Detalhes do produto
Lugar de origem: China
Marca: ZMSH
Número do modelo: Substrato SiC
Termos de pagamento e envio
Tempo de entrega: 4-6 semanas
Termos de pagamento: T/T
Materiais: |
monocristal SiC |
Tipo: |
4H-P / 6H-P |
Tamanho: |
4 polegadas |
Grau: |
Prime/ Dummy |
personalizado: |
Apoio |
Cor: |
Negro |
Materiais: |
monocristal SiC |
Tipo: |
4H-P / 6H-P |
Tamanho: |
4 polegadas |
Grau: |
Prime/ Dummy |
personalizado: |
Apoio |
Cor: |
Negro |
- apoiar as personalizadas com desenhos gráficos
- um cristal hexagonal (4H SiC), obtido a partir de monocristal SiC
- alta dureza, dureza de Mohs chega a 9.2, só atrás do diamante.
- excelente condutividade térmica, adequada para ambientes de alta temperatura.
- características de banda larga, adequadas para dispositivos electrónicos de alta frequência e de alta potência.
O substrato SiC do tipo P é um material semicondutor importante amplamente utilizado em dispositivos eletrônicos de alta potência e alta frequência.O substrato SiC do tipo P apresenta características do tipo P, o que permite ao material proporcionar uma boa condutividade elétrica e uma elevada concentração de portadores.A sua excelente condutividade térmica e a sua elevada tensão de ruptura permitem-lhe manter um desempenho estável em condições extremas.
O substrato SiC de tipo P possui excelente estabilidade a altas temperaturas e resistência à radiação e pode funcionar normalmente em ambientes de alta temperatura.Os substratos de 4H-SiC apresentam menores perdas de energia sob campos elétricos elevados e são adequados para utilização em veículos elétricosAlém disso, a excelente condutividade térmica ajuda a melhorar a eficiência de dissipação de calor do dispositivo e prolongar a sua vida útil.
Os substratos de SiC de tipo P são amplamente utilizados em dispositivos de energia, dispositivos de RF e dispositivos optoeletrônicos.
Eles são frequentemente usados para fabricar dispositivos como MOSFETs e IGBTs de tipo P para atender às necessidades de alta voltagem, alta temperatura e alta frequência.Os substratos de SiC do tipo 4H-P desempenharão um papel cada vez mais importante na futura electrónica de potência e redes inteligentes.
Detalhes do substrato SiC do tipo P
|
Propriedade |
Tipo P 4H-SiC, cristal único | Tipo P 6H-SiC, cristal único |
| Parâmetros da malha | a=3,082 Å c=10,092 Å |
a=3,09 Å c=15,084 Å |
| Sequência de empilhamento | ABCB | ACBABC |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidade | 30,23 g/cm3 | 30,0 g/cm3 |
| Coeficiente de expansão térmica | 4.3×10-6/K (Caxis) 4.7×10-6/K (Caxis) | 4.3×10-6/K (Caxis) 4.7×10-6/K (Caxis) |
| Índice de refração @750nm | no = 2.621 ne = 2.671 | não=2.612 ne=2.651 |
| Constante dielétrica | c~9.66 | c~9.66 |
|
Conductividade térmica |
3 a 5 W/cm·K@298K |
3 a 5 W/cm·K@298K |
| Falta de frequência | 3.26 eV | 30,02 eV |
| Campo elétrico de ruptura | 2-5×106V/cm | 2-5×106V/cm |
|
Velocidade da deriva de saturação |
2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
amostras de substrato SiC de tipo P
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Perguntas frequentes
1P: Em comparação com o N-Type, o que dizer do P-Type?
R: Os substratos P-Type 4H-SiC, dopados com elementos trivalentes como o alumínio, têm furos como portadores majoritários, proporcionando boa condutividade e estabilidade a altas temperaturas.Substratos do tipo N, dopados com elementos pentavalentes como o fósforo, têm elétrons como portadores majoritários, o que normalmente resulta em maior mobilidade eletrônica e menor resistividade.
2Q: Quais são as perspectivas de mercado para o P-Type SiC?
R: As perspectivas de mercado para o SiC do tipo P são altamente positivas, impulsionadas pela crescente procura de componentes eletrónicos de potência de alto desempenho para veículos eléctricos, sistemas de energia renovável,e aplicações industriais avançadas.
