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Wafer de safira de 6' de diâmetro 150 mm ± 0,1 mm Espessura 1000um C-Plano 99,99% puro

Detalhes do produto

Lugar de origem: China

Marca: zmsh

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Wafer de safira 6'

,

Wafer de safira de 1000um

Materiais:
> 99,99% safira
orientação:
C-plano ((0001)
Diamater:
150 ± 0,2 mm
Espessura:
1000±10um
Warp.:
≤ 20um
Incline-se.:
-15um≤BOW≤0
TTV:
< 10="" um="">
Polido:
ssp ou dsp
Materiais:
> 99,99% safira
orientação:
C-plano ((0001)
Diamater:
150 ± 0,2 mm
Espessura:
1000±10um
Warp.:
≤ 20um
Incline-se.:
-15um≤BOW≤0
TTV:
< 10="" um="">
Polido:
ssp ou dsp
Wafer de safira de 6' de diâmetro 150 mm ± 0,1 mm Espessura 1000um C-Plano 99,99% puro

Wafer de safira de 6" de diâmetro 150mm±0,1mm Espessura 1000um C-plano 99,99% puro

 

As nossas bolinhas de safira de 6 polegadas de diâmetro são substratos de cristal único Al2O3 de engenharia de precisão, concebidos para aplicações de semicondutores exigentes, com um rigoroso controlo do diâmetro a 150,0±0.1 mm e espessura padrão de 1000±15 μm, estas placas orientadas para o plano C (0001) oferecem um desempenho excepcional para:

  • Produção de LEDs e dispositivos de potência baseados em GaN
  • Componentes de RF de alta frequência
  • Sistema óptico avançado

 

Wafer de safira de 6' de diâmetro 150 mm ± 0,1 mm Espessura 1000um C-Plano 99,99% puro 0

 


 

 

Especificações

 

Parâmetro

Especificações

Diâmetro 150.0 ± 0,1 mm
Espessura 1000 ± 10 μm
Orientação (0001) ±0,15°
TTV < 10 μm
Warp. ≤ 20 μm
Incline-se. -15um≤BOW≤0
Warp. < 10 μm

 


 

Aplicações

 

Optoeletrónica

  • Displays micro-LED
  • Dispositivos de esterilização UV
  • Iluminação de alta luminosidade

 

Eletrónica de potência

  • GaN HEMT para 5G/6G
  • Módulos de energia eléctrica
  • Sistemas de radar

 

Tecnologias emergentes

  • Dispositivos de ponto quântico
  • Resonadores MEMS
  • Sensores fotónicos

 

 

Wafer de safira de 6' de diâmetro 150 mm ± 0,1 mm Espessura 1000um C-Plano 99,99% puro 1

 


 

Características-chaveWafer de safira.

 

1. Desempenho térmico superior

  • Alta condutividade térmica: 35 W/m·K @ 25°C
  • Baixa ETC: 5,3×10−6/K (25-500°C)
  • Resistente a choques térmicos: Resiste a ΔT > 500°C

 

2Excelência óptica.

  • Transmissão de banda larga: 85%@250nm → 92%@450nm → 90%@4000nm
  • Bifringência mínima: <3 nm/cm @633 nm
  • Poluição por laser: PV <λ/4 @633nm

 

 

3Robustez mecânica

  • Dureza extrema: 2000 HV (Mohs 9)
  • Alta resistência à flexão: 700±50 MPa
  • Modulo de Young: 400 GPa

 

4- Vantagens de fabricação

  • Controle de diâmetro: 150,0±0,1 mm (compatível com ferramentas de 6"
  • Opções de espessura: 430-1000 μm disponíveis
  • Perfil de borda: embocado ou marcado a laser de acordo com as normas SEMI

 


 

Perguntas Frequentes

 

P: 1. Como devem ser manuseadas e armazenadas as bolachas?

  1. Utilize sempre a sala limpa (Classe 1000 ou superior)
  2. Manipulação com varinhas de vácuo ou ferramentas de ponta PEEK
  3. Conservar em cassetes com nitrogénio
  4. Evitar a exposição aos raios UV

 

P: 2 Informações de encomenda

Configurações padrão

  • Diâmetro: 150 mm
  • Espessura: 1000 μm
  • Orientação: plano C (0001)
  • Flat primário: 32,5 mm