Substrato SiC Tipo 4H-N Wafer de 10x10mm para Eletrônica de Potência

Substrato SiC tipo 4H-N 10×10 mm Wafer pequeno Forma e dimensões personalizáveis

A pequena bolacha SiC 10×10 é um produto semicondutor de alto desempenho desenvolvido com base no carburo de silício (SiC), material semicondutor de terceira geração.Fabricados utilizando processos de transporte físico de vapor (PVT) ou de deposição química de vapor a alta temperatura (HTCVD), oferece duas opções de politipo: 4H-SiC ou 6H-SiC. Com tolerância dimensional controlada dentro de ± 0,05 mm e rugosidade de superfície Ra < 0,5 nm,O produto está disponível em versões dopadas do tipo N e do tipo P, que cobrem uma faixa de resistividade de 0,01-100Ω·cm. Cada bolacha é submetida a rigorosas inspecções de qualidade,Incluindo difração por raios-X (XRD) para ensaios de integridade de grelhas e microscopia óptica para detecção de defeitos de superfície, assegurando a conformidade com as normas de qualidade dos semicondutores.

Substrato SiC 10×10 mm Especificação técnica

Substrato SiC 10×10 mm Principais características técnicas

• Gestão térmica excepcional:Substrato SiC 10×10 mm condutividade térmica de até 490 W/m·K, três vezes superior ao silício, reduzindo significativamente a temperatura de funcionamento do dispositivo e melhorando a fiabilidade do sistema.

• Propriedades elétricas superiores:Substrato de SiC 10×10 mm resistência ao campo de degradação de 2-4 MV/cm, dez vezes a do silício, suportando operação de tensão superior; velocidade de deriva da saturação de elétrons atinge 2×10^7 cm/s,tornando-o ideal para aplicações de alta frequência.

• Adaptabilidade extrema ao ambiente:Substrato SiC 10 × 10 mm mantém um desempenho estável a temperaturas de até 600 °C, com um baixo coeficiente de expansão térmica de 4,0 × 10^-6/K,assegurar a estabilidade dimensional em condições de alta temperatura.

• Performance mecânica excepcional:Dureza Vickers de 28-32 GPa, resistência à flexão superior a 400 MPa e resistência ao desgaste excepcional, SiC Substrate 10 × 10 mm oferecendo uma vida útil 5-10 vezes maior do que os materiais convencionais.

• Serviços de personalização:Soluções personalizadas de substrato SiC 10×10 mm disponíveis para orientação cristalina (por exemplo, 0001, 11-20), espessura (100-500μm) e concentração de dopagem (10^15-10^19 cm^-3) com base nas exigências do cliente.

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Áreas de aplicação do núcleo do substrato SiC 10×10 mm

 

1.Forças motrizes de veículos de energia nova:O substrato SiC 10 × 10 mm é usado em MOSFETs e diodos SiC de grau automotivo, melhorando a eficiência do inversor em 3-5% e ampliando o alcance de condução do EV.

 

 

2.Infraestrutura de comunicação 5G:O substrato de SiC de 10×10 mm serve como substrato para amplificadores de potência de RF (RF PA), suportando aplicações de banda de ondas milimétricas (24-39 GHz) e reduzindo o consumo de energia da estação base em mais de 20%.

 

 

3.Equipamento de rede inteligente:Substrato de SiC de 10 × 10 mm aplicado em sistemas de corrente contínua de alta tensão (HVDC) para transformadores de estado sólido e disjuntores, aumentando a eficiência de transmissão de energia.

 

 

4.Automatização industrial:O substrato de SiC de 10 × 10 mm permite acionamentos de motores industriais de alta potência com frequências de comutação superiores a 100 kHz, reduzindo o tamanho do dispositivo em 50%.

 

 

5.Eletrónica aeroespacial:O substrato de SiC de 10 × 10 mm satisfaz os requisitos de fiabilidade dos sistemas de alimentação por satélite e dos sistemas de controlo dos motores das aeronaves em ambientes extremos.

 

 

6.Dispositivos optoeletrônicos de ponta:Substrato de SiC 10 × 10 mm material de substrato ideal para LEDs UV, diodos laser e outros componentes optoeletrônicos.