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Equipamento de ligação de wafer Temperatura do quarto Ligação hidrofílica

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April 15, 2025
Conexão de Categoria: Equipamento do semicondutor
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Este sistema é um equipamento de ligação de ponta projetado especificamente para a fabricação de dispositivos de potência de carburo de silício (SiC), suportando especificações de wafer de 2 a 12 polegadas.O sistema incorpora tecnologias avançadas de ligação direta a temperatura ambiente e ligação ativada por superfície., com otimização especial para processos de ligação heterogênea SiC-SiC e SiC-Si.
Etiquetas:
#Forno de crescimento de lingotes de SiC de 4 polegadas #Forno de crescimento de lingotes de SiC de 8 polegadas #Forno de crescimento de lingotes de SiC de 6 polegadas
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