.

(2) para os produtos especial-dados forma, a entrega é as 4 semanas de trabalho depois que você coloca a ordem.

Q: Você tem produtos padrão?

A: Nossos produtos padrão no estoque.

Q: Posso eu personalizar os produtos baseados em minha necessidade?

A: Sim, nós podemos personalizar o material, especificações para seus componentes óticos baseados em suas necessidades.