Substratos de SiC 6H de Grau Industrial para Eletrônica de Alta Temperatura, UV e Precisão

Substratos de SiC 6H de grau industrial para eletrónica de alta temperatura, UV e de precisão

Visão geral do produto

Os substratos de carburo de silício 6H (SiC) são wafers de cristal único de alta qualidade projetados para aplicações optoeletrônicas de alta temperatura, alta voltagem e especializadas.6H oferece um politipo hexagonal diferente com mobilidade eletrônica ligeiramente menor, mas excelente estabilidade térmica, resistência mecânica e custo-eficácia para usos de nicho, como LEDs UV, sensores de alta temperatura e eletrônicos industriais.

Características fundamentais

• Estrutura de cristal hexagonal 6H:Assegura a estabilidade dimensional e a robustez mecânica durante o processamento de wafer.

• Propriedades elétricas:Mobilidade moderada dos elétrons adequada para dispositivos de alta temperatura e alta tensão; suporta pegadas de dispositivos menores.

• Condutividade térmica (~ 390 ∼ 450 W/m·K):Difusão de calor eficiente em módulos de potência e ambientes adversos.

• Resistência mecânica e química:Alta dureza e resistência à corrosão para uma fiabilidade a longo prazo.

• Opções de superfície preparada para epi:Compatível com crescimento epitaxial, incluindo aquecimento por hidrogénio e polimento por CMP.

• Dimensões e espessura personalizáveis:Disponível em diâmetros normalizados ou adaptados a necessidades específicas de produção.

Aplicações

• Dispositivos e sensores de semicondutores de alta temperatura

• LEDs UV e optoeletrónica especializada

• Eletrónica aeroespacial e automotiva exposta a condições extremas

• Eletrónica industrial que requer componentes compactos e robustos

• Investigação e desenvolvimento em semicondutores de banda larga

Especificações técnicas (típicas e personalizáveis)

Vantagens do substrato quadrado

• Sensores de alta temperatura e LEDs UV:Os substratos quadrados proporcionam um alinhamento preciso para os eletrodos e bases de embalagem.

• Eletrónica industrial:Permite um design compacto com alta integração, reduzindo as lacunas entre o pacote e o substrato.

• Circuitos de RF e Microondas (opção SI):Redução da perda de sinal para aplicações de alta frequência.

Processo de Fabricação

1. Síntese de pó: matéria-prima de SiC de alta pureza.

2. Instalação das sementes: 6H sementes fixadas numa ampola de crescimento.

3. Crescimento a altas temperaturas: a sublimação a 2300°C forma uma bola de SiC.

4. Cortar: Serra de fio de diamante corta as bolinhas.

5. Poluição e inspecção: poluição por CMP ou por diamante de superfícies preparadas para epi; fornecimento de um certificado de metrologia e análise (CoA).

Principais aplicações e casos de utilização

• Eletrónica de alta temperatura e sensores industriais

• Optoeletrónica UV

• Eletrónica aeroespacial e de defesa em condições extremas

• Dispositivos de alimentação compactos de alta fiabilidade para mercados de nicho

• Investigação e desenvolvimento e produção piloto de dispositivos semicondutores de banda larga

Perguntas frequentes

1O que torna os substratos de SiC 6H diferentes dos de 4H?

O 6H SiC possui um politipo hexagonal diferente, menor mobilidade dos elétrons e vantagens econômicas para aplicações de alta temperatura e especializadas, enquanto o 4H é padrão para aplicações de alta velocidade,Dispositivos de potência de alta eficiência.

2- O SiC 6H resiste a altas temperaturas?

Sim, mantém estabilidade mecânica e elétrica em ambientes térmicos extremos.

3Os substratos de SiC 6H são personalizáveis?

Sim, o diâmetro, a espessura, o acabamento da superfície e a condutividade podem ser adaptados às necessidades de I&D ou produção.

4- Que indústrias usam substratos de 6H SiC?

Sensores de alta temperatura, LEDs UV, eletrônicos aeroespaciais, automotivos e industriais que exigem desempenho robusto em condições extremas.