Substrato SiC Tipo 4H-N Wafer de 10x10mm para Eletrônica de Potência

Solução de semicondutores de alto desempenho para electrónica avançada

O...Substrato de carburo de silício (SiC) de tipo 4H-N de 10 × 10 mmÉ um material semicondutor de alto desempenho baseado na tecnologia SiC de terceira geração.Transportes físicos de vapor (PVT)ouDeposição química a vapor a alta temperatura (HTCVD), oferece propriedades térmicas, eléctricas e mecânicas excepcionais.± 0,05 mme rugosidade da superfícieRa < 0,5 nm, é ideal para prototipagem de dispositivos de potência, componentes de RF e sistemas optoeletrônicos.4H-SiCou6H-SiCPolytipos, com opções de dopagem do tipo N ou do tipo P, e submetidos a rigorosas inspecções de qualidade (por exemplo, XRD, microscopia óptica) para garantir a fiabilidade do grau de semicondutor.

Tabela 1: Parâmetros-chave do substrato SiC tipo 10×10 mm 4H-N

• Gestão térmica superiorCom uma condutividade térmica de:490 W/m·K(3 vezes superior ao silício), o substrato permite uma dissipação de calor eficiente, reduzindo as temperaturas de funcionamento do dispositivo e aumentando a longevidade do sistema.

• Tolerância à alta tensão: uma intensidade de campo de ruptura de2 ̊4 MV/cmA velocidade de deriva de saturação de elétrons (2 × 107 cm/s) beneficia projetos de alta frequência.

• Robustez mecânica: Dureza de Vickers28 ∼ 32 GPae resistência flexível >400 MPafornecer 5×10 vezes mais vida útil do que materiais convencionais.

• Estabilidade ambiental: Temperaturas de funcionamento até600°Ce um baixo coeficiente de expansão térmica (4.0×10−6/K) garantir o desempenho em condições extremas.

Tabela 2: Áreas de aplicação principais de substratos de SiC de 10×10 mm

• Geometria: Formas redondas, retangulares ou definidas pelo utilizador.

• Doping: Tipo N ou tipo P com concentrações de1015 a 1019 cm−3.

• Espessura: 100 ‰ 500 μm, com metalização posterior opcional para uma melhor integração.

O substrato SiC tipo 10×10mm 4H-N combina propriedades avançadas de materiais com flexibilidade no design, tornando-o um facilitador crítico para a próxima geração de eletrônicos em automóveis, comunicação,e sistemas energéticosA sua compatibilidade com aplicações de alta temperatura, alta frequência e alta potência coloca-o como uma pedra angular da inovação em semicondutores.

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